Патенты с меткой «сверхтонких»

Номер патента: 103356

Опубликовано: 01.01.1956

Автор: Кулагин

МПК: B23D 19/04, B26D 1/24, B26D 7/14 ...

Метки: лент, металлических, продольной, разрезки, сверхтонких, станок

...- ром (7). усплпс от которого иер:.ся на дисковые ножи через рол)гкп . 1 с.кся) с;катис .Нсковьгх ножей обсси чишпостоянный беззазорный контакт между рескущими кромками ножей,1 Пирокая, еще нс рзрсз;Иная лепт ( про хо;имслгду;)ум я илс си нами (10), Оторьи ) дискоых 50 кои псрсх,)- дят в гребенку (11). 1 рсоенка об псчиВдст постояи ин ирижгп)ие лепты пр)- цсссс сс, резки к боковы ци ппдрпче;им посрхностял Иожсй и у)рншт дг- И)рмдцпю;генг) 1.Еолнчест 5),Иск 015 ь 1, ножен и и х ш ирпнд В кжяол Отдельном сучдс Выбирается ) зависмости От ширииьс рдзр,- зс)ой лент 1 и необходимой Ппщпь;Снты после разрезки.Лосси тос ь кдк рдз 1 и.кд;нь Ок;)нгс)н 1, н ось (12) 155)Осто ктупНи (131 ,5 кре)ляется катушка (14).Этой катуигке придается вращение от...

Номер патента: 493808

Опубликовано: 30.11.1975

Авторы: Аввакумов, Керницкий, Цайреф

МПК: H01B 13/008, H01C 17/00

Метки: проводов, сверхтонких

...квадратных или ромбовидныхканалов до поверхности оправки, по которым плавиковая кислота проникает до нижних слоев микропровода. Для сохранения формы обмотки после снятия стеклянной изоляции, в 20 процессе намотки необходимо выдерживатьнатяжение, обеспечивающее относительное удлинение микропровода, компенсирующее уменьшение длины витков в процессе растворения,25 Оси к п493808пография, пр. Сапунова обмотки наклонены под углом л - я, а витки расположены соответственно.На фиг. 1 изображена многослойная обмотка из микропровода в стеклянной изоляции в процессе формирования первого слоя, где 1 - оправка; 2 - микропровод в стеклянной изоляции; 3 - точка закрепления начала обмотки; 4 - точка соприкосновения микропровода с оправкой.На фиг....

Номер патента: 1099255

Опубликовано: 23.06.1984

Авторы: Александров, Алесковский, Сомсиков, Толстой

МПК: G01N 21/21

Метки: адсорбированных, диэлектриков, исследования, пластин, поверхности, полупроводников, сверхтонких, слоев, спектроскопического

...направляют на пластину со слоем под угломас 1 ф о э,где нэ - показатель преломления пластины без слоя, и регистрируют многократно прошедшее через пластину со слоем излучение.Заказ 4365/37 Тираж 823 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патентф; г. Ужгород, ул. Проектная,4 соответствующую органическим загрязнениям. Промывают пластину СС 6, Я 0и вновь регистрируют спектр в выбранной области (полосы поглощения в области 2940 см"отсутствуют). Наоснове данных результатов удаетсясделать вывод об эффективности отсевки. П р и м е р 2. Пластину кремния диаметром 60 мм и толщиной 350 мкм помещают в держателе на плато приставки к спектрофотометру...

Номер патента: 717926

Опубликовано: 30.01.1986

Авторы: Быковский, Дудоладов, Кобыляков, Козленков, Лощинин, Миронос, Шаповалов

МПК: C23C 14/28

Метки: двухслойных, основе, пленок, сверхтонких, сплошных, структур

...с и в существенно неравновесных условиях. Пересыщения, развивающиеся при этом, настолько велики, что эффективные размеры устойчивого зародыша должны быть меньше атомных размеров, т.е. рост пленки происходит сразу сплошным слоем. Подавление процессов миграции во время сверхбыстрого осаждения тонких слоев является причиной образования сплошных сверхтонких пленок при испарении вещества импульсным ОКГ. Режим работы импульсного ОКГ при этом не имеет решающего значения, Дальнейшее поведение осажденной пленки зависит от ее толщины с;, температуры подложки 1 з, в еличины пер е грев а ь 1 пленки в момент осаждения, адгезии пленки к подложке, степени соответствия параметморфологическая релаксация первоначально сплошной пленки в дискретную. Время...

Номер патента: 1350574

Опубликовано: 07.11.1987

Авторы: Абеляшев, Бержанский, Сергеев, Федотов

МПК: G01N 24/08

Метки: веществ, взаимодействий, квадрупольных, магнитных, магнитоупорядоченных, регистрации, сверхтонких, ядер

...мкс соответственно, спектр ЯМРимеет вид, показанный на фиг, 2. Амплитуда возбуждающих импульсов (фиг. 3) равна 300 В, интервал между импульсами= 35 мкс, длительность импульсов г, = 6, г = 4 мкс,Затем, производя перестройку спектрометра по частоте, регистрируют спектр ЯМР ядер Сг, как функцию ам 5 Зйлитуды сигнала спинового эха, возникающего в момент времени г = 42 от частоты заполнения возбуждающих импульсов. Из полученных спектров определяют параметры магнитного СТВ по известным формулам.Дополнительный анализ спектров5 зЯМР ядер Сг с использованием угловой зависимости линий спектров ЯМР отдельного монокристалла в насыщающем магнитном поле показывает, что5 Зспектр ЯМР ядер Сг с использованием эха 4 ь определяется лишь магнитным СТВ и...

Номер патента: 1562814

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Абеляшев, Бержанский, Полулях, Сергеев, Федотов

МПК: G01N 24/08

Метки: веществах, взаимодействий, квадрупольных, магнитоупорядоченных, регистрации, сверхтонких, электрических, ядер

...ьса ми и частотой заполнения возбуждающих импульсов, соответствующей ларморовской частоте исследуемого ядра . Соотношение длительностей первого е и второго ед РЧ-импульсов удовлетворяет условию /%2. Произ Водя перестройку спектрометра по часготе в пределах существования сигнала СЭ на 2и варьируя амплитуду РЧ-импульсов, доби ва ются поя вления сигнала СЭ, возникающего в момент е =5/2 ь, Затем регистрируют спектр ЯМР, который является функцией амплитуды сигнала СЭ в момент времени С=5/21,. Из полученных спектров определяются параметры электрического квадрупольного 20 СТВ.На фиг. 1 изображена Фотография Двух сиг,налов СЭ ядер ззСг при Т = = Й,2 К в СЙ о,о 4 АВ о,о 4 СгЯ 14, возникающих в момент времени =2 В и = 25 5/2 Т после воздейст вия...

Номер патента: 1794283

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Дроздов, Прядко, Розин, Рябченко, Трушковский

МПК: H04R 31/00

Метки: мембран, пленочных, сверхтонких

...этого способа заключается в том, что при снятии с кремниевой пластины кольцо капсюля часто отделяется от гальванического покрытия, которое, в свою очередь, содержит на поверхности неровности и острые выступы размером в несколько десятков микрон. В результате изготовленные подложки оказываются малопригодными для использования ввиду низкого качества формируемых нэ ней 15 сверхтонких мембран,Целью изобретения является упрощение технологии и улучшение качества изготовления сверхтонких мембран,Поставленная цель достигается тем, что 20 в способе изготовления пленочных мембран, включающем формирование растворимой подложки, нанесение на ее поверхность пленки, жесткое закрепление оправки мембраны на пленке, отделение мембраны от подложки путем...

Номер патента: 1753700

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Бобров, Быков, Ворожцов, Игнатов, Корнюшина, Попов, Родина, Хан, Шишкина, Эль

МПК: C07D 241/38, G02B 5/30

Метки: 3-хлориндантрон-4, 4-дисульфокислота, области, основа, пленок, поляроидных, сверхтонких, селективных, термостабильных, формирования

3-Хлориндантрон-4,41-дисульфокислота формулыкак основа для формирования сверхтонких термостабильных поляроидных пленок, селективных в области 620 - 680 нм.

Номер патента: 1642741

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Агальцова, Архипова, Банников, Быков, Ворожцов, Игнатов, Масанова, Танунина, Хан, Шишкина

МПК: C09B 57/12, G02B 1/08

Метки: n-дифенилдиимидов, замещенных, качестве, кислоты, перилентетракарбоновой, пленок, поляроидных, сверхтонких, сульфокислоты, термостабильных, формирования

Сульфокислоты замещенных N,N - дифенилдиимидов 3,4,9,10-перилентетракарбоновой кислоты общей формулыгде R H, Br, Cl, OH, CH3, C4H9, COCH3, OC2H5;n 1 2,в качестве материалов для формирования сверхтонких термостабильных поляроидных пленок, селективных в области 480 550 нм.

Номер патента: 1598430

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Архипова, Банников, Быков, Ворожцов, Игнатов, Масанова, Танунина, Хан, Шишкина

МПК: C07D 471/04, G02B 5/30

Метки: дибензимидазолов, замещенных, качестве, кислоты, области, перилентетракарбоновой, пленок, поляроидных, сверхтонких, селективных, сульфокислоты, термостойких, формирования

Сульфокислоты замещенных дибензимидазолов 3,4,9,10-перилентетракарбоновой кислоты общей формулыгде R1 H, 3(4)-CH3, 3(4)-C2H5, 3(4)-Cl, 3(4)Br; R2 4(5)-SO3H,в качестве материалов для формирования сверхтонких термостойких селективных в области 550 620 нм поляроидных пленок.

Номер патента: 1635538

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Банников, Быков, Двуреченская, Игнатов, Левин, Танунина, Хан

МПК: C09B 57/12, G02B 1/08

Метки: дибензимидазолов, замещенных, качестве, кислоты, нафталинтетракарбоновой, пленок, поляроидных, сверхтонких, сульфокислоты, формирования

Сульфокислоты замещенных дибензимидазолов 1,4,5,8-нафталинтетракарбоновой кислоты общей формулыилигде R H, CH3, C2H5, OC2H5, Cl или Br;n 1 или 2,в качестве материала для формирования сверхтонких поляроидных пленок.

Номер патента: 1485972

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Марченко, Никулов, Розенфланц, Старков

МПК: H01L 39/24

Метки: ниобия, пленок, сверхтонких

Способ получения сверхтонких пленок ниобия, включающий напыление и анодное окисление, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности пленок, анодное окисление первоначально проводят при плотности тока, не превышающей 0,3 мА/см2, до достижения заданной толщины пленки, а затем в режиме постоянного напряжения в течение 30 - 40 мин.