Любый

Номер патента: 1831966

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Дворников, Любый

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, интегральный, транзистор

1. ИНТЕГРАЛЬНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с изолированными областями второго типа проводимости, в которой сформированы области базы, коллектора и эмиттера с омическими контактами, коммутирующие шины, отличающийся тем, что, с целью обеспечения программируемости параметров для аналоговых схем, эмиттер выполнен в виде (m n + 1) дискретных областей, где m 1,2,3,n 1,2,3, одна из которых расположена в центре, а остальные по n-радиальным направлениям симметрично относительно центра эмиттера, к каждой из которых сформированы омические контакты, и между ними по радиальным направлениям расположено не менее n омических...

Номер патента: 2002342

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Дворников, Любый, Симоненко

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, полупроводниковая, схема

...использовать первые в качестве "нырков"межсоедичений и упростить трассировкумежсоединений. Ориентация низкоомныхрезисторо параллельно сторонам ячейкипозволяет, кроме указанного, мини ллзировать про гяжен ность лежсоединений,Расположение низкосмного и-резисто-ра в р-кармане, к которому сформированоне менее двух омических контактов, позволяет упростить электрическую изоляцию и - 35низкоомного резистора, так какдопускается соединение с самым низкимпотенциалом схемы (группы резисторов)любого наиболее удобно расположенногоомического контакта к р-карману; использовать в качестве высокоомного резисторачасть р-кармана, частично ужатого областью низкоомного резистора.Расположение высокоомных резистооов на р-области и р-карманов низкоомных...

Номер патента: 1746440

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Дворников, Любый

МПК: H01L 27/082

Метки: биполярная, интегральная, структура

...она эффективно собирает неосновные носители, инжектированные эмиттером горизонтального р - и - р-транзистора и увеличивает его коэффициент усиления,Возможен случай, когда вторая замкну-, тая область имеет глубину, равную глубине залегания базовых областей, Однако при этом необходимо учесть, что введенные первая замкнутая и эмиттерная области гори- зонтального транзистора имеют степень легирования больше, а глубину залегания меньше, что обеспечивает увеличение собирания носителей, инжектированных эмиттерной областью горизонтального р - и - р-транзистора за счет увеличения параметра (по кольцу) и площади собирающей части (носители собирает как первая замкнутая область. так и более глубоко залегающие участки баз вертикальных и - р -...

Номер патента: 1057508

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Воробьева, Зеленский, Котомин, Любый, Целютина

МПК: C07D 311/92

Метки: 3-фенил-5, 6-бензокумарина

...отгоняют уксусную кислоту при температуре 149",150 С и разряжении 500-600 мм рт.ст.Ов течение 30-40 мин,. до полного пре"кращения поступления погона (17,45 г,уксусной кислоты).Затем реакционнуюмассу охлаждают до 100-105 С и приразмешивании загружают 178,6 г смесиэтиловый спирт: хлорбензол (72:28),0,5 г натриевой соли монобутилнафталинсульфокислоты, подогревают дот.кип. 82-84 С и при этой температуре дают выдержку 30 мин до полногорастворения продукта. Затем реакционную массу фильтруют, охлаждают до 1820 ОС и дают выдержку 1 ч для полнойкристаллизации продукта.Выкристаллизованный продукт отФильтровывают, промывают 90 г смесьюэтиловый спирт : хлорбензол (72:28),хорошо отжимают и сушат. Получают2194 г З-фенил,6-бенэокумарина,что составляет...

Номер патента: 900242

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Довгялло, Кожаринов, Любый, Перепелкин, Чернетченко

МПК: G03B 41/00

Метки: высокой, объектов, токах, фотографирования, частоты

...виде охватывающей указанные роликиэластичной замкнутой ленты, а непроз;рачный диэлектрик выполнен в видеэластичной ленты, расположенной нанатяжных-прижимных роликах и роликовом электроде, при этом между не"прозрачным и прозрачными электродами размещена фотопленка.На чертеже схематически изображено устройство.Устройство включает Фотографическую камеру 1 со смонтированными вней приемной 2 и подающей 3 катушками с фотопленкой 4, снабженнуюнаправляющими роликами 5 натяженияприжатия и роликовым электродом 6,которые охвачены эластичным, непрозрачным диэлектриком 7, а также зластичньм прозрачным диэлектриком 8, на"тянутым на направляющие ролики 9.Объект 10 с неоднородностью 11 контактирует с эластичным прозрачнымдиэлектриком 8.Устройство...

Номер патента: 845074

Опубликовано: 07.07.1981

Авторы: Бурая, Дежкунова, Довгялло, Кожаринов, Любый, Перепелкин, Шрамков, Щукин

МПК: G01N 27/62

Метки: высокочастотном, дефектометрии, объектов, поле, электри-ческом

...определяют глубинудефекта.15 Сущность предлагаемого способа поясняется чертежом, где представлена схемаконтроля.Схема контроля зключает электрод 1,выполненный в виде разрядной обкладкии подключаемый к генератору высокой частоВ ты, оптико-электронный индикатор 2, последовательно соединенные соленоид 3, оськоторого перпендикулярна поверхности экрана оптико-электронного индикатора, источник 4 постоянного тока, регулировочный резистор 5 и измеритель 6 тока.Предлагаемый способ реализуется следующим образом. Объект 7 контроля включают в цепь высокочастотного разряда, размещая его на электроде 1, и наблюдают полученное изображение с помощью оптико- электронного индикатора 2. Ток через соленоид 3, создаваемый источником 4 постоянного тока,...