Голович

Номер патента: 1178263

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Билинец, Голович, Матвеев, Стусь, Талалакин, Федак

МПК: H01L 21/208

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРInAs InAs1-x-ySbxPyметодом жидкофазной эпитаксии, включающий приготовление раствора-расплава, содержащего индий, мышьяк, сурьму и фосфор, приведение его в контакт с буферной пластиной арсенида индия при температуре начала эпитаксиального наращивания, изотермическую выдержку в течение 30 45 мин, приведение раствора-расплава в контакт с подложкой арсенида индия и последующее наращивание согласованных на границе с подложкой слоев твердого раствора путем принудительного охлаждения системы, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества структур за счет снижения плотности дислокаций в эпитаксиальном слое,...

Номер патента: 644935

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Голович, Денисов, Пландовский

МПК: E21B 19/00, E21B 44/00

Метки: бурильной, колонны, спуско-подъема

...веса колонны сливается из полости 3 через трубопровод 4, объ емный расходомер 5 и трубопровод 6.При этом реверсивный насос 7 работает в режиме рекуперации энергии.Реверсивный объемный расходомер 5 в процессе спуска или подъема измеряетрас ход жидкости и вырабатывает частотно-импульсный сигнал, который через усилитель 8 подается на триггер-формирователь импульсов 9. Частота следования импульсов, пропорциональная мгновенному расходу и, 15 следовательно, скорости перемещения штока 20 гидроподъемника 2, замеряется и фиксируется на блоке 10 измерения и индикации скорости штока, к которому присоединена бурильная колонна 1. Суммарное 20 количество импульсов за определенный промежуток времени, пропорциональное суммарному расходу жидкости и,...