Патенты с меткой «кремний-на-изоляторе»

Номер патента: 1630565

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Коляденко, Романов

МПК: H01L 21/265

Метки: кремний-на-изоляторе, структур

...40 мин.Кроме того, уплотняющий отжим проводятпри температурах 200 С в течение 1,5 ч и500 С - 20 мин,З.Ионно-стимулированный рост монокристаллической пленки от границы с ПКосуществляют облучением ионами через маску в виде решетки из полосок тантала шириной 0,3 мм с зазорами 0,3 мм - 1 мм при+следующих условиях: ион Хе, энергия140 кэВ, доза 10 6 см 2, температура 500 С.П р и м е р 2. Структуру, полученнуюаналогично пунктам 1 и 2 примера 1, обрабатывают по п.З при следующих условиях: ион Хе, энергия 140 кэВ, доза1 з 1 +5 10 см, температура 400 С.П р и м е р 3, Структуру, полученнуюаналогично пунктам 1 и 2 примера 1, обрабатывают по п,З, при следующих условиях(комбиникованное облучение):ИонАз,Энергия 130 кэВ, доза - 10 см 280 кэВ - 10 см...

Номер патента: 1635819

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Серяпин, Смирнов

МПК: H01L 21/268

Метки: кремний-на-изоляторе, структур

Способ изготовления структур кремний-на-изоляторе, включающий нанесение диэлектрической пленки на подложку из монокристаллического кремния, нанесение слоя поликремния на диэлектрическую пленку и рекристаллизацию поликремния путем предварительного подогрева структуры и облучения сканирующим сфокусированным лучом, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур при одновременном упрощении способа, предварительный подогрев ведут со стороны слоя поликремния, а облучение сканирующим лучом ведут со стороны подложки при мощности излучения, достаточной для начала образования на облучаемой поверхности островков жидкой фазы, но недостаточной для образования сплошной расплавленной зоны.