Роках

Номер патента: 1531678

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Елагина, Новикова, Роках

МПК: G01T 1/24

Метки: детектор, полупроводниковый, потоков, электронных

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР ЭЛЕКТРОННЫХ ПОТОКОВ на основе сульфидов кадмия и свинца, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы детектора и увеличения удельной чувствительности и стойкости к радиации, он дополнительно содержит селенид кадмия и сульфат никеля при следующем соотношении компонентов, мас.CdS 15 25PbS 2 40CdSe 72 40NiSO4 1 15

Номер патента: 1412535

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Елагина, Матасова, Роках

МПК: H01L 31/18

Метки: визуализатора, излучения, слоев, фотопроводящих

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОПРОВОДЯЩИХ СЛОЕВ ДЛЯ ВИЗУАЛИЗАТОРА ИЗЛУЧЕНИЯ, включающий двухстадийное вакуумное напыление шихты, причем на первой стадии напыляют шихту на основе селенида кадмия в квазизамкнутом объеме при температуре испарителя 680 700oС и температуре подложки 300 - 350oС, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы визуализатора на первой стадии наносят шихту, которая дополнительно содержит хлорид кадмия при следующем соотношении компонентов, мас.CdSe 70 80CdTe 12 26CdCl2 4 8в течение 1,5 2 ч, а на второй стадии напыляют путем магнетронного ступенчатого распыления шихту, которая содержит сульфид свинца и сернокислую медь при следующем соотношении компонентов,...

Номер патента: 845685

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Елагина, Кумаков, Роках

МПК: H01L 21/30

Метки: пленочных, состав, фоторезисторов

СОСТАВ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ ФОТОРЕЗИСТОРОВ, содержащий сульфид кадмия и в качестве активаторов хлорид меди и хлорид кобальта, отличающийся тем, что, с целью получения фоторезисторов с вольтамперной характеристикой, сверхлинейной при низких напряжениях 0,5-3 В, он дополнительно содержит сульфид свинца при следующих соотношениях ингредиентов, мас.Сульфид кадмия 54-79Хлорид меди 10-20Хлорид кобальта 0,5-2Сульфид свинца 5-30

Номер патента: 970131

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Кирьяшкина, Кузнецов, Роках, Старчаева

МПК: G01K 7/01

Метки: датчик, температуры

...пары, разделякщиеся на контакте, Возникает фото-ЭДС, коТорая уменьшается с ростом температуры. При определенной температурепроисходит ФПМП, подтверждением чемумогут служить изменение характера.температурной зависимости сопротив 45 55 баритных объектов путем исключения их перегрева.Укаэанная цель достигается тем, что в датчике температуры, выполненном в виде пленки из полупроводникового материала с температурным 5 фазовым переходом с двумя электродами, размещенной на диэлектрической подложке, между пленкой из полупро.водникового материала с температур:ным фазовым переходом и одним из 10 электродов расположен слой из фотопроводящего материала, причем подложка и прилегающий к слою из фотопроводящего материала электрод выполнены...

Номер патента: 898312

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Давыдов, Зорина, Новикова, Роках, Серебрянская

МПК: G01N 27/22

Метки: датчик, емкостный

...влаги всем 10обьемом влагочувствительного циэлектрика. При воздействии потоком влаги наслой АЗ 0, расположенный, например,нац одним из нижних алюминиевых элек -троцов, емкость соответствующего тонкопленочного конценсатора увеличивается,но емкость цатчика в целом опрецеляетсянаименьшей величиной соединенных емкостей, и, следовательно, приращение емкости всего датчика минимально. Такимобразом, конструкция известного цатчикане позволяет реализовать чувствительность датчика к площаци воздействия потока влажного газа.Целью изобретения является повышение 5чувствительности датчика влажности кплощади воздействия при одновременномувеличении быстродействия и росте цобротности с увеличением интенсивностивоздействия.30Цель достигается тем, что...

Номер патента: 474022

Опубликовано: 15.06.1975

Авторы: Грищенко, Матасова, Пронин, Роках

МПК: G06G 7/48

Метки: моделирования, полей, потенциальных

...на коордц цаторе 10, и коммутатор 11. Транспарант 9расположен между маской 8 и фотопроводящим слоем 1 ц служит для создания соответствующец светотецевой картины в плоскости расположения слоя 1 и омцческцх контак тов 3, которую можно смешать посредствомкоординатора 10 ц обеспечивать оперативное изменение места положения неоднородности, цовышсцц 1 ю Т 01 ност 1 э зОдслцровт 1 цц 51 ц Возможность определения наряду с потенциалом 25 компонент его градиента ц высших производных. ь 1 ерез коммутатор 11 омнческце контакте 3 соединены электрически с индикатором 7 ц блоком 5 задания граничных условий. Посредством коммутатора обеспечивается под ключение электродов 3 к соответствующим ре3зисторам блока о и тем самым задание граничных...

Номер патента: 424870

Опубликовано: 25.04.1974

Авторы: Белецка, Названов, Научно, При, Роках, Физики, Чернышевского

МПК: C09K 9/00, G03G 5/08

Метки: 424870

...ц комцоы в следующих колиобщему весу, %; Изобретение относится к обния фотопроводящих пленок д.ствующих переклочателей.Известен состав для получения фотопроводящих пленок на основе сульфида ц селенида кадмия, активированных хлоридом .1 елц. Однако такой состав це обеспечивает получение малоинерционных фоточувствительных пленок с линейными люкс-амперцыми характеристиками в широком интервале освещен ности до 100000 лк.Предложенный состав отличается тем, что хлорид меди введен в смеси с хлоридом кобальта в виде водного раствора, ц компоненты состава применены в следующих коли чествах по отношсншо к общему весу, %:Сульфид и селенид кадмця 89,2 - 97,1 Хлорид меди 2 - 9Хлорид кобальта 0,9- 1,8Это обеспечивает уменьшение времени фо...