Способ формирования p-n-переходов на основе кристаллов теллурида кадмия-ртути p-типа проводимости

Номер патента: 1364146

Авторы: Кулешов, Панин, Редькин, Юнкин, Якимов

Описание

Способ формирования р-n-переходов на основе кристаллов теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, включающий обработку кристаллов потоком ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества р-n-перехода за счет снижения радиационного воздействия на кристаллы, обработку проводят в плазме аргона ВЧ-разряда при давлении от 6,7 10-1 до 66,5 Па и величине удельной мощности на единицу поверхности от 0,6 до 1,3 Вт/см2.

Заявка

3982045/25, 29.11.1985

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов АН СССР

Панин Г. Н, Юнкин В. А, Кулешов В. Ф, Редькин С. В, Якимов Е. Б

МПК / Метки

МПК: H01L 21/306

Метки: p-n-переходов, кадмия-ртути, кристаллов, основе, п-типа, проводимости, теллурида, формирования

Опубликовано: 27.12.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1364146-sposob-formirovaniya-p-n-perekhodov-na-osnove-kristallov-tellurida-kadmiya-rtuti-p-tipa-provodimosti.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ формирования p-n-переходов на основе кристаллов теллурида кадмия-ртути p-типа проводимости</a>

Похожие патенты