Способ отжига ионно-легированных полупроводников

Номер патента: 1597067

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Вихарев, Иванов, Степанов

МПК: H01S 3/097

Метки: газовый, накачкой, свч-излучением, уф-лазер

...УФ-лазер работает следующим образом,СВЧ-излучение накачки от генератора направляют на зеркало 1 вдоль его главной оптической оси, в плоскости симметрии, при этом зеркало 1 фокусирует СВЧ-излучение в ограничоенной области пространства вдоль ог(гической оси резонатора 3 и 4, По достижении СВЧ-мощностью порогового значения в активной среде 2 происходит зажигание протяженного СВЧ-разряда. выСоставитель В,ИваноТехред М.Моргентал Редактор Т,ГорячеваЗак Корректор М,Самборска аз 2829 Тираж ", ПодписноВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и откры113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 при ГКНТ С льский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 1 раизвоЛ;вео-л тянутого в направлении, перпендикулярном направлению...

Номер патента: 884498

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Кибалина, Придачин

МПК: H01L 21/423

Метки: отжига, полупроводник-диэлектрик, структур

1. Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик, включающий операцию импульсного облучения подложки с нанесенной на нее диэлектрической пленкой, отличающийся тем, что, с целью предотвращения повреждений структур, облучение проводят излучением, равномерно поглощающимся и в пленке, и в подложке.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят электронами с энергией 5 - 10000 кэВ.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят протонами с энергией 10 - 2500 кэВ.4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что облучение проводят ионами с энергией 15 - 1000 кэВ.5. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят фотонами с энергией E в диапазоне...

Номер патента: 1559983

Опубликовано: 09.01.1995

Автор: Маковийчук

МПК: H01L 21/66

Метки: ионно-легированных, операционного, слоев

СПОСОБ ОПЕРАЦИОННОГО КОНТРОЛЯ ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫХ СЛОЕВ, включающий пропускание постоянного стабилизированного электрического тока через ионно-легированный слой, измерение разности потенциалов и ее флуктуаций и определение по ним электрофизических параметров слоя, по которым судят о его дефектности, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и экспрессности измерений, а также повышения их информативности, разность потенциалов и ее флуктуаций измеряют совместно за один цикл пропускания тока, выделяют 1/f составляющую шума из спектра флуктуаций, на основании полученных значений определяют сопротивление слоя, спектральную плотность флуктуаций типа 1/f и их взаимосвязь.

Номер патента: 336617

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Плаксий, Светличный, Харьковский

МПК: G01R 29/08

Метки: индикатор, свч-излучения, термопарныи

...острие 3, холодьг спай 4, металлический штифт 5.Принцип работы устройства состоит в следующем. При протекании высокочастотного тока через горячий опай 2, выполненнь;й в виде точечного контакта, температура последнего повьгшается вследствие большой плотности тока в приконтактной области, в то время как температура холодного сная 4, выпол енного в гиде контакта большой площади, практически пе изхгеггяется. В результате в полуметаллическом кристалле 1 возникает градиент тсмпсратуры и соответствующая термоэлектродвижущая сила, которая служит мерой индуцируемой высокочастотной мощности. Применение в качестве рабочего тела полуметалла позволяет получить большее по сравнению с металлическими термопарами выходное напряжение, поскольку...

Номер патента: 1242855

Опубликовано: 07.07.1986

Авторы: Аскарьян, Батанов, Бережецкая, Большаков, Дорофеюк, Иванов, Коссый

МПК: G01R 29/08

Метки: измеритель, импульсной, мощности, плотности, потока, свч-излучения

...40 в виде диэлектрика 5 (или диэлектрика 5 с металлическими вкраплениями) или облачка газа или плазмы, создаваемого импульсным напуском посредством облучения лучом лазера б или посред ством испарения вещества / или элект 1 ода 4 при помощи вспомогательного электрода 8, на который подается вы- со 1 совольтньтй импульс напряжения относительно электрода 4, а также из- ,."р, меритель 9 напряжения.Измеритель импульсной мощности и плогности потока мощности СВЧ-.излучения работает следующим образом.55При воздействии СВЧ-излучения вкамере 1 у поверхности диэлектрика 5образуется плазменная корона 10, с которой через отверстие в диэлектрике 5 или сбоку контактирует электрод 4. Электрод 4, контаКтируя с горячей плазмой, рождает дугу и принимает...