H01L 21/34 — изготовление приборов на полупроводниковых подложках с примесями или без них, например с примесями легирующих материалов, кроме приборов, предусмотренных в

Номер патента: 112955

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Федоров

МПК: H01L 21/34

Метки: детекторов, контактных, полупроводникового, свинца, сернистых, соединений, типа

...пз сернисты 5; соединений свинца, меди и,и цинка, пе обладают достаточно ЧУВСТВИТЕГ 1)НОСТЬ 0 И УСТОЙНпОСТ 1работе.Описанны ниже спосоо по.учеНИ 5 ИО,11 ИРО 0;(НИ 1 ОНОГО МЯТЕ РИЯ,Л на оспое тк же соединений позволя(т улучшить электрические сойста крист(1,Г 0.С:огласил изооретению, иримсия(-ся сл;(уюп(ая рецептура и теки О,0 Г и 5 и 3 Г От О. е н и я п О,м и р О О,- Н 1 коого материала.Порошкоооразная см(сь, со(тавл енГЯ 5, Гз 2(1 ес. и. СьчнЦл. 3 с. 1. сры и (1,2 ес. ч. (5 1(" ) мяр- ГЛИЦОКПС,ОГО КЯЛИ 51 КЛ 1(Т Окис.н(тел 51, прока.ия(.тся при т)1- перятуре(.: -80 до и рекрац( - НИ 5 ВЫДЕ,1 НИ 5 ГЯЗОВ,Г 1 Ос, е м ед,1 е н и О ГО О.к, л )к д е и и 51 млтСИЯ.1 Готод.151 изГОтолни детекторов. Медные и ципкоы соединения получаются...

Номер патента: 176989

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Грехов, Лебедева, Линийчук, Тучкевич, Физико, Челноков, Шуман, Якивчик

МПК: H01L 21/34

Метки: алюминияв, диффузии, источника, кремний, создания

...А 40, с окислами каких-либо переходных металлов (Г, Та, Т),), Со н т,д).Прн высоких температурах присутствие паров окислов указанных металлов облегчает восстановление алюминия и несколько повышает его концентрацию.Предложенный способдифф 1 зни алюмння нзслужить для получения цводниковых приборов. Многослойные структуры, ндпрнмер, тнпд р-)г-р н )г-р-)г-р-и с регулируемой поверхностной концентрацией получают следующим путем.Предварительно проводят ннзкотемператур. ную диффузию бооа нлн фосфора нд воздухе, а затем на обе стороны пластины ндносят азотнокислый алюминий и проводят дальнейшую высокотемпературную диффузию на воз духе для создания р-и переходов требуемой 1 луои 1 ы. Дпффузн 51 оора н ал)омннн 51 прн этом идет сдновременно,...

Номер патента: 730200

Опубликовано: 07.06.1981

Авторы: Зарубин, Кляцкина, Кожух, Трунов, Шлимак

МПК: H01L 21/34

Метки: германиевых, низких, темпиратур, термо-сопротивлений

...с усилием ие более 3.10 4 кг.Деформацию осуществляют в напранлении(111) . После снятия нагрузки образец у охлаждают со скоростью меньше10 град мин. Величину пластическойдеформации определяют в процессеобработки. Дополнительный контрольвеличины деформации осуществляют после охлаждения образцов. Деформированную таким способом шайбу германияшлифуют и затем вырезают из нее образцы и наносят контакты на плоскости, параллельные оси (111), таким образом, что электропроводимость осуществляется в плоскости (111), Электрические контакты к образцам наносятстандартнцми методаьп.На Фиг. 3. представлена криваязависимости электросопротивления оттемпературы, которая соответствуеттермосопротивлению, изготовленномуиэ материала,...

Номер патента: 849338

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Кожух, Рывкин, Трунов, Шлимак

МПК: H01L 21/34

Метки: германиевых, низких, температур, термо-сопротивлений

...осуществления электропроводности в области сверхнизких температур (менее 1 К). Поэтому сопротивления таких образцов велики и с понижением .температуры достигают практически трудноизмеримых величин. Верхняя граница величины деформации (47/ю) обусловлена тем, что практическое использование деформаций сжатием на величину больше 47/ю приводит к разрушению германиевой заготовки.Выбор исходного материала с удельным сопротивлением не меньше 0,01 ом,см вызван тем обстоятельством, что удельное сопротивление 0,01 ом см соответствует переходу полупроводник-металл, т.е. при Р(0,01 ом см характер температурной зависимости электропроводности легированного германия меняется от активационного (зависящего от температуры) на металлический, не зависящий...

Номер патента: 686556

Опубликовано: 15.06.1984

Авторы: Соболев, Шек

МПК: H01L 21/34

Метки: структур

...в большой мере от таких загряэнений, Кроме того, нанесение тлько с одной стороны пластины слоядвуокиси кремния толщиной не менее2 мкм приводит к возникновению термодефектов.Это ухудшает параметры структурыи снижает воспроизводимость,Целью изобретения является улучшение параметров структур и повышение их воспроизводимости,Поставленная цель достигаетсятем, что по предложенному способуобе термообработки пластины проводятв галогенсодержащей среде, послепервой термообработки осуществляютстравливание образовавшейся двуокисикремния с поверхностей пластины,затем на одну из сторон пластины наносят пленку двуокиси кремния, легированную бором, а на другую сторонупленку двуокиси кремния, легированную фосфором, и пластины...

Номер патента: 1712986

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Белозубов, Козин, Ульянов, Чистякова

МПК: H01L 21/34

Метки: механических, перемещений, полупроводникового, преобразователя

...равную величине О зазора. Вторым окислением создают пленку Я 02 толщиной 0,4 - 0,5 мкм, вытравливают окна под щели собоих сторон пластины и травят в них кремний на глубину 1252 мкм.После третьего окисления нэ глубину 0,2 - 0,3 мкм формируют в щелях участки ЯО 2, соотетствующие перемьчкам, и травят кремний с двух сторон пластины до образования сквозных щелей и утоньшенных перемычек толщиной 20+2 мкм. Напылением и1712986 Составитель Е.ПановРедактор А.Долинич Техред М.Моргентал Корректор Э.Лончаковэ Заказ 538 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 фотолитографией формируют...

Номер патента: 1407325

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Айзенштат, Игнатьев, Кожинова, Романова

МПК: H01L 21/34

Метки: полупроводникового, прибора, размерами, субмикронными, управляющего, электрода

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА С СУБМИКРОННЫМИ РАЗМЕРАМИ УПРАВЛЯЮЩЕГО ЭЛЕКТРОДА, включающий создание омических контактов, формирование первого и второго маскирующих слоев, один из которых является металлом, с субмикронным зазором между ними, электрохимическое осаждение дорожки управляющего электрода, удаление маскирующих слоев, выделение на полуизолирующей подложке активной области прибора, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности металлических дорожек управляющего электрода, выделение на полуизолирующей подложке активной области проводят перед созданием омических контактов, электрохимическое осаждение металлической дорожки управляющего электрода проводят одновременно на активную область прибора и на...

Номер патента: 1820790

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Володин, Каминский, Сосова

МПК: H01L 21/34

Метки: моносульфида, основе, полупроводниковых, самария, тензорезисторов

...материала чувствительного элемента тензорезистора известно и применяется при производствефольговых неметаллических тензорезистоЗ 5 ров для увеличения их электросопротивления, а не для уменьшения ТКС, Никакихданных об изменении ТКС при примененииэтого технологического приема нет. Совокупность существенных признаков предла 40 гаемого изобретения позволяет врезультате их взаимодействия устранить отрицательное влияние оказываемое краевыми участками тензорезистора, что приводитк достижению цели, укаэанной в формуле45изобретения.На фиг.1 изображен тензорезистор и нанем пунктиром отделены удаляемые участки чувствительного слоя элемента (а - подложка, б - контактные площадки, в - тензочув 50 ствительный слой из ЯвЯ); на фиг.2представлена...

Номер патента: 835268

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Вигдорович, Говорухин, Малюков, Молодцов, Петрова

МПК: H01L 21/34

Метки: давления, датчиков, полупроводниковых

1. Способ изготовления полупроводниковых датчиков давления, включающий выращивание маскирующего слоя двуокиси кремния на пластине кремния, его травление, формирование тензорезисторов и присоединение выводов, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса изготовления и улучшения качества полупроводниковых датчиков, после формирования тензорезисторов на обратной стороне пластины кремния располагают кристаллодержатели, на поверхность которых наносят слой стекловидного диэлектрика, коэффициент линейного термического расширения которого согласован с коэффициентом линейного термического расширения кристаллодержателя, спаивают их вместе при температуре не более 1000oC, формируют...

Номер патента: 1007546

Опубликовано: 10.06.2007

Авторы: Соболев, Шек

МПК: H01L 21/225, H01L 21/34

Метки: p-n-p-n, структуры

Способ изготовления p-n-p-n структуры в окисляющей атмосфере, включающей отмывку поверхностей пластины кремния n-типа проводимости, диффузию в галогенсодержащей среде акцепторных примесей, стравливание двуокиси кремния с поверхности пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структуры и повышения их воспроизводимости, перед операцией отмывки осуществляется полировка поверхностей пластины, после отмывки окисляют пластину в галогенсодержащей среде и стравливают образовавшуюся двуокись кремния с поверхностей пластины, затем на обе стороны пластины наносят пленку двуокиси кремния, легированную акцепторными примесями, после стравливания двуокиси кремния с...