H01L 21/36 — нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание

Номер патента: 182336

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: H01L 21/36

Метки: карбида, кремния, наращивания, пленок, эпитаксиального

...из двух параллельных графитовых пластин: верхней 1 и нижней 2 площадью порядка 50 Х 16 ллз каждая. Зазор меяду ними составляет 10 ллт. Нижняя 5 пластина имеет более высокую температуру,чем верхняя. Испаряемый материал 3 помещен на пластине 2; здесь же установлен дер.алкатель 4 с подложками б. Сбоку на некотором расстоянии от пластин нагревателя рас обложены графитовые экраны (на чертюкене показаны), не препятствующие свободному газообмену в рабочем объеме. Меняя расстоя.ние между экраном и подложками, можно рс.гулировать температуру подложек.15 Крнсталлодержатель б выполнен в виде линейки с последовательно соединенными отдельными держателями 4.Разогрев устройства до температуры порядка 2500 С длится 30 - 50 сек; на поддер жание в...

Номер патента: 339245

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Архиповг, Бабушкин, Веремейчук, Домницкий, Эмке

МПК: H01L 21/36

Метки: наращивания, реактор, эпитаксиального

...для эпитаксиального наращивания слоев полупроводниковых материалов, в частности германия или кремния.Известны реакторы для эпитаксиального наращивания слоев полупроводниковых материалов, выполненные в виде стального кожуха (колпака), охлаждаемого водой, внутри которого размещается графитовый подложкодержатель. Подложкодержатель представляет собой полый цилиндр, внутри которого установлен индуктор, состоящий из кварцевого держателя и катушки, причем катушка расположена на внешней стороне держателя. Колпак снабжен штуцерами для подачи рабочего газа. Такая конструкция реактора не обеспечивает достаточной герметизации индуктора от газовой среды, так как создание надежного вакуумного уплотнения между основанием кожуха и вращающимся...

Номер патента: 460826

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Андреев, Жиляев, Ларионов, Никитин

МПК: H01L 21/36

Метки: жидкостной, методом, многослойных, полупроводниковых, структур, эпитаксии

...приведения подложки в контакт с расплавамНедостатком этих устройств является то, что при перемещении подложки может происходить либо перетаскивание одного рас плава в другой и их перемешивание, либо частичное сдергивание расплава и механическое повреждение вырашенного слоя стенками контейнера, что ухудшает условия смачивания для следующего расплава и приводит к возникновению дефектов в многослойных полупроводниковых структурах,С целью уменьшения дефектов изготовляемых структур предлагаемое устройство снабжено дополнительной соединенной с контейнером камерой с поршнем, в которую помещены держатели подложек, образующие ка нал, соединяющий камеру с резервуаром для отработанных расплавов. крывается соединительный каналЗаказ 893/79 Тираж...

Номер патента: 466816

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Горина, Калюжная, Кузнецов, Максимовский, Никифоров

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивания, пленок

...в замкнутом объеме с независимо контродируемыми источниками паров компонентов иди примесей.2На чертеже изображена принциниадь ная схема установки, работающей по предлагаемому способу.П р и м е р . Изгоговдение р=,Ф м, +аэО р - р- Ь- у 1 а переходов в , соединении СОТеВ кварцевую обезгаженную ампулу 1 помещают 3-5 Г чистого иди дегированного теддурида кадмия, на щдаждаелую подэз ставку 2 кладут механически подированную подложку 3 размером 1 х 1 см и годшиной 1,5 мм, а в боковой отросток 4 амйуды вводят летучий компонент Сд иди Те . После этого ампулу вакуумируют, оф 40 заполняют чистым водородом, герметизируют и помещают в печь 5 сопротивления, На боковой отросток ампулы надевают печь 6 соцротивдения. Кроме того, в ампуду...

Номер патента: 646389

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Бочкарев, Гимельфарб, Коробов, Лупачева, Маслов

МПК: H01L 21/36

Метки: градиентом, монокристаллов, наращивания, полупроводниковых, состава, эпитаксиального

...вдвух направлениях; собственно варизонныйэпитаксиальный слой 8,Таким образом,роцесс наращивания варизонного слоя складывается из трех этапов: наращивание в течение времени т, буферного слоя (фиг, 1, а); наращивание пере.ходцого слоя в течение временит переходного слоя переменного состава в двух направлениях из перемещающегося составного источника переменного состава (фиг. 1, а );наращивание собственно варизоцного слояв течение времени тв из неподвижного источника переменного состава (фиг. 1, б).Согласно предлагаемому способу выращивацце эпитаксиальной структуры с градиентом состава в плоскости роста эпитаксиального слоя производят при использовании твердого источника с градиентом состава по поверхности, скомпонованного в графитовом...

Номер патента: 1127486

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Михайлов, Мищенко, Щекочихин

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивания, пленок, полупроводниковых, соединений, эпитаксиальных

Способ выращивания эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений, включающий испарение соединения в вакууме с последующим адиабатическим расширением пара, ионизацию пара, его ускорение электрическим полем, осаждение пленки на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения эпитаксиальных пленок неконгруэнтно-испаряющихся многокомпонентных полупроводниковых соединений с заданным изменением стехиометрического состава по толщине пленки, пары испаряемых отдельно компонентов смешивают перед их адиабатическим расширением.

Номер патента: 524492

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивании, газовой, диэлектриков, зоне, кислорода, кислородсодержащих, летучих, полупроводников, реакционной, слоев, соединений, фазы, эпитаксиальных

Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков, отличающийся тем, что, с целью выращивания полупроводников и диэлектриков в атмосфере с содержанием кислорода и летучих кислородсодержащих соединений меньше 1 ppm, очистку производят в реакционной зоне в процессе выращивания путем введения в газовую фазу реакционной зоны контролируемого количества элемента, не являющегося электрически активной примесью и образующего прочные соединения с кислородом, например алюминия, при выращивании полупроводников типа A3B5.