Гечяускас

Номер патента: 692443

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Гечяускас, Миллер, Переляев, Швейкин

МПК: H01L 27/24, H01L 35/00, H01L 45/00 ...

Метки: переключающий, полупроводниковый, элемент

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий активную область, заключенную между двумя токонесущими электродами, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, активная область представляет собой матрицу, выполненную из полупроводника, стойкого к воздействию окружающей среды, в которой выращены каналы переключения из материала заданного состава.2. Элемент по п.1, отличающийся тем, что матрица выполнена из V2O5, а каналы переключения выполнены из VO2.

Номер патента: 697016

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Гечяускас, Миллер, Переляев, Швейкин

МПК: G01K 7/22, H01L 45/00

Метки: критических, материал, переключающих, полупроводниковый, терморезисторов, элементов

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ И КРИТИЧЕСКИХ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ, включающий монокристаллический диоксид ванадия, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности и механической прочности, он дополнительно содержит связующее на основе эпоксидной диановой смолы при следующем соотношении компонентов, мас.%:Диоксид ванадия - 1 - 60Связующее - Остальное

Номер патента: 736810

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Гечяускас, Дульцева, Ежова, Кочнева, Миллер, Переляев, Суворов, Швейкин

МПК: H01L 45/00

Метки: материал, памяти, полупроводниковый, элементов

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ на основе поликристаллического диоксида ванадия, отличающийся тем, что, с целью увеличения объема записываемой информации, он дополнительно содержит связующее при следующем соотношении компонентов, мас.%:Поликристаллический диоксид ванадия 93 - 97Связующее 3 - 7при этом связующее состоит из эпоксидной диановой смолы и титаноорганического сложного полиэфира дикарбоновой кислоты и алкиленгликоля при следующем соотношении компонентов, мас.%:Эпоксидная диановая смола 40 - 92Титаноорганический сложный полиэфир дикарбоновой кислоты и алкиленгликоля Остальное

Номер патента: 557698

Опубликовано: 23.06.1983

Авторы: Версоцкас, Гавутис, Гечяускас, Кальвенас, Пожела, Репшас, Юскевичене

МПК: H01L 21/22

Метки: датчиков, импульсной, мощности, свч

...датчиков импульсной мощности 10 в большой степени зависят от температуры окружающей среды.Известен также способ изготовления датчиков импульсной мощности СВЧ путем вплавления металлического сплава в приконтактную область кремниевой пластины электронного типа проводимости 2 .Недостатком изготовленных этим способом датчиков импульсной мощности СВЧ является изменение их показаний в интервале температур Т = - -(50-60 ОС) до 6. Это обьясняется тем, что контакт к кремниевой пластине создается вплавлением сплавазолота с примесью сурьмы, а диффузия примеси с глубокими уровнями в запрещенной зоне ведется из спла- .ва. Для получения необходимой концентрации примеси типа золота в кремниевой пластине сплав золото - сурьма необходимо нагревать...

Номер патента: 987541

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Гечяускас, Сакалаускас

МПК: G01R 31/26

Метки: аморфных, амперной, вольт, параметров, переключателей, пороговых, с-образной, стеклообразных, характеристикой

...20 -22 . 5Блок 5 управления функционирует следующим образом.Импульсный селектор 17 сортирует входные импульсы по полярности и огра ни чи вает до уровня логической "1 н в Три г 10 гер 18 интервала вырабатывает импульс, длительность которого равна временному промежутку от первого отрицательного импульса до первого положительного импульса. Блок 19 запоминает сформиро 45 ванный триггером 18 интервала временной интервал и воспроизводит его. Одновибраторы 20-22 вырабатывают импульсы для открывания ключей 8-10, Блок 19 синхронизируется импульсами, поступа ющими с генератора 1 треугольного нап. ряжения.Принцип работы предлагаемого измерителя основан на определении пиковыми ,вольтметрами амплитуды напряжения 25 (фиг. 2) на испытуемом...

Номер патента: 843030

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Алексеюнас, Балейшис, Бондаренко, Гечяускас, Сукацкас

МПК: H01L 31/00

Метки: регули-рования, температуры

...напРимеР 45пленки диоксида ванадия (участока кривой на фиг. 2) термочувствительный зонд находится в высокоомном состоянии, и протекающий ток,например, в обмотке реле исполни Отельного механизма 2 недостаточендля еесрабатывания, С повиаениемтемпературы окружающей среды дотемпературы ФП термочувствительнойполупроводниковой пленки напримерпленки диоксида ванадия стехиометрическфго состава, сопротивление еескачкообразно падает(участок б нафиг. 2), ток в цепи возрастает, послечего срабатывает реле исполнительного механизма, и в этот момент еОвключается механизм, управляющийтемпературным режимом технологического процесса. При дальнейшем увелйчении температуры(участок в кривой.на фиг. 2) и достижении темпера туры фазового перехода другого...

Номер патента: 834414

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Балейшис, Веркялис, Гечяускас

МПК: G01K 17/06

Метки: мощности, тепловогопотока

...теплового потока, доводятсопротивление датчика до среднегозначения сопротивления области фазо 5вого перехода, поддерживают его постоянным и по изменению мощности дополнительного теплового потока определяют мощность измеряемого теплового потока.10Предлагаемый способ измерения тепловых потоков исключает возможность"шнурования" тока, текущего черезактивный слой диоксида ванадия, тем:самым исключает гистерезис температурной зависимости сопротивления активного слоя, что увеличивает точность измерения,Способ осуществляется следующимобразом,20Через слой Ч 0 пропускают стабили 2зированный ток порядка микроампера,что значительно меньше тока переключения. Затем, увеличивая мощность опорного теплового потока и поддерживаястабилизированный...

Номер патента: 808950

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Алексеюнас, Афанасьев, Гечяускас

МПК: G01R 21/06

Метки: микроволн, мощ-ности

...проводящий переходник 7 передается термочувствительному переключающему элементу 6 и нагревает его до температуры Т,Зависимость порогового напряжения переключения О от температу.Ры Тпер термочувствительного переключающего элемента 6 приведена на фиг. 2 б, а вольтамперная характериС- . тика Ь-типа - на фиг. 2 в.При измерении мощности Р напряжение, приложенное к термочувствительному переключающему элементу 6, плавно повышается и при определенном значении М, соответствующем напряжению переключения при температуре Т .и мощности СВЧ Р, термочувствитель ный переключающий элемент 6 из высокоомного состояния (точка М на фиг. 2 в) скачкообразно переходит в низкоомное состояние (точка Н). Напряжение источника 4 в этот момент соответ- щ ствует...

Номер патента: 767872

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Валацкас, Веркялис, Гечяускас, Жвирблис, Зубас, Мажейкис, Мостейкис, Стружановский

МПК: H01L 31/14

Метки: датчик, импульсный, фотоэлектрический

...обеспечиваетповышение чувствительности датчика,так как уменьшено расстояние от ис"точника и приемника света до растра. Максимальная же чувствительностьпредложенного датчика достигаетсяпри уменьшении расстояния от источника до приемника света. до предельно возможного значения дйО (О -ширина штриха растра). При увеличениирасстояния до Ы =20 чувствительностьдатчика уменьшается до 30 от максимального значения. Минимальный поперечный размер фотоприемника определяется технологическими возможностями его изготовления,На Фиг. 1 схематически изображенфотоэлектрический импульсный датчик;на фиг. 2 дан пример конкретного выполнения. зйФотоэлектрический импульсный датчик содержит источник света 1, приемник света 2 в корпусе 3. Их связывает растр 4...

Номер патента: 682838

Опубликовано: 30.08.1979

Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Веркялис, Гечяускас, Саляхов

МПК: G01R 21/07

Метки: мощности, сверхвысокочастотной

...при этом последний выполнен в виде пластины из материала, обладающего структурным фазовым переходом, например диоксида ванадия, с площадью, не превышающей 0,01 площади поперечного сечения отрезка 1 волновода, а опорный генератор 5 снабжен дополнительным чувствительным элементом (на чертеже не показан).Устройство работает следующим образом.Релаксационный генератор 3 генерирует колебания, частота следования которых частично определяется напряжением переключения чувствительного элемента 2 (напряжением, при котором в нем происходит образование проводящего канала за счет структурного фазового перехода). При отсутствии измеряемой мощности устанавливается нуль частотомера 4. Для этого чаСоставитель знец Корректор Л. Орло едактор Н. Суханов...

Номер патента: 519638

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Гечяускас, Яковлев

МПК: G01R 21/06

Метки: гармоники, колебаний, мощности, первой, сверхвысокочастотных

...Устроиство для измереня мощцост первоц гармоники сверхвысоко,астопых колеб;ццй, содержащее полновод, полупроводниковый датчик и измерительный прцоор, о т л ц ч а ощееся тем, что, с цельО повыц:е:и:я точности измерения, дополнительно Ввелспа расположенная на узкой стенке Волповодд ца расстоянии одной длины волны от голпровоПикового датчика феррнтоадя и,аст 1 цд, ад 1,оторои на . Волповоде стдновлец посто 5 Пцыц Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в антенных устройствах.Известно устройство для измерения мощности первой гармоники сверхвысокоцастотпых колебаний, содержащее вол повод, полупроводниковый датчик ц измерительный прибор.Однако в известном устройсве мощность первой гармоники измеряется с...

Номер патента: 487355

Опубликовано: 05.10.1975

Авторы: Гечяускас, Мозалис

МПК: G01R 21/06

Метки: волноводный, датчик, импульсной, мощности, свч

...СВЧ-энергию материала 5, которым наполнены защитные колпачки 6. Длина полупроводникового бруска превышает ширину волновода, Его концы пропущены в узких стенках волновода. Брусок симметрично расположен на ши. рокой стенке в плоскости, перпендикулярной продольной оси волновода. Находящиеся за пределамц волцовода части бруска с коцтактами помещены в поглощающ Сматериал 5. Один контакт бр кадцу колпачка 6 и с его помо т оскц соединен с волповодом.5 Вынесение контактов бруска за пределыволновода и защита цх поглощающим СВЧ- энергшо материалом практически до нуля снижают напряженность поля СВЧ у контакта. Прц этом цсчезаот параз 11 тцые контакг цыс явления, уменьшается погрешность измерений снижаются т 1 зебован 1 тя и контактам Симметричное...

Номер патента: 482691

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Гечяускас, Мозалис, Репшас

МПК: G01R 21/06

Метки: импульсной, напряженности, свч-поля, электрического

...так, чтобы выполнялось условие 1( Х,/10, где Х, - длина волны в волноводе, Максима.чьная глубина погружения рабочей части чувствительного э,чемента 5 10 15 20 2530(23) ПриоритетОпубликовано 30,08.75,Изобретение относится к СВЧ-технике и может использоваться для измерений импульсных значений напряженности электрического поля, мощности, а также наблюдения огибающей СВЧ-колебаний в волноводах.Известно устройство для измерения импульсной напряженности электрического СВЧ- поля, содержащее отрезок волновода, чувствительный элемент П-образной формы, выполненцый из монокрцсталла, и индикатор.Цель изобретения - повышение точности при увеличении допустимой средней мощности. Для этого на основаниях чувствительного элемента выполнены расположенные...

Номер патента: 467284

Опубликовано: 15.04.1975

Авторы: Гечяускас, Мозалис, Пожела, Репшас

МПК: G01R 21/06

Метки: мощности, свч

...датчик, включающиив себя отрезок во.1 новода 1, полупроводниковый датчик 2 с контактами 3, изолируютцую пластинку 4 и втулку 5, электронный комму татор О, задающий генератор 7, индикаторы6 и 9 импульсной и средней мощностей, а также генератор 10 СВЧ-колебаний,Работа устройства основана на измерениидвух различных видов реакции полупроводника на воздействие импульсно-модулированных колебаний СВЧ.Кристаллическая решетка полупроводника2 обладает значительной тепловой инерцией, 15 и ее средняя температура является функциейсредней мощности импульсных колебаний СВЧ. Контакты 3 чувствительного элемента датчика составляют две, соединенные последовательно, термопары металл-полупроводник, 20 Благодаря тому, что напряженность поляу контакта,...