H01L 21/50 — сборка полупроводниковых приборов с использованием способов или устройств, не предусмотренных ни одной из подгрупп

Номер патента: 220374

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Павленко

МПК: H01L 21/50

Метки: полупроводниковыхприборов, производства

...4 получают вращение валы б и б, на которых расположены кулачки 7, 8 и 9.Ориентированные ножки из вибробункера попадают в загрузочную дорожку и по ней - на исходную позицию.С помощью кулачка 10 захват 11 подходит к исходной позиции, захватывает ножку, подает ее к месту приварки и, опускаясь вниз, дает возможность фиксировать ее двумя стержнями 12. Шток 13 механизма фиксации и развода выводов, который работает от кулачка 8 через рычаги 14 и 15, стержнями 12,укрепленными на нем, фиксирует ножку, со. храняя свободное состояние и двигаясь дальше, рычагами 1 б разводит выводы ножки. Кулачок 7 подает ловитель 17 с электродом 18 к ножке. При попадании выводов ножки в пазы ловителя шток 13 отводит рычаги, давая возможность пройти электроду и...

Номер патента: 270898

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Аксененков, Бовыкин, Бородулина, Колесников, Крупко, Кузнецов, Сафонов, Свергунов, Тулинов, Филимонов, Царенко, Цыков, Чупрнков, Шейнов

МПК: H01L 21/50

Метки: диодов, линия, полупроводниковых, сборки

...и шлюзами для выполнения некоторых ручных операций соорки диодов.Устройство для присоединения к ленте в зоне оформленного кристаллодержателя баллона диода выполнено также в виде двух линейно расположенных механизмов, обслуживаемых оператором. Оно содержит направляющую 38 для ориентированного перемещения ленты, механизм 39 контактной конденсаторной сварки с двумя подвижно смонтированными в вертикальной плоскости электродами, один из которых выполнен регулируемым, а также комплект сменных кассет 40 с установочными штифтами и съемными электродами 41.Устройство для обжима и проварки трубки45 50 55 60 65 5баллона выполнено в виде пресса и механизма контактной конденсаторной сварки, которые приводятся в действие посредством...

Номер патента: 287204

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Кайбанов, Центер

МПК: H01L 21/50

Метки: интегральных, систем, схем

...впечатываться на пло 1 цади, занимаемой каждой интегральной схемой, мцои"ество которых расположено ца полк проводниковой пластине. Для каждоц интегральной схемы в зависимости от того, как расположцлцсь дефектные компоненты на Отведенной для каждоц схемы площ 11 дке, подоцрается 1 автоматически или вручную) тот цлц иной коммунцкационцьш вариант. Далее ца фотографической установке изготовляется фото- шаблон, индивпдуальцый для каждой полупроводниковой пластицки. Отдельные коммуникационные конфигурации впечатываются проекционным методом с помощью набора орип 1 нала, прпчем источник освещения через. оригиналы и объектив образует на фотошаблоце скрытые изображения коммтццкаццоц287204 Предмет изобретения Составитель М. Лепешкина Техрсд А. А....

Номер патента: 355696

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Альперович, Кислицын, Лебига, Ордена, Россошинский, Трудового

МПК: H01L 21/50

Метки: 355696

...из выводов, цолупрсводпиковой пластины с р-гг-переходом, термокомпенсатторсв и верхнсго продольного вывода, сжатии с определенным усилием собранной структу 1 ы и устацовке 1(ассст 1.1 В печь, в которой припой, нанесенный ца кристаллодержатель, термокомпецсаторы и верхний вывод, расплавляется. При охлакдеции системы жидкая фаза кристаллизуется, и детали прибора соединяются. Недостатком известного способа является необходимость нагрева структуры в печах,Известен способ сборки полупроводниковых приборов, включающий в себя нагрев элементов прибора путем пропускация через них электрического тока. Недостатком этого способа является возможность единичного соединения для создания Омичсского кОцтакта к полупроводнику.Целью изобретения является...

Номер патента: 415757

Опубликовано: 15.02.1974

МПК: H01L 21/50

Метки: ддясраек«, ковых, лупроводни, приборов, устадовка

...схемы,; с выводами, соответственно. Корпус 1 установлен на вертикальном валу 8 в шариковых цилиндрических направляющих 9, На валу В; жестко закреплен механизм нагружения, ьклю. чающий нагружатель 10, передающий уситие на каждый инструмент отдельно, и нагружа-. тель 11:, предназначенный для восприятия соб ственного веса револьверной головки и фикса. ции инструментов на рабочеи позиции по отверстиям 12 в корпусе 1. Перемещение вала .8 с механизмом нагружения и корпусом револьверной головки осуществляется приводом, 18; содержащим шаговый двигатель 14 и винтовую пару. качения 15, кинематически связанные, между собой зубчатой передачей 16,3Установка работает следующим образом.При помощи оптической системь, состоя-. щей из микроскопа...

Номер патента: 521621

Опубликовано: 15.07.1976

Автор: Штейн

МПК: H01L 21/50

Метки: гнезде, групповой, загрузки, кассет, плоских, трафарета

...действием вибрациипредварительно совкентнрованные детали устремляются по поверх-Ности трафарета справа налево, западая вГнезда, оставшиеся пустыми после первогопропуска, и незапавшие детали беспрепят- ,ственно сбрасываются в бункер подачи 5 ла- годаря ступеньке образованной между егооснованием и плоскостью загрузки трафарета. 3"вид в плане; на фиг. Э - установка пустыхкассет и засыпка партии деталей в бункерподачи; на фиг. 4 - наклон узла загрузкисидля первого пропуска деталей и подъем бункера подачи с деталями на фиг. 6 - на-,клон узла загрузки для обратного пропускадеталей и опускание бункера подачи,Устройство состоит иэ узла загрузки(бункера), дном которого служит трафарет,(за ним) в одной плоскости, ограниченныхс трех сторон...

Номер патента: 911654

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Горобец, Нехамкин, Сальников, Яхимович

МПК: H01L 21/50

Метки: полупроводниковых, приборов

...ограничения ,перемещения ползуна 5. Над транспор 3тирующим ротором 2 расположен дополнительный механизм загрузки в виде закрепленного к основанию 19 лотка 25 фиг.1). Он наклонен к горизонтали и в плане располагается перпендику40 лярно радиусу транспортирующего ротора 2. К лотку 25 присоединен лоток26, который соединяется с лотком 25 с помощью оси 27. Роток 27 снабжен накладками 28, удерживающими крышки4529 изделий, собираемые с корпусами 7, от выпадения с лотка 26. На конце лотка 26 имеются две пружинные пластины 30 Гфиг.5). 20 50Над позицией сборки находится механизм сборки в виде фасонного ролика 31, который посредством подшипника 32 установлен на оси 33, закрепленной на кронштейне 34. Кронштейн 31 укреплен на балке 35, которая...

Номер патента: 1038984

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Иваш, Лепетило, Мурашко, Черкасов

МПК: H01L 21/50

Метки: кристаллов, основаниям, полупроводниковых, приборов, присоединения

...10 кристаллов расположен под нагревателем 3 механизма 2 подачи основний, поэтому для защиты адгезионного носителя 1 О кристаллов от воздействия температуры нагревателя 3 на тракте механизма 2 подачи оснований между нагоевателем 3 и держателем 9 адгезионного носителя 10 кристаллов закреплен узел30 16 охлаждения адгезионного носителя10 кристаллов, выполненный в виде полого экрана 17 (фиг. 3 ) с прикрепленной к нему коышкой 18 с отверсти" яйи 19 и штуцером 20 для отбора теплого воздуха от адгезионного носителя 1 О (фиг.1 и 2 ) кристаллов 21,Для компенсации возможной температурной и усталостной деформации адгезионного носителя 10 кристаллов держатель 9 адгезионного носителя 40 содержит механизм компенсации деформации адгеэионного носителя...

Номер патента: 1091260

Опубликовано: 07.05.1984

Авторы: Бобров, Кочевенко, Орлов, Пьянов, Салынский

МПК: H01L 21/50

Метки: герметизации, корпусом, крышки, металлокерамическим, микросхем, пайкой

...9, в котором размещен нагревательный элемент 10, выполненный в виде рамки из нихрома, манганина или константа, Форма которой соответствует контуру герметизации, причем нагревательный элемент выступает над плоскостью керамического основанияна 0,3-0,5 мм. Прижимная скоба 1 с закрепленной на ней пружиной 12 и индикатором 3 положения крышки 14 установлена на керамическом основании 2 При этом пружина 12 и индикатор 3 положения крышки 14 могут взаимодействовать с крышкой 14герметизируемого металлокерамического корпуса 15 микросхемы,Герметизация на предлагаемом устройстве осуществляется следующим образом,Метеллокерамический корпус 15 и крышку 14 с гибридной интегральной схемой устанавливают на керамическое основание 2 таким образом, что поясок...

Номер патента: 1135691

Опубликовано: 23.01.1985

Авторы: Папаш, Старовойтова

МПК: B65B 5/10, H01L 21/50

Метки: ориентированной, укладки, штучных

...21 отсекающая гребенка 22 с20 зубьями и упором 23. Для перемещениязубьев гребенки в ручьях выполнены щели 24,а перемычки между пазами снизу срезаны.Для подачи щтучных изделий 25 в гнезда 26, выполненные на оси 27, на выходевибролотков имеются приливы 28. Приводотсекающей гребенки 22 осуществляетсятолкателем 29. Полая ось 27 смонтированав подшипниках ползунов 30, перемещаюшихся в направляющих 10, и имеет отверстия в каждом посадочном гнезде, соединяющие эти гнезда с внутренней полостью31 оси. Для соединения внутренней полости 31 с вакуумной системой один из концов оси 27 имеет штуцер. На другом концеполой оси закреплен зубчатый сектор 32,взаимодействующий с зубчатой рейкой 33.35 Вне нарезной части рейка имеет два упора34, а...

Номер патента: 1250411

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Альтман, Головин, Дрозд, Риттенман, Рифтин, Церфас, Янкевич

МПК: B23K 1/12, H01L 21/50

Метки: высоковольтного, диода

...с ллуклу;у.л кч лл осуплссллъцлнслсъл прпллайкгл ь мкцллчлппэл с омпчсскллкллл колллаль х 111 111, 1 л 1 л 1 лк 11111 г 11 глпслл 3 хлсллльл полхлс прич лл ; -л-л 1. к лгллллллгльлся часль цлсллльл лм л мкл ллллло лльлллоцолл л;ллсклл.ллыл" л Б.1 25 л :3 нт м; рл-л улллролъалл, по ;лпллшллролкаль рсмллхл проп.лалзхлклллллн колллаклон к лслллс оса псрслрслаа плмуллролелмплллклплол слруклуръл.Нрпллир (Ъпмлгллаэл ллрлмлслтка была лэрокс лспа па учаслкс 1191 л 1 л 1 в.111111 лвьлслколло.ллл поло плода кп 117 1%ллслкилло.лллллыссл л лГэлл кп поло прибора соглоял п: 111 крсклллллспых крпсла.л.лл: с рчъллслтсхлхлохл, сол-лллллслл ллл.л ллоьхлл-длоллдлгссльлло проьнгоплшл НКЛЗ. 11 а лорпах сллл.пллллх;л лзлллл.=;лсллл...

Номер патента: 1325603

Опубликовано: 23.07.1987

Авторы: Альтман, Головнин, Рифтин, Столбов, Церфас

МПК: B23K 1/12, H01L 21/50

Метки: полупроводниковых, приборов

...импульсами,П р и м е р, Способ опробован на участке изготовления диода, кристаллы которого получают методом химического травления пластин с глубокозалегяющим р-п-переходом, Глубина р-и-перехода 90 - 100 мкм при толщине пластины 210 - 230 мкм. йорма боковой поверхности кристалла образована в результате химического разделения пластины (Лиг,1). Р-п-переход получают дивизией алюминия в и-тил с удельным сопротивлением О Омасм. ,Соосцые омические контакты разного диаметра (П = 1,65 мм, Б = 1,85 мм) ця криста 3(ях 13 ы 1 о)5 цт из Золта пчтем электрохимическаго осаждения.Пайку кристаллов к выводу вьполцяют поочередно илулт сямц прямого тока. При первой лайке используют импульс длительностью 0,35 с, а лри второй - 1 с лри одинаковой мощности...

Номер патента: 1636879

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Гарбер, Квурт, Наибов, Файнбойм

МПК: H01L 21/50

Метки: выводом, кристалла, полупроводникового, прибора, соединения

...на металлическом облуженном выводе и на полупроводниковый кристалл подают серию импульсов от генераторов измерительного и разогревающего токов. Первый импульс измерительного тока фиксирует в амплитудном детекторе с памятью величину прямого падения напряжения на разогретом кристалле. Измеритель амплитуды огибащей импульсов измерительного тока (детектор) отслеживает изменение прямого падения напряжения на кристалле при протекании через него импульсов от генера 5 10 15 20 25 ЗО 35 40 45 50 тора измерительного тока. Вычитающее устройство вычисляет разность между напряжением с детектора с памятью и напряжением с измерителя амплитуды огибающей. Эта разность является изменением падения напряжения на кристалле в процессе разогрева. Она...

Номер патента: 1711270

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Александрова, Гуськова

МПК: H01L 21/50, H05K 13/00

Метки: перемещения, прецизионного, трехкоординатное

...перемещаемое изделие,1711270 40 50 55 Поворотное устройство состоит из винтовой, герметичной, упругодеформируемой, заполненной жидкОстью трубки 10 эллиптического сечения, жестко закрепленной торцами к фланцу 11 и каретке 6. Узел регулирования давления во всех случаях одинаков. Во всех случаях сильфон и трубки, соединенные трубопроводом, заполнены жидкостью.Устройство работает следующим образом.При сжатии сильфона 4 от внешнего источника перемещения повышается давление внутри системы, состоящей из упругодеформируемых трубок 2 и 3, трубопровода и сильфона 4. Увеличение давления внутри системы вызывает изменение геометрической формы трубок 2 и 3 эллиптического сечейия, при этом уменьшается большая ось эллипса и увеличивается малая,...

Номер патента: 1739401

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Головнин, Дрозд, Рифтин, Христич, Церфас

МПК: H01L 21/50

Метки: пайки, полупроводникового, прибора, элементов

...к кристаллодержателю. Поэтому было проведено исследование влияния различных факторов, влияющих на этот режим.10 15 Яэфф=КЯ,50 55 20 25 30 35 40 45 В текущем производстве для получения воспроизводимых результатов пайку кристаллов припоем ПОСведут при 240- 260 оС, что на 60-80 С превышает температуру плавления этого припоя. Следовательно и при пайке кристаллов с помощью нагретого азота должна поддерживаться такая температура. При исследовании условий поддержания температуры пайки в диапазоне 240 - 260 С применяют припои ПОСи ПОС, имеющие соответствующие температуры плавления 260 и 240 оС,Опыт проводят в следующем порядке, Кристаллодержатели на гребенке облуживают одним из указанных припоев, При этом толщина припоя Л поддерживалась в...

Номер патента: 1753961

Опубликовано: 07.08.1992

Автор: Сасов

МПК: H01L 21/50

Метки: гибридный, многоуровневый, модуль, электронный

...закреп 4ляется механически к общей охлаждающей системе, а внешние выводные контакты 4 плат 13 имеют контакт с общейкоммутирующей платой, образуя внешниевыводы модуля,В целях увеличения плотности упаковки целесообразно использовать вы.сокую теплопроводность подложки некоторых элементов. для непосредственной.передачи тепловой энергии на теплорастекатель; На фиг.5 показан поперечный разрез такого модуля, где элемент, входящий в плату 13, имеет не-посредственный тепловой контакт степлорастекателем 18. Особенностьюданной конструкции является то, чтопроводники 5 нанесены ца изолирующийслой, закрывающий лицевую часть элемента 1. Конструкция данного модуляпредусматривает наличие промежуточнойкоммутационной платы 19 с жесткимиплацарными...

Номер патента: 1781731

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Полков, Юсупова

МПК: H01L 21/50

Метки: имплазионного, полупроводникового, прибора

...нецелесообразно по экономическимсоображениям, так как это приведет к снижению производительности оборудования,Процесс изготовления диода по предлагаемому способу включает в себя следующие этапы.Известными способами изготавливаютимплазионные диоды в стеклокапиллярномпрозрачном корпусе. Затем диоды помещают на кварцевые или графитовые подставки,Загружают в водородную печь и отжигают впотоке водорода с расходом (90 10) л/часпри температуре (530+10) С в течение(1015) мин с последующим охлаждением соскоростью не более 5 С/мин, После отжигаповерхность стеклянного корпуса приобретает черный цвет и полностью теряет прозрачность. В "результате. отпадаетнеобходимость в окрашивании диодов лакокрасочными материалами,На фиг.1 показан общий вид...

Номер патента: 2003203

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Мурин, Хейфец

МПК: H01L 21/50

Метки: гибком, микросборка, носителе

...тем, что в устройстве, содержащем подложку, изготовленную из гибкого фольгированного диэлектрика и навесные компоненты, закрепленные на подложке, коммутирующий элемент выполнен из части подложки,В микросборке на гибком носителе в сравнении с прототипом в качестве коммутирующего элемента используется часть Формула изобретения МИКРОСБОРКА НА ГИБКОМ НОСИТЕЛЕ, содержащая подложку, выполненную из гибкого фольгировэнного диэлектрика,подложки, изготовленной из гибкого фольгированного материала, что позволяет сделать вывод о соответствии заявляемого технического решения критерию "новизна", 5 Использование подложки в качестве коммутирующего элемента, контактирующего с двумя или несколькими поверхностями навесного элемента (одного или...

Номер патента: 1496565

Опубликовано: 09.06.1995

Автор: Варламов

МПК: H01L 21/50

Метки: кристаллов, микросборок, монтажа, облуженные, платы

1. СПОСОБ МОНТАЖА КРИСТАЛЛОВ НА ОБЛУЖЕННЫЕ ПЛАТЫ МИКРОСБОРОК, включающий формирование из одного конца микропроволоки шариковых выводов на контактных площадках кристаллов термокомпрессионной сваркой, последующую установку и присоединение выводов кристаллов к плате, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности микросборок к термоциклическим нагрузкам за счет снижения механических напряжений на границе вывод плата, обрезают второй конец микропроволоки и формируют выводы булавообразной формы.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что наносят кремнеорганический или эпоксидный клей в промежутки между красталлами.

Номер патента: 1496566

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Лебедев, Одиноков, Пугин

МПК: B05C 1/06, H01L 21/50

Метки: клея, монтаже, нанесения, полупроводниковых, преимущественно, приборов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ КЛЕЯ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПРИ МОНТАЖЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, содержащее планшайбу с приводом ее вращения, дозатор клея, установленной над планшайбой, ракель для выравнивания слоя клея на планшайбе и механизм переноса клея с планшайбы на изделие, отличающееся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможнотей и повышения качества клеевого соединения, оно снабжено расположенным между дозатором и ракелем механизмом перемешивания клея на планшайбе, выполненным в виде соединенного с приводом вращения конического ролика, установленного с возможностью взаимодействия своей боковой поверхностью с рабочей поверхностью планшайбы, причем на конической поверхности ролика вполнены два участка с винтовыми канавками...

Номер патента: 1802652

Опубликовано: 20.04.1996

Автор: Варламов

МПК: H01L 21/50

Метки: микросборки

...контрольной платы были выбраны припои Пср ОСЗи Пср 1,5, Припой в количестве 2 г расплавлялся и в него добавлялась золотая проволока Зл,9 до растворения в припоя в следующих количествах: для Пср ОСЗ-1,0;4 для Пср 1 5-1,50.Контактные площадки контрольной платы обслуживались полученным составом и к ним присоединялись кристаллы с выводами булавообразной формы, Производился контроль электрических параметров кристалллов и кристаллы с облуженными выводами монтировались на платы микросборок.Высота облуженной части выводов больше толщины припоя на контактных площадках микросборок на 10-25%.Создание слоя полуды на выводах булавообразной формы предотвращает процесс растворения золотого вывода и повышает эксплуатационные свойства микросборок,В...

Номер патента: 1826819

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Аветисян, Вето, Крюков, Морозов, Степанов

МПК: H01L 21/50

Метки: гибридной, сборки, схемы, фоточувствительной

Способ сборки гибридной фоточувствительной схемы, включающий размещение и крепление на горизонтальной плоскости предметного столика первой кросс-платы с линейкой фотоприемников, платы коммутатора, второй кросс-платы и платы разъема, последовательное соединение микросваркой проволочными проводниками контактных площадок линейки фотоприемников с контактными площадками на первой кросс-плате, контактных площадок на первой кросс-плате с контактными площадками на плате коммутатора, контактных площадок на плате коммутатора с контактными площадками платы разъема, и контактных площадок платы разъема при перемещении предметного столика в двух взаимно перпендикулярных направлениях и вращении его вокруг вертикальной оси, отличающийся тем, что, с целью...

Номер патента: 1318117

Опубликовано: 27.04.2008

Автор: Козин

МПК: H01L 21/50

Метки: давления, датчиков

Способ изготовления датчиков давления, включающий формирование профилированной области кремниевого чувствительного элемента с тензорезисторами, имеющими контакт с внешними выводами через зоны кремния с повышенной проводимостью, настройку и присоединение электростатическим методом к чувствительному элементу стеклянной крышки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения габаритов датчика и упрощения процесса его настройки, в чувствительном элементе одновременно с формированием профилированной области под тензорезисторами создают дополнительную профилированную область, соединяют сформированные области вытравленной канавкой, одновременно с присоединением крышки присоединяют к чувствительному...