Билинец

Номер патента: 1178263

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Билинец, Голович, Матвеев, Стусь, Талалакин, Федак

МПК: H01L 21/208

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРInAs InAs1-x-ySbxPyметодом жидкофазной эпитаксии, включающий приготовление раствора-расплава, содержащего индий, мышьяк, сурьму и фосфор, приведение его в контакт с буферной пластиной арсенида индия при температуре начала эпитаксиального наращивания, изотермическую выдержку в течение 30 45 мин, приведение раствора-расплава в контакт с подложкой арсенида индия и последующее наращивание согласованных на границе с подложкой слоев твердого раствора путем принудительного охлаждения системы, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества структур за счет снижения плотности дислокаций в эпитаксиальном слое,...

Номер патента: 1433324

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Билинец, Головач, Матвеев, Стусь, Талалакин

МПК: H01L 21/208

Метки: ingaas, p-n-переходом, системе, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР С p-n-ПЕРЕХОДОМ В СИСТЕМЕ InAs - InGaAs, включающий приготовление насыщенного раствора-расплава индий-галлий-мышьяк, приведение его в контакт с лицевой стороной подложки из арсенида индия, принудительное охлаждение системы, формирование p-n-перехода и сплошного индиевого омического контакта к тыльной стороне подложки, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления омического контакта и сокращения времени изготовления структур, предварительно тыльную сторону подложки толщиной 120 - 360 мкм приводят в контакт с пластиной сапфира, при температуре 970 - 1030 К лицевую поверхность подложки подвергают контактированию с раствором-расплавом, содержащим 0,01 - 0,06 ат. долей галлия, проводят...

Номер патента: 1771939

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Балог, Билинец, Драгунцов, Кияк, Лендел, Мельникович, Мигалина, Сани

МПК: B24D 3/34

Метки: абразивного, инструмента, масса

...76,0 Жидкий бакелит 5,6-5,9 Пульвербакелит 9,3 - 10,5 Криолит 6,4-7,1 Железный сурик 2,3-2,8 Железный сурик представляет собой смешанную окись ГеО (И) и Ее 20 з(Н) в кристаллической решетке которой содержатся оба типа ионов Еез 04 -ф Ее + 2 ЕеО+ 4,0были изготовлены опытные партии абразивных кругов с добавками железного сурика. Определены коэффициенты шлифования этих кругов по сравнению с прототипом, Все круги (размером 300 хЗХ 32 мм) изготовлены и испытаны в идентичных условиях,В лопастную мешалку подают абразив электрокорунд и жидкий бакелит и перемешивают 3-4 мин, Затем эту смесь подают в другую лопастную мешалку, в которой предварительно тщательно перемешана смесь пульвербакелита, криолита и железного сурика или оксид железа, Все...

Номер патента: 1416313

Опубликовано: 15.08.1988

Авторы: Бердиков, Билинец, Кочуров, Титов

МПК: B28B 3/02

Метки: абразивных, кругов

...воздействуя нанижний торец обоймы 24 пресс-формы 7,приподнимает ее над плоскостью опорного пояска тележки б. В этом положении вал 1 1 посредством шлицевого зацепления 25 получает вращение отпривода 10. При этом формовочная плита 11 при помощи привода 9, упорногоподшипника 18, штыря 8 и диска 14 может быть приподнята относительно обоймы пресс-Формы 7 с целью получения различных по толщине нли плотности кругов. Формовочная смесь подается в пресс-форму в объеме, определяемом взаимным положением обоймы и формовочной плиты. Формовочная смесь мо" жет быть уложена в один слой или несколько слоев, перемежающихся армирующнми сетками При формовании многослойных кругов дискретное перемещение формовочной плиты 13 относительно обоймы 24 обеспечивает...

Номер патента: 1272104

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Билинец, Головач, Кондратьева, Сызранов

МПК: G01B 11/06

Метки: жидкости, поверхности, слоя, твердого, тела, толщины

...инфракрасной радесяцееи атисточника 1 излучения, пагеязая наисследуемую поверхность тзерцсга те -ла 5, проходит слои жидко:те 1 Отражается в точке С, вторична праха,гетслой жидкости и зятем няправлясгся(луч с) на регистрирующий ;вел 3.При этом пластина 2 выдвинута и непопадает в ход луча. В этом случаеимеет место ход луча па рабочему каналу, причем мощность излу гения, попадающего на регистрирующий узел 3,пропорциональна прапусканию слоежидкости на поверхности тверцагс тела 5, прапусканию паров жидкости надисследуемой поверхностью и коэффициенту отражения этой поверхности,Для создания Опарнога каняля впоследующий момент времени в ход луча от источникаизлучения при помо.щи виброприводя вводится пластина 2,При этом геаток...

Номер патента: 1188600

Опубликовано: 30.10.1985

Авторы: Билинец, Головач, Перчи, Федак

МПК: G01N 21/61

Метки: газоанализатор

...по одному сферическому зеркалу (соответственно 4 и 5),причем источник 1 излучения размещенв фокальной плоскости зеркала 4, априемник 3 излучения - в фокальнойплоскости зеркала 5. Такое расположение элементов в кювете обеспечивает двухкратное прохождение излучения через кювету с анализируемымгазом, что в совокупности со средствами юстировки (зеркал 4 и 5) приво- З 5дит к увеличению порога чувствительности газоаналиэатора.Электронная схема газоанализатора включает усилитель 6, резонанс. 40ный усилитель 7,синхронные детекторы8 и 9, логарифмические усилители 10и 11, схему 12 вычитания, масштабныйусилитель 13, схему 14 коррекциинуля, регистрирующий прибор 15 иблок:45питания источника 1 б излучения,Импульсное питание подается с.блока 16...

Номер патента: 1187033

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Билинец, Крайслер

МПК: G01N 21/61

Метки: газоанализатор

...импульсы питания на светодиоды, излучение которых спектрально разнесено по длине волны, причем излучение рабочего светодиода 2 совпадает, а сравнительного 3 не совпадает с полосой поглощения исследуемого газа,Диаграмма направленности излучения светодиодов имеет лепестковую Форму (фиг. 2), поэтому светодиоды помеще ны в фокусы параболических зеркальных отражателей 4, что позволяет создать высокопараллельный интенсивный поток инфракрасного излучения светодиодов и направить его под налеред заданными углами Ч,и Ч" (для сравнительного и рабочего светодиода соответственно) на входное окно оптической кюветы, выполненное в виде пропускающей голографической дифракционной 55 решетки 5, Параболические зеркальные отражатели устанавливают так,...

Номер патента: 912697

Опубликовано: 15.03.1982

Авторы: Билинец, Головач, Козич, Федак, Химинец

МПК: C03C 3/12

Метки: стекло

...10-60 Сурьма 2"15 Наиболее близким к изоб технической сущности и дос результату является халько стекло 21 включающее, вес 37; Я 24-30; Те 20-41; ЙЬОсновным недостатком ук стекол являются высокие те размягчения 120-1 при герметизации их разогрева до 2 Цель изобретен ратуры размягчени Поставленная ц что стекло, включ му, серу, дополни лен и бром при сл компонентов, вес. Мьиаьяк Сурьма Сера Селен3 912697 4держивают при этой температуре в те"тель преломления 2,4 - 3,1 на Л = чение 10-15 ч. После чего охлаждают И,06 мкм, коэффициент термического его до комнатной температуры со ско- расширения 1,0 - 8,5 10град ростью не менее 25 град/ч. удельное сопротивление при комнатнойВ таблице представлены состав ,температуре более 10 ф Ом м, темпе"....