Способ формирования p-n-переходов на основе кристаллов теллурида кадмия-ртути p-типа проводимости
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание

Заявка
3982045/25, 29.11.1985
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов АН СССР
Панин Г. Н, Юнкин В. А, Кулешов В. Ф, Редькин С. В, Якимов Е. Б
МПК / Метки
МПК: H01L 21/306
Метки: p-n-переходов, кадмия-ртути, кристаллов, основе, п-типа, проводимости, теллурида, формирования
Опубликовано: 27.12.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1364146-sposob-formirovaniya-p-n-perekhodov-na-osnove-kristallov-tellurida-kadmiya-rtuti-p-tipa-provodimosti.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ формирования p-n-переходов на основе кристаллов теллурида кадмия-ртути p-типа проводимости</a>
Предыдущий патент: Способ получения 2, 3-дихлорпропена
Следующий патент: Устройство для наплавки в контролируемой атмосфере
Случайный патент: Устройство для контроля последовательности прохождения сигналов