Астафурова

Номер патента: 1813303

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Астафурова, Сухов, Хаханова, Чагина, Штыров

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, структур

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий формирование на поверхности кремниевой подложки первого типа проводимости каналоограничительных областей путем локального окисления, получение подзатворного окисла, осаждение слоя поликремния, формирование рисунка плавающего затвора, имплантацию примеси второго типа проводимости, окисление плавающего затвора, формирование управляющего затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных полупроводниковых структур за счет улучшения качества диэлектрической изоляции плавающего затвора, перед окислением плавающего затвора проводят дополнительную обработку структуры в водном растворе фтористоводородной кислоты состава 1:100-1:10.2. Способ по п.1, отличающийся тем,...

Номер патента: 1598917

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Астафуров, Астафурова, Верхотурова, Левицкий, Симонова

МПК: A01G 7/00

Метки: выращивания, грунте, защищенном, культур, овощных, рассады

...в грунт на 28 - 30-й день после начала облучения.Данные морфометрических измерений 23-дневной рассады огурцов приведены в табл. 1.Пример 2. Рассаду огурцов выра шива ют при тех же условиях, что и в примере 1, однако при этом соотношение потоков лучистой энергии в спектральных диапазонах от 400 до 500 им, от 500 до 600 нм и от 600 до 700 им составляет 0,44:1:0,46. Облученность в области фотосинтетически активной радиации составляет 27,7 Вт/м.В данном варианте используются люминесцентные лампы типа ЛР,Через 20 - 21 день облучения появляется пятый лист и рассада готова к высадке в грунт.Данные морфометрических измерений 23-дневной рассады огурцов приведены в табл. 1.Пример 3, Рассаду огурцов выращивают при тех же условиях, что и в примере...