Остроухов

Номер патента: 736514

Опубликовано: 10.05.2005

Авторы: Богатырев, Заславский, Остроухов, Цыганов

МПК: B64D 37/28

Метки: заправкой, самолета, топливом

Система управления заправкой самолета топливом, содержащая датчики расходомера, электрокраны, расположенные в магистралях питания двигателей и в магистралях заправки на земле и в полете, сигнализаторы давления в магистрали заправки, причем один из них подключен между приемником топлива и электрокраном, другой - за датчиком-расходомером, сигнализатор верхнего уровня в основном баке, сигнализатор окончания выработки дополнительного бака, соединенный с блоком запрета и с блоком управления насосами, автоматический переключатель рода заправки, соединенный с сигнализатором давления и с датчиком расходомером в магистрали заправки, а также с коммутатором, с блоком запрета и с модулем управления...

Номер патента: 1361789

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Остроухов, Цырульников, Юрчевский, Яковлев

МПК: B01J 47/02

Метки: ионитный, противоточный, фильтр

Противоточный ионитный фильтр, содержащий корпус с подающими и отводящими патрубками, верхнее, среднее и нижнее сборно-распределительные средства, основной и размещенный над последним блокирующий слои ионообменной загрузки и средство для зажатия блокирующего слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения экономичности устройства, средство для зажатия блокирующего слоя выполнено в виде горизонтально расположенных труб с перфорацией в нижней части труб пакета ограничительных стержней.

Номер патента: 1372711

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Алексеева, Остроухов, Цырульников, Юрчевский, Яковлев

МПК: B01J 49/02

Метки: ионитного, регенерации, фильтра

...По окончании взрыхления сначала осуществляют пропуск воды по трубе 13 через основной слой ионита в направлении снизу вверх и по трубе 14 через блокирующий слой в направлении сверху вниз. При этом вода из трубы 14 сначала поступает в перфорированные трубы 3, откуда в виде струй вводится через решетку 4 в верхнюю часть блокирующего слоя 5,Затем по тем же трубам и в тех же направлениях подается 6-8% -ный раствор хлористого натрия. Скорость движения раствора соли через основной слой ионита поддерживают равной 3-4 м/ч, а через блокирующий слой 1,5-2,0 м/ч.Регенерацию и гидравлическое зажатие ионита блокирующего слоя осуществляют путем поочередной подачи умягченной воды по трубе 15 и раствора соли по трубе 14, При этом раствор соли вводят...

Номер патента: 1464797

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Гитлин, Замотайлов, Ивакин, Кадменский, Левин, Лобов, Остроухов

МПК: H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ с пороговым напряжением Uо, включающий формирование на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения пластины рентгеновским излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, а также улучшения точности подгонки порогового напряжения и увеличения процента выхода годных изделий, облучение рентгеновским излучением проводят дозой насыщения, после чего пластины облучают ультрафиолетовым излучением с энергией квантов в интервале 4,35 8,8 эВ и проводят их термический отжиг, причем первоначально экспериментально определяют изменение порогового...

Номер патента: 1384106

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Остроухов

МПК: H01L 21/263

Метки: бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС по авт. св. N 1176777, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных изделий, а также повышения надежности и улучшения стабильности их работы путем снятия нестабильной части радиационно стимулированного в подзатворном диэлектрике заряда, после облучения структуры проводят дополнительный термический отжиг последней при температуре от 400 до 450oС в течение от 30 до 60 мин, а дозу облучения выбирают из отношениягде =6 10-6P

Номер патента: 1396862

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Остроухов

МПК: H01L 21/316

Метки: полупроводниковых, приборов, структуры

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий нанесение на поверхность структуры полупроводникового прибора, содержащего алюминиевую металлизацию двухслойного диэлектрического покрытия, первым из которых является фосфорсиликатное стекло, и вскрытие в покрытии контактных окон, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы приборов и увеличения выхода годных приборов путем улучшения качества диэлектрического покрытия, на слой фосфорсиликатного стекла методом низкотемпературного разложения моносилана в высокочастотном разряде осаждают пленку аморфного кремния толщиной 500 1000 нм, причем осаждение аморфного кремния до толщины пленки 50 нм проводят со скоростью 5 15 нм/мин, а затем структуру подвергают отжигу в...

Номер патента: 1752128

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Бугров, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов

МПК: H01L 21/268

Метки: бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование МДП-структур и подгонку порогового напряжения до требуемой величины путем облучения сформированной структуры рентгеновским излучением с последующим высокотемпературным отжигом, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет расширения диапазона подгонки порогового напряжения, цикл облучение отжиг при подгонке проводят не менее двух раз.

Номер патента: 1519452

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Ачкасов, Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов

МПК: H01L 21/26

Метки: бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование на кремниевой подложке областей истоков, стоков и слоев подзатворного диэлектрика, формирование электродов затворов и металлизированной разводки, подгонку пороговых напряжений путем облучения подложки рентгеновским излучением и термический отжиг при температуре 400-450oС в течение 30-60 мин, отличающийся тем, что с целью улучщения эксплуатационных характеристик МДП БИС, стабилизации ее параметров и повышения процента выхода годных, термический отжиг проводят в среде водяного пара, после этого проводят обработку в нейтральной среде, при температуре 500-510oС в течение 8-12 мин.

Номер патента: 1499614

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Мокшин, Остроухов

МПК: H01L 21/263, H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ по авт. св. N 1176777, отличающийся тем, что, с целью повышения точности подготовки пороговых напряжений и увеличения процента выхода годных МДП-транзисторов, перед облучением структур рентгеновским излучением, ионным легированием примесью в подзатворную область проводят предварительный сдвиг среднего значения порогового напряжения до значения МДП-транзисторов, а U0-заданное пороговое напряжение.

Номер патента: 1762688

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов, Татаринцев

МПК: H01L 21/268

Метки: бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения сформированных структур пучком рентгеновского излучения, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа при подгонке БИС, содержащих две различных группы МДП компонентов, одновременно с рентгеновским излучением структуры облучают ультрафиолетовым излучением, а соотношение между коэффициентами подгонки двух групп МДП компонентов регулируют путем изменения соотношения интенсивностей рентгеновского и ультрафиолетового излучений Iу/Iр, устанавливают это соотношение, исходя...

Номер патента: 1419418

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Вахтель, Гитлин, Евсеев, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов, Стоянов

МПК: H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ, включающий операции формирования на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки и подгонку порогового напряжения на величину Un путем облучения подложки со структурами дозой рентгеновского излучения, пропорциональной Un, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа путем сокращения времени на выполнение операции подгонки, а также улучшения температурной стабильности параметров транзисторов, облучение подложки со структурами проводят при нагреве подложки до...

Номер патента: 1436768

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Колесников, Левин, Лобов, Остроухов

МПК: H01L 21/268

Метки: интегральных, мдп-больших, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ (МДП-БИС) с пороговым напряжением Uо, включающий формирование в кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения пластины рентгеновским излучением, отличающийся тем, что, с целью уменьшения разброса параметров МДП-БИС и увеличения процента выхода годных, облучение рентгеновским излучением проводят до дозы насыщения, затем снимают гистограмму распределения порогового напряжения МДП-БИС на пластине, определяют по гистограмме величину минимального порогового напряжения Uмин и разность

Номер патента: 1452398

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Колесников, Левин, Остроухов

МПК: H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ с пороговым напряжением Uо, включающий операции формирования на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, нанесения металлической разводки и подгонки порогового напряжения, которую проводят после нанесения металлической разводки путем облучения подложек с транзисторами дозой рентгеновского излучения, пропорциональной величине необходимого изменения порогового напряжения U отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов путем локализации обработки рентгеновским излучением, после нанесения металлической разводки измеряют геометрическое распределение пороговых напряжений...

Номер патента: 1709766

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Кузнецова, Москвичева, Озеров, Остроухов, Фомичев, Хоренян

МПК: C25D 3/04

Метки: износостойких, покрытий, хромовых, электролит

1. ЭЛЕКТРОЛИТ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗНОСОСТОЙКИХ ХРОМОВЫХ ПОКРЫТИЙ, содержащий хромовый ангидрид, серную кислоту и органическую добавку, отличающийся тем, что, с целью повышения рассеивающей способности, в качестве органической добавки он содержит (кек) шлам при производстве присадки экстракта фенольноалкилбензольной очистки (ЭФО) при следующем содержании компонентов, г/л:Хромовый ангидрид - 250 - 300Серная кислота - 2,5 - 3Шлам (кек) - 3 - 62. Электролит по п.1, отличающийся тем, что шлам (кек) при производстве присадки ЭФО имеет состав, мас.%:Минеральное масло - 85 - 90Оксид цинка - 8 - 5Оксид алюминия - 5 - 4Оксид магния - 2 - 13. Электролит по п.1, отличающийся тем, что шлам (кек) при...

Номер патента: 1431619

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Ачкасов, Гитлин, Кадменский, Левин, Остроухов

МПК: H01L 21/8238

Метки: больших, интегральных, кмоп, структур, схем

...стравливают первый подзатворный слойоксида кремния б с активных областей 15 на подложке 1 и карманах 5 (см, фиг.5). После химической отмывки окислением в водяном 25 паре при 800 С на поликремнии 12 выращивают слой изолирующего оксида кремния 16 толщиной 0,25 мкм и при 1000 ОС в кислороде выращивают второй слой подзатворного оксида кремния 17 на активных областях 15 З 0 толщиной 60 нм (см. Фиг.б). Пиролизом моносилана при пониженном давлении осаждают второй. защитный слой поликремния 18 толщиной 0,1 мкм, на котором формируют фоторезистивную маску 19, закрываюЗ 5 щую активную область карманов 5, иионной имплантацией бора (60 кэВ;0,02 мК "см ) проводят подгонку порогового напряжения транзисторов, формируемых в подложке 1, создавая области...

Номер патента: 1803895

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Николаенко, Остроухов

МПК: G01S 15/96

Метки: гидроакустическая, маяка-ответчика, местоположения, станция

...зпюры напряжений в блоках дальномера, по оси ординат указаны позиционные номера соответствующих блоков). При этом сигнал от передатчика 3 поступает на схему И 16, и при наличии на другом ее входе напряжения с выхода 4 дешифратора 13 происходит установка счетчиков 8 и 19 в "0" (см. поз. 3, 5, 8 - 4 для с = О, 1, 2, фиг. 3). Задним фронтом импульса от формирователя 5 счетчика 16 переводится в такое состояние, при котором появляется напряжение на первом выходе дешифратора 13, которое через схему ИЛИ 17 попадает на схему И 14, а также на включение режима сдвига вправо счетчика 8, и начинается заполнение счетчика 8 импульсами от генератора 11 (см, поз. 8 - 1, 14 для с = 2, 3). В счетчик записывается количество импульсов и пропорциональное...

Номер патента: 1744321

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Остроухов, Шабанов, Шаповалов

МПК: F16F 6/00

Метки: гаситель, колебаний, фрикционный

...направлении, телами качения, установленными между наклонными поверхностями ведущей и ведомой пластин, и упором, установленным на торце крышки с зазором относительно ведущей пластины. Фрикционный гаситель колебаний дополнительно снабжен механизмом компенсации износа, выполненным в виде шпильки, закрепленной одним концом неподвижно в ведомой пластине, планки с отверстием, закрепленной на боковой поверхности корпуса, через которое пропущена шпилька, размещенной на свободном конце последней гайки и поджимающей последнюю к планке спиральной пружины. На чертеже представлен предлагаемый рессоренной массой (не показано). В корпусе 1 установлено усилительное звено, выполненное в виде ведущей 6 и ведомой 12пластин, имеющих аналогичную...

Номер патента: 1712796

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Еремеева, Камчатный, Лебеда, Остроухов

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры

...6, связанным свходами и пороговых блоков, выходы которых соединены с входами п усилителеймощности, нагрузкой которых являются исветоизлучающих диодов и инфракрасных 35излучающих диодов, Выходы пороговыхблоков соединены также с входами и управ 1ляемых источников питания, выходы которых подсоединены к общей точке выходапреобразователя и одного из резисторов 40обратной связи,Измерительный усилитель содержит резистор, соединенный с инвертирующимвходом операционного усилителя и резистором обратной связи, связанным с выходом коммутатора.Устройство работает следующим образом,В зависимости от вида характеристикитермопреобразователя и требуемой точности измерения диапазон измеряемых температур разбивается на п участков. Ккоммутатору...

Номер патента: 1685699

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Остроухов, Шальнев

МПК: B25B 23/06

Метки: крепежных, магазинное, мелких

...СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 19) я)5 В 25 В 23/06 следовательски институт горн альне оСС 1974 А ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) МАГАЗИННОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ МЕЛКИХ КРЕПЕЖНЫХ ДЕТАЛЕЙ (57) Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано в сборочных цехах машиностроительных заводов для подачи мелких деталей при сборке, Целью изобретения является расширение технологических возможностей устройства, Толкатель воздействует на храповой механизм, который поворачивает барабан 4, перемещая на шаг шагово-перемещаемый злемент до совмещения с отверстиями корпуса 1 следующей направляющей гильзы 6.3 з,п. ф-лы, 4 ил.",,3,.33, аоскез, Ж"05, Раушская иаб., 45 оыытиям при...

Номер патента: 1685544

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Виноградов, Гольдберг, Остроухов, Серебряный

МПК: B05B 7/22

Метки: нанесения, покрытий, порошковых

...ГОЕ 38 Ггкность частицы порошка Образуют покрьггие,В присутсгвии Вставки 10 ЭВФ в стволепротекает В два этапа - сначала ВнутриВставки О, а затем В Г 1 с)стре 1 нстве меэкдувставкой 1 О и стволом ЯРЯ,"д 1 эльность протекания этапов обесгечивается Вследствиесплошности стенки вставки "0 и соответствуОщей 88 длины. Протекание ЗБэ В дваЯГяпа, В свок Впредь, ОэучьеЯет кяцествона Осимого ГОко, тияБ зависимости От рясОложения по"Оц- ка возмОЕжны три режима работы устройстВа,При ряз 148 цении порошка только В центральной части в пределах вставки), поток,содеожядий частиць ВОООБкэ, форе 4 ирует"с 1 лишь Б 1 гри Вставки вО. 3 перифеийнойчасти с н 8 которой времеьеОй задержкойфэрмиэуется Г 1 ряктически ГОЕ 40 ГенныЕ ПОток нагретого воздуха,...

Номер патента: 1681889

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Бабин, Остроухов, Скляренко, Шульман, Якушенко

МПК: B01D 24/38

Метки: водоподготовительного, дренажно-распределительное, фильтра

...атомном и энергетическом нии для очистки питательной ических установок.бретения - повышение срока йства и упрощение конструкзи 7,Элем ной 0,6 м дом прод щель лю стой ленУстр ент 6м, а щеавливабого ра е.йст зом.Вбда после прохождения сыпучего материала 8, расположенного в корпусе 2 фильтра, дренируется через щели в виде жалюзи 7, отверстия 4 и собирается коллекторами 1,При регенерации поток жидкости распределяется трубами 3.Формула изобретения Дренажно-распределительное устройство водоподготовительного фильтра, содержащее коллектор и присоединенные к немутрубы с заглушками на концах, с отверстиями по образующей и щелевым элементом, присоединенным к трубам над отверстиями,отл и чаю ще е с ятем,что, с целью повышения срока службы и...

Номер патента: 1678758

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Владимиров, Гараев, Мандрыкин, Мартыненко, Остроухов, Чурилов

МПК: B67D 5/08, B67D 5/24

Метки: жидкости, импульсов, преобразования, счетчика

...материала и крепление патрона в диске:обеспечивает защиту геркона от воздействия магнитных полей, что позволяет повысить функциональную на-,дежность устройства для преобразования импульсов, а введение стакана,который присоединен спомощью реэьбового соединения к диску, наличиедвух дополнительных отверстий в нижней части стакана и двух винтов сголовками, которые выполнены заподлицо, с помощью которых стакан зафи кси рован от нос и тел ь но дис ка, позволяют устранить несанкционированный доступ к преобразователю импульсов,На чертеже представлено предлагае)мое устройство. 25Устройство содержит корпус 1, валик 2 с дополнительной шестерней,шестерню 3 с постоянным магнитом 4,геркон 5, элемент 6 ввода, патрон 7с крышкой 8, диск 9 стакан...

Номер патента: 1603010

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Воротников, Голованов, Ляхин, Остроухов

МПК: E21D 11/36, E21D 19/04

Метки: крепь, шахтная

...между собой с помощью шарнира 4, осью которого является трос 5, и ограждений 6, соединенных с сегментами 2 с помощью шарниров 7, которые распираются между собой рессорой 8, где ограждения 6 с враждой стороны соединены между собой тросами 9. Секции относительно тросов 5 и 9 Фиксируются болтами 10, а по верху сегментов 2 крепится гибкая лента 11,Крепь монтируется в монтажной камере, пройденной с уклоном от вентиляционной до углеспускной печи. Механогидравлическим проходческим комбайном вынимается стружка на всю мощность пласта, Выемка угля ведется со стороны углеспускной печи в направлении к вентиляционной печи. После выемки стружки угля секции крепи под собственным весом и весом обрушенных пород опускаются. Секции при опускании...

Номер патента: 1579647

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Богородский, Круглов, Остроухов, Семенов

МПК: B23B 51/02

Метки: перемычки, сверло

...зависимости опредляют на основании того, что х=ОМ; у.=О=ОЕ; т=ЕА; У=ЕС; 1 ЕАС = уЕ. АОВ =,в.ЕК 1 ОАА ОЕС оп нокристалмонона дополомке, опре- ия е- М; аадт Из фи г. 2 следует, чтоС 1.ЛС, т. е. а=1,+уд. Из д- , со ; г= - зщ.Ы . Ы2 реАС еделеют т=.Щ - Т; ат - ,; етеюд Изобретение относится к обработке металлов Оезанием.1.1 ель изобретения - повышение стойкости и производительности инструмента путем выполнения режущей части из моно- кристаллов сверхтвердого материала и оп- тимального расположения оси монокристалла в зависимости от конструктивных элементов сверла соответственно.На фиг. 1 изображено сверло без перемычки; на фиг. 2 - вид А на фиг. 1.Сверло без перемычки содержит два пера 1 с режущими элементами 2 из монокристалла...

Номер патента: 1563905

Опубликовано: 15.05.1990

Авторы: Долотов, Остроухов, Семенов

МПК: B23K 1/20

Метки: контактно-реактивной, пайки

...Л. АбросимоваТехред И Верее Корректор Л. Бескид Тираж 645 Подписное Редактор И. СегляникЗаказ 1125 ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж - 35, Рау шская наб., д. 4/5 Производственно. издательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 1013Кроме временной задержки встречной диффузии компонентов припоя и паяемых материалов, выдавленная из сердцевины прокладки жидкая фаза (латунь) взаимодействует с никелево-боридным покрытием при более низкой температуре (около 1000 С), чем температура автономного плавления покрытия (свыше 1020 С), что позволяет получить более пластичное паяное соединение. Излишки жидкой латунной фазы, после ,смачивания латунью паяемых поверхностей через...

Номер патента: 1562463

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Васильев, Левченко, Остроухов, Ручко, Томалак

МПК: E21D 21/00

Метки: анкеров, закрепления, состав

...1 48 50 55 52 50 45 Фурилофенолформальдегидная, смола ФФФБензосульфокислота со смачивателем ДБ в соотношении 1:1 Результаты лабораторных испытаний показывают преимущество предлагаемого состава для, закрепления анкеров, Свойство саморасширения состава в процессе отверждения способствует дополнительному самонагнетанию скрепляющего состава в трещины породного массива. Короткое время отверждения и быстрый набор прочности состава при этом увеличивает несущую способность анкера практически с момента установки крепи. Несущая способность анкера (прочность закрепления его в породе и угле) не меняется с течением времени.Результаты испытаний показывают пригодность закрепляющего состава на основе фурилоАенолформальдегидной смолы марки ФФФ и...

Номер патента: 1558428

Опубликовано: 23.04.1990

Авторы: Бухин, Векшин, Круглов, Мельникова, Остроухов, Постников, Таратута, Цырульников, Юрчевский

МПК: B01D 24/38, B01D 29/88

Метки: колпачок, фильтрующий

...монтируется следующим образом. Совмещая отверстия 2 с выступами 3 или 4 разной высоты контактирующих колец 1, кольца собирают в пакет, при этом образуется фильтрующая щель 14 одного из вариантов (например, щель 0,25 или 0,4 мм). Набор колец фиксируется посредством выступов (на верхнем или нижнем кольцах) с соответствующими отверстиями крышек с последующим укреплением на втулке 7, при этом контактирующие кольца надежно фиксируются относительно друг друга и крепятся с втулкой не непосредственно, а через крышки. Для фильтрующих колпачков, применяемых в фильтрах с распределительными устройствами трубчатого типа, в зависимости от качества исходной воды и выбран Формула изобретения 25 1, Фильтрующий колпачок, преимущественно для...

Номер патента: 1546101

Опубликовано: 28.02.1990

Авторы: Векшин, Глазунов, Ленский, Остроухов, Юрчевский

МПК: B01D 24/38

Метки: воды, фильтр

...9. Очипаемая вода подается в фильтр по патрубку 13, н сле очистки в слое загрузки О собирается колпачками 6 в камеру 7 и отводится потребителю по патрубку 12. 1 ил. том соотношение диаметра корпусаР) диаметру камеры (д) может составлять Фильтр для очистки воды раГдующим образом.Очишаемая вода по патрубку 13 и через верхнее распределительное устройство 5 по. ступает в корпус 1 фильтра, распределяет я по поверхности фильтруюшей загрузки , проходит через нее, очищаясь от мсханнческих примесей, и поступает в нижнее распределительное устройство со съемными фильтруюшими колпачками 6. Через цели сьемных фильтрующих колпачков 6 очи ценная вода поступает в камеру 7, выполненную в виде обечайки 8, присоединенной при помощи фланцевого...

Номер патента: 1533948

Опубликовано: 07.01.1990

Авторы: Недоруб, Остроухов

МПК: B63H 1/04, B63H 9/02

Метки: движитель, средства, транспортного

...возникновения тормозящей силы вследствие наложения взаимодействий ротор-ротор и ротор- пластина на каждой линии, соединяющей оси ротороз и пластин, роторы и пластины расположены поочередно.Движитель транспортного средстваснабжен механизмом регулирования расстояния между осями вращения ротора и поворотной пластины. Перемещаемымобъектом является, как правило, пластина 2, цто обусловлено упрощением кинематической цепи вращения ротора. Оси пластин установлены а направляющих, ориентированных в направлении, перпендикулярном продольной оси корпуса 3, и имеют собственный привод, например электродвигатель, который через червячную передачу перемещает пластину 2. Этот же механизм обеспечивает поворот пластины при маневрировании. Поворот также...

Номер патента: 1526818

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Акульшин, Векшин, Ленский, Остроухов, Цырульников, Юрчевский, Яковлев

МПК: B01J 47/02

Метки: ионитный, противоточный, фильтр

...удаляемых ионов выше допустимого предела фильтр отключается на регенерацию.Для этого вначале взрыхляют блокирующий слой 10 ионита путем подачи промывочной воды по трубе 24 в среднее дренажно-распределительное средство 7. Вода, пройдя коллектор 16, трубки 17, втулки 18, дренажные колпачки 19, поступает в блокирующий слой. При снижении блокирующего слоя ионита часть его через промежутки между трубками 13 блокирующего средства 9 вытесняется в объем водяной "подушки" 20Воду, содержащую загрязнения и ионитовую мелочь, удаляют через верхнее дренажно-распределительное средство 6 по трубе 25.Периодически взрыхляют основной слой 11 ионита,Для этого промывочную воду подают по трубе 23, патрубок 5, нижнее дренажно-распределительное средство 8....