Кадменский

Номер патента: 1464797

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Гитлин, Замотайлов, Ивакин, Кадменский, Левин, Лобов, Остроухов

МПК: H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ с пороговым напряжением Uо, включающий формирование на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения пластины рентгеновским излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, а также улучшения точности подгонки порогового напряжения и увеличения процента выхода годных изделий, облучение рентгеновским излучением проводят дозой насыщения, после чего пластины облучают ультрафиолетовым излучением с энергией квантов в интервале 4,35 8,8 эВ и проводят их термический отжиг, причем первоначально экспериментально определяют изменение порогового...

Номер патента: 1384106

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Остроухов

МПК: H01L 21/263

Метки: бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС по авт. св. N 1176777, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных изделий, а также повышения надежности и улучшения стабильности их работы путем снятия нестабильной части радиационно стимулированного в подзатворном диэлектрике заряда, после облучения структуры проводят дополнительный термический отжиг последней при температуре от 400 до 450oС в течение от 30 до 60 мин, а дозу облучения выбирают из отношениягде =6 10-6P

Номер патента: 1396862

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Остроухов

МПК: H01L 21/316

Метки: полупроводниковых, приборов, структуры

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий нанесение на поверхность структуры полупроводникового прибора, содержащего алюминиевую металлизацию двухслойного диэлектрического покрытия, первым из которых является фосфорсиликатное стекло, и вскрытие в покрытии контактных окон, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы приборов и увеличения выхода годных приборов путем улучшения качества диэлектрического покрытия, на слой фосфорсиликатного стекла методом низкотемпературного разложения моносилана в высокочастотном разряде осаждают пленку аморфного кремния толщиной 500 1000 нм, причем осаждение аморфного кремния до толщины пленки 50 нм проводят со скоростью 5 15 нм/мин, а затем структуру подвергают отжигу в...

Номер патента: 1752128

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Бугров, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов

МПК: H01L 21/268

Метки: бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование МДП-структур и подгонку порогового напряжения до требуемой величины путем облучения сформированной структуры рентгеновским излучением с последующим высокотемпературным отжигом, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет расширения диапазона подгонки порогового напряжения, цикл облучение отжиг при подгонке проводят не менее двух раз.

Номер патента: 1519452

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Ачкасов, Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов

МПК: H01L 21/26

Метки: бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование на кремниевой подложке областей истоков, стоков и слоев подзатворного диэлектрика, формирование электродов затворов и металлизированной разводки, подгонку пороговых напряжений путем облучения подложки рентгеновским излучением и термический отжиг при температуре 400-450oС в течение 30-60 мин, отличающийся тем, что с целью улучщения эксплуатационных характеристик МДП БИС, стабилизации ее параметров и повышения процента выхода годных, термический отжиг проводят в среде водяного пара, после этого проводят обработку в нейтральной среде, при температуре 500-510oС в течение 8-12 мин.

Номер патента: 1499614

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Мокшин, Остроухов

МПК: H01L 21/263, H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ по авт. св. N 1176777, отличающийся тем, что, с целью повышения точности подготовки пороговых напряжений и увеличения процента выхода годных МДП-транзисторов, перед облучением структур рентгеновским излучением, ионным легированием примесью в подзатворную область проводят предварительный сдвиг среднего значения порогового напряжения до значения МДП-транзисторов, а U0-заданное пороговое напряжение.

Номер патента: 1762688

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов, Татаринцев

МПК: H01L 21/268

Метки: бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения сформированных структур пучком рентгеновского излучения, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа при подгонке БИС, содержащих две различных группы МДП компонентов, одновременно с рентгеновским излучением структуры облучают ультрафиолетовым излучением, а соотношение между коэффициентами подгонки двух групп МДП компонентов регулируют путем изменения соотношения интенсивностей рентгеновского и ультрафиолетового излучений Iу/Iр, устанавливают это соотношение, исходя...

Номер патента: 1419418

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Вахтель, Гитлин, Евсеев, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов, Стоянов

МПК: H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ, включающий операции формирования на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки и подгонку порогового напряжения на величину Un путем облучения подложки со структурами дозой рентгеновского излучения, пропорциональной Un, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа путем сокращения времени на выполнение операции подгонки, а также улучшения температурной стабильности параметров транзисторов, облучение подложки со структурами проводят при нагреве подложки до...

Номер патента: 1436768

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Колесников, Левин, Лобов, Остроухов

МПК: H01L 21/268

Метки: интегральных, мдп-больших, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ (МДП-БИС) с пороговым напряжением Uо, включающий формирование в кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения пластины рентгеновским излучением, отличающийся тем, что, с целью уменьшения разброса параметров МДП-БИС и увеличения процента выхода годных, облучение рентгеновским излучением проводят до дозы насыщения, затем снимают гистограмму распределения порогового напряжения МДП-БИС на пластине, определяют по гистограмме величину минимального порогового напряжения Uмин и разность

Номер патента: 1452398

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Колесников, Левин, Остроухов

МПК: H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ с пороговым напряжением Uо, включающий операции формирования на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, нанесения металлической разводки и подгонки порогового напряжения, которую проводят после нанесения металлической разводки путем облучения подложек с транзисторами дозой рентгеновского излучения, пропорциональной величине необходимого изменения порогового напряжения U отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов путем локализации обработки рентгеновским излучением, после нанесения металлической разводки измеряют геометрическое распределение пороговых напряжений...

Номер патента: 1176777

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Вахтель, Гитли, Еремин, Замотайлов, Ивакин, Кадменский, Лобов, Фетисова

МПК: H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки и подгонки порогового напряжения, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения точности подгонки, подгонку порогового наряжения производят после формирования металлической разводки путем облучения структуры рентгеновским излучением дозойгде D доза облучения, Р;E3 ширина запрещенной зоны диэлектрика, эВ; относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика;m массовый...

Номер патента: 1431619

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Ачкасов, Гитлин, Кадменский, Левин, Остроухов

МПК: H01L 21/8238

Метки: больших, интегральных, кмоп, структур, схем

...стравливают первый подзатворный слойоксида кремния б с активных областей 15 на подложке 1 и карманах 5 (см, фиг.5). После химической отмывки окислением в водяном 25 паре при 800 С на поликремнии 12 выращивают слой изолирующего оксида кремния 16 толщиной 0,25 мкм и при 1000 ОС в кислороде выращивают второй слой подзатворного оксида кремния 17 на активных областях 15 З 0 толщиной 60 нм (см. Фиг.б). Пиролизом моносилана при пониженном давлении осаждают второй. защитный слой поликремния 18 толщиной 0,1 мкм, на котором формируют фоторезистивную маску 19, закрываюЗ 5 щую активную область карманов 5, иионной имплантацией бора (60 кэВ;0,02 мК "см ) проводят подгонку порогового напряжения транзисторов, формируемых в подложке 1, создавая области...