H01L 21/304 — механическая обработка, например шлифование, полирование, резка

Номер патента: 208135

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Зайдель, Фейгинов

МПК: H01L 21/304

Метки: пластин, полупроводниковых, проскрайбированных, разламывания

...ожку и ве мости от т ичин ебуе кое качеств сти процесс на элемент рачную плеопераций ондовых и о лома, так ы, оснку и(раз- змереПредмет изобретения Для разламывания проскрайбированной полупроводниковой пластинки ее укладывают на упругий элемент и прокатывают валиком. Другой способ заключается в том, что пластинку наклеивают на всевозможные подложки: стальную ленту, вощеную бумагу., пленку из пластиката и т. д., и огибают по цилиндрической или рифленой поверхности.Предлагаемый способ позволяет повысить производительность и качество получаемых кристаллов и заключается в следующем.Пластинку помещают между прозрачными пленками, которые механически скрепляют между собой. После этого упакованная плас 1 инка ориентируется относительно сетки...

Номер патента: 233104

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бабицкий, Зайдель, Фейгинов

МПК: H01L 21/304

Метки: пластин, полупроводниковых, проскрайбированных, разламывания

...а рычаг 14, поворачиваясь, возвращает диск б в исходное положение,Отклонение электродвигателя 10 производится нажатием рычага 26 на конечный выключатель 27.Механизм перемещения осуществляет перемещение ломочного ролика относительно обрабатываемой пластины. Механизм представляет собой стол с шариковыми направляющими, Движение от электродвигателя 28 передается через шестерни 29 - З 1 ходовому винту З 2 и с помощью гайки ЗЗ - салазкам З 4,Отклонение двигателя в крайних положениях салазок производится с помощью упоров З 5 и конечных выключателей Зб,Механизм нагружения предназначен для создания на ломочном ролике усилия, необходимого для разламывания пластин. Механизм состоит из корпуса З 7 и салазок З 8, перемещающихся в шариковых...

Номер патента: 255386

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Баграмов, Животовский, Рогов, Скрипко, Френкель

МПК: H01L 21/304

Метки: алмазных, кругов, отрезных, положения, стабилизации

...невозможно у 1 странить натяжением обоймы.Целью настоящего изобретения является 25 создание устройства, обеспечивающего точную стабилизацию отрезных кругов в процессе работы.Для этого по окружности кругов размещают кольца с заостренными крэмками, являю- ЗО щиеся одним полюсом крута, Вторым полюсом является сам круг, который изготавливают из магнитного материала.На чертеже конструктивно изображено предлагаемое устройство.На внутренней поверхности корпуса 1 по окружности установлены кольца 2 с заостренными крэмками, являющиеся одним из полюсов электромагнита. К коопусу прикреплена крышка 3. Под кромками колец 2 в одной плоскости с ними установлены отрезные круги 4, выполненные из магнитного материала, которые являются вторым полюсом...

Номер патента: 307445

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Долгов, Савельев, Смирнов

МПК: H01L 21/304

Метки: механической, полупроводникового, слитка

...снижаются потери полупроводникового материала от брака. 5 20 25 Предмет изо б р е те н Способ механич проводникового аявлено 13.1,1970 ( 14 с присоединением заявкиубликовано 21.71,1971. Бю Дата опубликования описан СОБ МЕХАНИЧЕСКОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, например фотопреобразователей, где требуется механическая обработка одной стороны кристалла.Известны способы механической обработки полупроводниковых кристаллов, сущность которых заключается в следующем: моно- кристаллические слитки, например кремния, германия, арсенида, галлия, представляющие собой стержни определенной длины и диаметра, разрезаются на диски требуемой толщины. После резки диски промывают, сортируют по...

Номер патента: 355758

Опубликовано: 01.01.1972

МПК: H01L 21/304, H05K 3/00

Метки: 355758

...11. На вертикальной оси в верхней части каретки закреплен поворотный стол 12, который может за нимать два фиксированных положения - О и90, что обеспечивает разворот изделия для продольного и поперечного резов. На столе смонтирован узел И для размещения и фиксации изделий, разворачивающийся с помощью 10 винта 14 и пружины 15 на угол-+4 для установки изделия по визирной линии окулярного микрометра микроскопа (на чертеже не показан). На боковой поверхности стола в направляющих типа ласточкин хвост установлены 15 двое салазок 1 б, перемещающихся в продольном направлении микрометричеокими выводами 17 и 18, связанными через зубчатую муфту 19 с рукояткой узла настройки 20. На салазках с помощью двух базовых штифтов 20 устанавливают сменные...

Номер патента: 433570

Опубликовано: 25.06.1974

Авторы: Митрофанов, Смирнов, Чеховской

МПК: H01L 21/304

Метки: выступающих, дефектов, поверхности, слоев, удаления, эпитаксиальных

...удаляя выступающие дефекты, могутповредить эпптаксиальный слой.Цель изоорстения - создание способа, позволяющего повысить качество поверхностиэпитаксиальных слоев, т. е. удалить острые10 выступающие дефекты без влияния на остальную поверхность эпитаксиального слоя,Это достигается тем, что предварительновсю поверхность эпитаксиального слоя окисляют, а шлифование осуществляют с по 15 мощью плоского полировальника с канавкаНа чертеже схематически представлена полупроводниковая пластина с эпитаксиальнымслоем на операции обработки с помощью20 плоского полировальника,По предлагаемому способу после эпитаксиального выращивания слоя 1 на полупроводниковой пластине 2 всю поверхность эпитаксиального слоя 1 окисляют. Окисел выполня 25 ет функцию...

Номер патента: 435925

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Катюков, Пекарев, Ушаков, Чист

МПК: H01L 21/304

Метки: 3hoileptq8i, алмазоподобной, кристаллическойрешеткойвп, монокристалловс, тбфонд, шлифовки

...на определенный угол. Однако полностью исключить отклонение от прямолинейного направления шлифовки и неравномерность съема материала невозможно,Цель изобретения - улучшение качестваповерхности и повышение скорости шлифования,молинейное движение с периодичесротом на заданный угол без отрываот шлифовальника. Способ шлифовки состоит в том, что подложка движется поступательно относительно шлифовальника по многоугольнику. Каждая сторона многоугольника - это кристаллографическое направление (1 Л/1 Ч), входящее в семейство заданных направлений (1.1 Ъ%). При этом все точки поверхности подложки шлифуются кристаллографически одинаково, Например, для подложки, ориентированной поверхностью по (111), задано направление шлифовки (110). Тогда...

Номер патента: 510059

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Еременко, Никитенко, Пронин, Якимов

МПК: H01L 21/304

Метки: емкостью, переменной, полупроводниковых, приборов

...форлы с углом при вершине 90-140. При этом деформирование проводят таким образом, что эсь изгиба Ю 1 перпендикулярна болынему ребру образца, а угол изгиба пластинки определяется выбором формы матрицы и пуансэйа. После этого кристалл пэвгэрцэ обрабатывают вполнрующем растворе. Электрические контакты присоедицяюг к деформированному материалу в мест сэприкосцовеция с центральной опорой и к участку, расположенному вне опор, методом гермэкэмпрессии с образованием шарика либо точечной сварки, 13 качестве контактного магерцала прил.ецяют золото с сэогвегсгвуюшимн присадками эОписанный способ позволяет получить р-п-переход, плэшадх которого изменяется с напряженнем, Природа этого изменения. сост ит в следуюшем:, геометрия изгиба выбрана Ж...

Номер патента: 1116913

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Беккер, Кашкаров

МПК: B28D 7/00, H01L 21/304

Метки: микрокристаллов, шлифования

...в контакте с держателем микрокрцстазсзса оУстройство поясняется чертежом.УстроистВО Включает оправкУ. 1, микрокристалл 2, держатель 3 микрскрис" азсзса поворотную обойму с) фиксируюСссй всс 5 рсса6 стойкг сменные грузы 8, ось 9, микрометрический и 5 Дикатос 10. подсиНиик 11, ось 12, поворотно-рычажный мехацизм 13, электродвигатель 14 шлиоваль 11 ый инстр )мссцт 15, дссск 16, Вал 17, )содшипцик 18 стОЙку 19 ссриксзи 05 Ну систему 20, шкив 21 электродвигатель 22, кожух 23, стойку 24 и плц 25Устройство содержит оправку 1,предна.значецную дпя 51 ксацсш микро- кристалла 2, жестко закрепленную в нижнем торце держателя 3, перемещающегося вертикально з поворотной обойме 4. (с)иксирующссйс Винт 5 закрепзсяет держатезсь 3 в верхнем положении...

Номер патента: 1784105

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Абакумов, Гривач, Коган

МПК: H01L 21/304

Метки: бесцентрового, диаметра, различного, шлифования

...круга получает вращение и прижимается к шлифовальному кругу. Недостатком известного устройства является жесткое крепление опорного ножа, требуют е ручной перестановки при изменении диаметра обрабать(ваемой детали, что не позволяет его эффективно использовать в производстве с часто меняюЩейся номенклатурой изделий.Наиболее близким по решаемой 3 к заявленному устройству является ус ство для бесцентрового шлифования иаметрэ, содержащее шлиий барабаны и опору в виде ом данного устройства явмость перенастройки опооде на другой диаметр ) йУстройство работает следующим образом,Дискретный привод 7 поворачивает кулачки 6 и выдвигает упоры 5 на размер, пропорциональный диаметру обрабатываемого монокристалла 8, так чтобы ось моно- кристалла 8...

Номер патента: 1787295

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Дереченик, Кононов, Олтушец, Пеньков, Полонин, Яцук

МПК: H01L 21/304

Метки: интегральных, кристаллами, пластин, полупроводниковых, приборов, схем, утонения

...стороны пластины с плоскостью держателя, Кроме того, нанесение защитного покрытия на планарную сторону пластины не улучшает ее геометрию в части прогиба и клина по отношению к держателю, на котором пластина крепится для проведения механического утонения. Поэтому в процессе закрепления ее на держателе происходит механическая деформация пластины с изме-. нением исходных геометрических параметров, это приводит к нарушению металлизации и соответственно к снижению выхода годных на операции "функ 1 ионирование".Целью изобретения является повышение выхода годных за счет исключения разрушения пластины и кристаллов.Цель достигается тем, что по способу водниковых приборов и интегральных схем, включающему нанесение высокомолекулярного соединения...

Номер патента: 1831730

Опубликовано: 30.07.1993

Автор: Рогов

МПК: H01L 21/304

Метки: абразивной, группы, полупроводниковых

...жидкость в количестве 0,5 - 3,0%.Поскольку СОЖ поступает непосредственно в зону контакта абразивного инструмента с полупроводниковым материалом, наличие вещества, взаи. ддействующего с газообразными токсичными соединениями, позволяет снизить уровень выделения вредных веществ с атмосферу, т.е. улучшает условия труда. Так, при резке или шлифовании арсенида галлия выделяется арсин, который химически взаимодействует с раствором перманганата калия с образованием водо- растворимой соли мышьяка.В качестве добавок можно использовать бихромат калия, углекислый калий и е р. На станкв-резке "АлмазМ" резку монокристалла арсенида пластины с помощью алмазного1831730 Составитель В.РоговТехред М.Моргентал Корректор Л.Пилипенко Редактор Заказ 2553 Тираж...

Номер патента: 2001465

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Завадская, Кошевар, Мазина, Рагозин, Федоренко, Хохлов

МПК: H01L 21/304

Метки: кремния, пластин, полирования

...без эамшевидного покрытия обеспечи 200465вает более грубую обработку нерабочей по- После суперфинишного полирования и верхности по сравнению с рабочей, т.е. очистки был проведен контроль локальной обеспечивает наличия слоя с геттерирую- плоскостности на установке гчТЧ. На 80 щими свойствами, пластин отклонение от плоскостности наОбработку проводят на станках АР. 5 участках площади(10 х 10) мм не превышаНа финишном полировании используют етмкм не менее, чем на 90 ф рабочей полизоовальник плотностью не менее 0,30 поверхности каждой пластины. Оценка шег/см типа "5 оЬа". Пластины располагают роховатости пластин при контроле рефлекрабочей поверхностью вверх. Полирование тометрическим способом свидетельствуют проводят в течение 35 -...

Номер патента: 2002338

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Валеев, Илларионова, Сидоренко

МПК: H01L 21/304

Метки: заготовок, пластин, полирования, полупроводниковых, стеклянных, химико-механического

...волокон при их содержании от 30 до 100 и высокоусадочн ых полиэтилентерефталатных волокон при их содержании до 70%, пропитанный полиуретаном при его содержании в материале от 15 до 650 .П р и м е р 1, Укрепляют пластину кремния на держателе, полировальный материал - на притире, В качестве полировального материала используют нетканый иглопробивной материал, состоящий из смеси малоусадочных полиэтилентерефталатных ф ормул а и зо бр ете н и я СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН И СТЕКЛЯННЫХ ЗАГОТОВОК, включающий укрепление полируемого материала на держателе и полировальника на притире с последующим их контактированием при взаимном вращении и непрерывном нанесении полировального состава на полировальник,...

Номер патента: 1738035

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Аросев, Комкова, Рогов, Шереметьев

МПК: H01L 21/304

Метки: полупроводниковых, структур

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий наклейку пластин на план, утонение пластин до заданной толщины путем обработки нерабочей стороны, разделение пластин на отдельные структуры, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей способа и повышения выхода годных, перед наклейкой пластин на план на рабочей стороне пластины по ее периферии дополнительно жестко закрепляют кольцевой держатель, внутри которого наклеивают диск с зазором, и одновременно шлифуют торцевые поверхности кольцевого держателя и диска до их выравнивания, а перед разделением пластин удаляют диск путем его отклеивания и проводят металлизацию нерабочей стороны пластины, при этом диск выполняют из того же материала, что и...

Номер патента: 1123474

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Власов, Гопкало, Самойленко, Тетерьвов

МПК: H01L 21/304

Метки: круглых, пластинах, фаски

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФАСКИ НА КРУГЛЫХ ПЛАСТИНАХ, содержащее притир, имеющий возможность вращаться вокруг своей оси, головку с наклонными цилиндрическими отверстиями, стальные цилиндрические держатели обрабатываемых пластин, имеющие возможность входить в отверстия головки, и привод вращения держателей, отличающееся тем, что, с целью повышения качества обработки, каждое цилиндрическое отверстие снабжено подвижной немагнитной втулкой, соосно с которой в верхней и нижней частях головки установлены электромагниты.

Номер патента: 1766212

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Башевская, Белов, Рогов, Савостьянова, Тюнькова

МПК: H01L 21/304

Метки: полупроводниковых, структур, утонения

СПОСОБ УТОНЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий операции механической обработки и полирующего травления нерабочей стороны, отличающийся тем, что, с целью повышения точности обработки и повышения выхода годных структур, операции повторяют, до и после последней операции травления измеряют неплоскостность поверхности, причем последнюю операцию механической обработки проводят на глубину не более 50 мкм, а последнюю операцию полирующего травления проводят на глубину, обуславливающую увеличение неплоскостности в 2,0 - 5,0 раз по сравнению с предыдущей механической обработкой.

Номер патента: 1340492

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Воронков, Енишерлова-Вельяшева, Мильвидский, Резник, Русак, Шмелева

МПК: H01L 21/304, H01L 21/322

Метки: геттерирующими, кремниевых, объеме, пластин, пластины, центрами

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН С ГЕТТЕРИРУЮЩИМИ ЦЕНТРАМИ В ОБЪЕМЕ ПЛАСТИНЫ, включающий проведение двухступенчатого отжига при температурах в диапазоне 650 750oС и 950 1050oС в течение 3 4 ч на каждой стадии, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа для кремния с содержанием кислорода 5 1015 9 1017 см-3, перед отжигом при 950 1050oС с обеих сторон пластины механической обработкой создают приповерхностные области, состоящие из системы микротрещин, произвольно направленных и...

Номер патента: 1829770

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Заболотская, Рогов, Савушкин, Смирнов

МПК: H01L 21/304

Метки: доводки, пластин, полупроводниковых

...маслом, затем на нем устанавливают зубчатые колеса 2 и 4 (е=З мм, =22, гэ=105), между которыми размещают четыре колеса-сателлита 3 (хг=38), обеспечивая зацепление между ними. В отверстиях 5 ко лес 3 размещают четыре спутника с пластинами, Прижимной диск 8 с прокладкой 11 совмещают с колесом 2, добиваясь размещения шпильки 9 в отверстия 10 колеса, Ось вращения прижимного диска 8 помещают в 30 направляющую штангу корпуса на расстоянии - 150 мм от оси вращения доводочного диска. Посредством кронштейнов 12, сохраняя равномерность перемещения колес- сателлитов 3 между колесами 2 и 4, внешнее 35 колесо 4 жестко закрепляют на корпусе 13устройства.Создают давление на пластины из расчета Р=6,0 кПа. Доводочный диск приводят во вращение с...

Номер патента: 1241940

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Богданов, Зубринов, Ковригин, Никифоров, Сапожников, Шелопут

МПК: H01L 21/304

Метки: пластин

Способ изготовления пластин, включающий крепление пластин на планшайбе и поочередные шлифование и полирование сторон пластин, отличающийся тем, что, с целью улучшения геометрических параметров пластин, их крепление после полирования одной стороны осуществляют нанесением на полированную сторону прозрачной плоскопараллельной планшайбы слоя прозрачного клеящего вещества и притиранием пластин по этому слою к планшайбе, причем неплоскопараллельность слоя клеящего вещества между планшайбой и пластиной, которую измеряют через другую сторону планшайбы интерференционным методом, после притирания пластины не должна превышать величины, соответствующей одному интерференционному кольцу.

Номер патента: 1797409

Опубликовано: 20.01.2000

Авторы: Волков, Котелянский

МПК: H01L 21/304

Метки: диэлектриков, полирования, полупроводников, состав, химико-механического

Состав для химико-механического полирования полупроводников и диэлектриков, содержащий наполнитель, загуститель, комплексообразователь, травящий реагент и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обрабатываемой поверхности, производительности процесса, уменьшения токсичности и коррозионного воздействия, в качестве травящего реагента использована ортофосфорная кислота, при следующем соотношении компонентов, мас.%:Наполнитель - 15 - 30Загуститель - 5 - 10Ортофосфорная кислота - 0,06 - 12Комплексообразователь - 0,003 - 6,4Вода - Остальное

Номер патента: 1213907

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Жалнин, Кафтанатьев, Нестеров, Скворцов

МПК: B24B 51/00, H01L 21/304

Метки: монокристаллов, шлифования

Устройство для шлифования монокристаллов, содержащее шлифовальный круг, стол для закрепления обрабатываемого изделия и фотоприемники инфракрасного излучения, отличающееся тем, что, с целью повышения выхода годных, стол для закрепления обрабатываемого изделия выполнен с окном, прозрачным для инфракрасного излучения, а фотоприемники инфракрасного излучения размещены с возможностью оптической связи с окном стола.