Патенты с меткой «светоизлучающий»

Номер патента: 773795

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Чармакадзе, Чиковани

МПК: H01L 33/00

Метки: прибор, светоизлучающий

...естественные, неконтролируемые примеси из источников окиси бора, цинка, азота,аргона, кобальта, меди и др.Первый контакт 4, например из алюминия, наносится на слой ЯЧИ, второйконтакт 5 образуется нанесением индияна слой бай.При подаче прямого смещения происходит инжекция носителей заряда вбай, имеющая односторонний характер,что обусловливается наличием инжектирующего гетероперехода б между эпитаксиальными слоями Сай 2 и Я РМ 3 ирекомбинацией.в слое Сай.Излучение выводится через сапфировую подложку, а также из слоя А 2 Й,являющегося оптическим окном,Полупроводниковое светоизлучающееустройство характеризуется эффективной инжекцией, малой напряженностьюполя Е1,5 10 В/см весьма высокойравномерностью излучения по всей поверхности...

Номер патента: 1032953

Опубликовано: 15.05.1985

Авторы: Рассохин, Сидоров

МПК: H01L 33/00

Метки: диод, светоизлучающий

...обоих выводов, и увеличения тока, протекающего через кристалл (до 100 мА). Однако размер излучающей поверхностиэтого прибора, также как и другихконструкций, содержащих выводырамочного типа, не превышает 5 мм,что не позволяет использовать ихв табло коллективного пользованиябез дополнительного рассеивающегосвет элемента с большим размеромсветящейся поверхности,Целью изобретения, является увеличение излучающей поверхности светодиода при сохранении технологичности его сборки. Поставленная цель достигаетсятем, что в известном светоиэлучающем диоде, содержащем рамочный держатель с выводами и излучающие кристаллы, включенные последовательно,верхние части выводов держателявыполнены под прямым углом к егоплоскости и расположены по меньшеймере в...

Номер патента: 1435961

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Мергольд, Полибин

МПК: G01K 11/12

Метки: индикатор, светоизлучающий, термохромный

...комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к технике измерения температуры, точнее к термоиндикаторам, изменяющим спектр выходного светового потока при изме 5 некии температуры, и может быть использовано в электронагревательных приборах.Цель изобретения - упрощение устрой тва для визуального контроля темо пературы в диапазоне от 0 до 300 С, что достигается применением известного светодиода на основе Фосфида галлия (например, АЛ 102 В) в качестве индикатора температуры, изменяющего в зависимости от температуры спектральный состав излучения.Экспериментально установлено, что фосфидгаллиевый светодиод...

Номер патента: 1493034

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Аршинов, Векшина, Стафеев

МПК: H01L 33/00

Метки: инжекционный, полупроводниковый, прибор, светоизлучающий

...подвижных носителей для инверсногоф55 канала, примыкающего к ним,устройство работает следующийобразом. При прямом см.шенин, подаваемом напереход между подобластями 4 н 5,неоснояные носители ннжектируются имв область инверсного канала, гдерекомбинируют с основными носителями.Рекомбинация электронно-дырочных парсопровождается излучением квантовсвета, энергия которых зависит отширины запрещенной зоны уэкоэонногополупроводника с прямой структуройэнергетчческих эон. Непрокомбинированные неосновные носители выбрасываются встроенным полем пространственного заряда перехода поцобласть4 - слой 2 из активной области инверсного канала в примыкающую к ней область слоя 2 и уходят во внешнююцепь. Ускоренный вывод непрокомбинировавших неосновных...

Номер патента: 1428141

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Зотова, Карандашев, Матвеев, Рогачев, Стусь, Талалакин

МПК: H01L 33/00

Метки: диод, светоизлучающий

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД, содержащий варизонную структуру на основе InAsSbP с p-n-переходом и омические контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения квантового выхода в области длин волн, больших 3,9 мкм, за счет обеспечения стимулированного режима работы светодиода, вариозная структура с p-n-переходом выполнена в виде пленки InAsSb, расположенной на варизонной пленке InAsSbP толщиной 60-90 мкм, торцовые грани диода сколоты по плоскостям, сходящимся в центре под углом , причем пленки InAsSb и InAsSbP выполнены в виде концентрических шаровых слоев, прилегающих к InAsSbP, n-область InAsSb имеет толщину 2-4 мкм, периоды решеток в обеих пленках линейно возрастают в направлении...