Патенты с меткой «n-n-ni-слоях»
Способ изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем на n-n-ni-слоях арсенида галлия
Номер патента: 1819053
Опубликовано: 27.01.2000
МПК: H01L 21/263
Метки: n-n-ni-слоях, арсенида, галлия, интегральных, полупроводниковых, приборов, схем
Способ изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем на n-n--ni-слоях арсенида галлия, включающий создание омических контактов и/или контактов с барьером Шоттки, формирование активных областей структуры, покрытие защитной маской активных областей, удаление незащищенных участков n-слоя травлением, ионное легирование на глубину n--слоя ускоренными заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров и повышения процента выхода годных полупроводниковых приборов и интегральных схем путем повышения термической стабильности межэлементной изоляции, в качестве активных заряженных частиц используют дейтроны, при этом...