Способ изготовления силовых кремниевых диодов

Номер патента: 1098455

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Локтаев, Лопуленко, Марквичева, Нисневич, Писарева

МПК: H01L 21/225

Метки: многослойных, областей, сильнолегированных, структурах, формирования

...полная. деструкция легированных фосфором и мышьяком пленок происходит при температуре 800 фС, а легированных бором при 1050 С. Поэтому загрузка пластин должна производиться в печь, нагретую на 50-350 С ниже, чем температура диффузии, Если температура загрузки пластин в печь будет ниже более чем на 350 С или менее чем нао50 С по сравнению с температурой диффузии, то в первом случае за счет увеличения длительности нагрева печи до температуры диффузии будет уменьшаться уровень легирования из-за излишнего испарения примесей, а во втором случае сближение температуры деструкции и диффузии ухудшит однородность и воспроизводимость легирования, так как диффузия и деструкция будут происходить одновременно, В зависимости от массы загружаемых...

Номер патента: 1817866

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Громов, Джус, Муратов, Нерсесян, Татеосов, Христич

МПК: H01L 21/225

Метки: диодов, импульсных, кремниевых, эпитаксиально-диффузионных

...области и переходе металл- полупроводник уменьшится, что позволит увеличить плотность тока с одновременным сохранением (уменьшением) граничного значения ОпрямПримерамй конкретного использования данного изобретения является изготовление диодов: 1) 2 Д(КД)2999 (Опрям 0,93 В пРипрям 20 А овос.обр. 200) на кРисталле диаметром 6,0 мм, вместо ранее использованного кристалла диаметром 8,5 мм 2) 2 Д(КД) 2997 (Ообр 0,93 В при 1 прям = ЗОА, лоос,обр. 200) На КРИСтаЛЛЕ ДИаМЕтРОМ 8,5 мм, вместо ранее использованного кристалла диаметром 10 мм.Режим дополнительного термоотжига, с целью уменьшения падения напряжения на контактах и в прйконтактных областях, выбран был следующим: Т=1250 С, с =.(2-5) ч.Режим термообжига, согласно технологиче. ских...

Номер патента: 533893

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Алексеев, Головкин, Малышев, Раздобудько

МПК: G01R 31/26

Метки: ганна, диоде, пролета, частоты, электронов

...изменение в диапазоне частс г величина С,Ясно, что при постоянных в диапазоне частот С, Ср и били, точнее, при постоянной величине холодной добротности,1+ ,)вн - 1нтакже будет иметь резко выраженный минимум на частоте пролета, а определяемая в соотвс 1 лви с формулой,2)5 относительная ширина полосы синхронизацииу.- акси 1 ал.нос знаение па той жсУочастоте,10 где /о - частота свободшях колебаний генератора;Лг полоса синхронизации;Ро - мощность сипала синхронизации;Р, - мощность генератора при отсутствии15 синхросигпала;Р,-- коэффициент усиления синхронизиРрусмого гснсратора.20 Регистрация максимального значения вУодиапазоне частот позволяет определять часто тУ пРолета 1 пр.Структурные схемы измерительных устано 25 вок, позволяющих...

Номер патента: 1465739

Опубликовано: 15.03.1989

Авторы: Головчанский, Марченко

МПК: G01N 1/28, G01N 23/225

Метки: исследований, кремниевой, микроскопических, нанесенных, образцов, пленок, поверхность, подложки, приготовления, электронно

...комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,101 3 14657 к мнатной температуре является насыщ иным),При температуре раствора менее Зф С увеличивается продолжительностьо процесса, а использование раствора с температурой более 80 С приводит к растворению,самой отделяемой пленки.В таблице приведены результаты р ализации способа приготовления о разцов при различных параметрах п оведения процесса.П р и м е р. Проводят отделенир пренки ниобия (%) толщиной 1000 А,апыленной на кремниевую подложку (100) в 453-ном растворе КОН при 65 С. Время отделения пленки составет около 5 мин при скорости растрения самой пленки .60-70 А/мин. осле отделения с помощью специальой сетки кусочки пленки помещают в стиллированную воду. Свертыванияки не...

Номер патента: 120611

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Тренева

МПК: H01J 29/48

Метки: большой, конусообразным, плотностью, полым, потоком, прожектор, электронный, электронов

...соевой Одно тело скатодом 3, Внутренний ацод 5 представляет собой ццлицдрический стержень радиуса К, проходящий через область прожектора ц оканчивающийся диском радиуса Габ,НЯ"=1,бой ци а фиг. 2 изображен тот же прожектор, но для углов 6,: 10= и для 5 - ; 7,0. Внутренний анод 7 в дацном случае представляет солиндрическое тело радиуса К120611 Электронные прожекторы, изображенные на фиг, 1 и 2, при экспериментальной проверке показали, что через кольцеобразные анодные отверстия их проходят 99 - 100% от полного тока пучка при нулевом по. тенциале па катодном электроде 4 и при одинаковых, равных Уа, потенциалах внутреннего б и 7 и наружного 1 анодов, Сходящийся электронный пучок б в пространстве за анодом прожектора 1 может быть...