H01L 21/225 — диффузия из твердой фазы в твердую фазу или обратно, например легирование оксидного слоя

Номер патента: 136476

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Варданян, Дробышев, Зеликман, Лукашева, Соловьева, Тодорова, Шкуропат

МПК: H01L 21/225

Метки: диодов, кремниевых, перехода

...упрощения технологии и исключения необходимости применения кремния двух типов проводимости предлагается перед испарением в вакууме нагревать пластинку из кремния до 700 - 800".Для получения р-п перехода при применении предлагаемого способа предварительно протравленная кремниевая пластинка толщиной 0,35 - 0,45 ям покрывается с одной стороны слоем никеля и помещается в вакуумную печь, где нагревается до температуры 700 - 800. Затем, не прекращая нагрева, на пластинку наносят испарением в вакууме слой алюминия толщиной 1 - 3 мк и пластинка охлаждается до комнатной температуры, после чего на нее наносится тем же методом второй слой алюминия толщиной 5 - 7 лк. Пластинка вновь нагревается до температуры 700 - 800, выдерживается при этой...

Номер патента: 936743

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Колоскова, Локтаев, Нисневич, Пайвель, Чернова, Шицель

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузии, источника, поверхностного, раствор

...обеспечивает получение гомогенного .раствора со сроком службы более 10 суток, . - Увеличение концентрации эфира ортоборной кислоты более 47 мас.нецелесообразно, так как при этом не увеличивается уровень легирования, а уменьшение ниже 32,2 мас.% - может привести к нарушению гомогенности раствора из-за образования борной кислотыпри избытке воды по отношению к эфиру ортоборной кислоты,. Концентрациятетраэтоксисиланаобеспечивает получение вязкости раствора не менее 5 сСт и связываниелишней воды, содержащейся в растворе 10и растворимых соединениях алюминияили галлия.Количество этилового спирта и воды должно обеспечить растворение соединений легирующих элементов и продуктов гидролиза тетраэтоксисилана,Уменьшение концентрации воды...

Номер патента: 1098455

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Локтаев, Лопуленко, Марквичева, Нисневич, Писарева

МПК: H01L 21/225

Метки: многослойных, областей, сильнолегированных, структурах, формирования

...полная. деструкция легированных фосфором и мышьяком пленок происходит при температуре 800 фС, а легированных бором при 1050 С. Поэтому загрузка пластин должна производиться в печь, нагретую на 50-350 С ниже, чем температура диффузии, Если температура загрузки пластин в печь будет ниже более чем на 350 С или менее чем нао50 С по сравнению с температурой диффузии, то в первом случае за счет увеличения длительности нагрева печи до температуры диффузии будет уменьшаться уровень легирования из-за излишнего испарения примесей, а во втором случае сближение температуры деструкции и диффузии ухудшит однородность и воспроизводимость легирования, так как диффузия и деструкция будут происходить одновременно, В зависимости от массы загружаемых...

Номер патента: 904476

Опубликовано: 15.02.1985

Автор: Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: пленкообразующих, растворов

...можно провести за 1-2 мин. Изменение объемногосоотношения между органическим растворителем и водой от 1:4 до 4:1, я между их смесью и тетраэтоксисиланом от 1:3 до 2:1 может привести к некоторому увеличению времени гицролиэя (.-я 10 мин) и с.окращению срока службыраствора при увеличении содержанияводы и уменьшении содержания органического растворителя. Однако уменьшение содержания воды менее чем 2 моля на 1 моль тетряэтоксисис на также приводит к увеличению времени гидролиза. Поэтому при приготовлс.нии по данному способу целесообразно, чтобы в составе раствора объемное содержание воды было пе больше /2 и не меньше 1/6 от объема тетряэтокспсиляня. Причем соотношения объемен воды и органического растворителя должны учитывать...

Номер патента: 1040975

Опубликовано: 23.04.1985

Авторы: Локтаев, Нисневич, Пайвель, Щицель

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузии, донорный, источника, поверхностного, раствор

...тем,что донорный раствор для полученияповерхностного источника, содержащийрастворитель 1 тетраэтоксисилан, ката"лизатор и ортофосфорную кислоту со"держит компоненты в следующем количественном соотношении, мас.7:Растворитель 45-62Катализатор 0,2-1,5Тетраэтоксисилан 19,4-28,5Ортофосфорная кислота 70 -ная 18-25.Причем в качестве растворителяиспользуется смесь воды и этиловогоспирта при их объемном соотношенииот 1:30 до 1:6,Соотношение компонентов растворапозволяет получить пленку легированного окисла (после термодеструкции)толщиной около 1 мкм с содержаниемв нем окисла фосфора около 60 мас,Е,которая является практически неограниченным источником фосфора при создании дидйузионных слоев и+-типа толщиной до 200 мкм.В то же время...

Номер патента: 1479973

Опубликовано: 15.05.1989

Автор: Павленко

МПК: H01L 21/225

Метки: бора, диффузии, источника, твердого

...пластификатора при 250- 300 С) являются подготовительными для этапа спекания слоя смеси с подложкой.Сушка в температурных и временных режимах, отличных от приведенных в формуле изобретения, не является эффективной: покрытие либо обсыпается на следующих стадиях термообработки, либо приобретает вид рыхлой рассыпчатой массы. Выжигание платификатора при температуре выше 300 С сопровождается воспламенением и приводит к отслоению смеси от подложки. За время 5-20 мин при 250 - 300 С происходит следующий процесс: сначала слой смеси на пластине-подложке чернеет, а затем постепенно приобретает белую окраску, Спекание в течение более 40 мин или (и) при температуре выше 1100 фС приводит к тому, что некоторые участки покрытия заворачиваются краями в...

Номер патента: 1817866

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Громов, Джус, Муратов, Нерсесян, Татеосов, Христич

МПК: H01L 21/225

Метки: диодов, импульсных, кремниевых, эпитаксиально-диффузионных

...области и переходе металл- полупроводник уменьшится, что позволит увеличить плотность тока с одновременным сохранением (уменьшением) граничного значения ОпрямПримерамй конкретного использования данного изобретения является изготовление диодов: 1) 2 Д(КД)2999 (Опрям 0,93 В пРипрям 20 А овос.обр. 200) на кРисталле диаметром 6,0 мм, вместо ранее использованного кристалла диаметром 8,5 мм 2) 2 Д(КД) 2997 (Ообр 0,93 В при 1 прям = ЗОА, лоос,обр. 200) На КРИСтаЛЛЕ ДИаМЕтРОМ 8,5 мм, вместо ранее использованного кристалла диаметром 10 мм.Режим дополнительного термоотжига, с целью уменьшения падения напряжения на контактах и в прйконтактных областях, выбран был следующим: Т=1250 С, с =.(2-5) ч.Режим термообжига, согласно технологиче. ских...

Номер патента: 1563506

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Гук, Зубрилов, Котин, Шуман

МПК: H01L 21/225

Метки: n-переходов, лавинным, пробоем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ p - n-ПЕРЕХОДОВ С ЛАВИННЫМ ПРОБОЕМ, включающий очистку шлифованной поверхности кремниевой пластины n-типа проводимости, формирование на поверхности пластины боросодержащего источника диффузии, проведение диффузии бора при температуре не ниже 1250oС не менее 20 ч, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия включения p - n-перехода за счет уменьшения времени задержки лавинного пробоя и повышения величины допустимой энергии в единичном импульсе обратного тока, используют кремниевую пластину с удельным сопротивлением 0,01 - 1,0 Ом см, очистку шлифованной поверхности кремниевой пластины проводят кипячением в водяном растворе едкого кали...

Номер патента: 1347794

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Гальцев, Глущенко, Душкин

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузионного, источника, легирования

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИСТОЧНИКА ДИФФУЗИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ , включающий теpмическую обpаботку пластин нитpида боpа в окисляющей сpеде, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности источника диффузионного легиpования, на пластины нитpида боpа наносят слой двуокиси кpемния и последующую теpмическую обpаботку пpоводят до полного пеpехода слоя двуокиси кpемния в каплевидные фоpмы боpсиликатного стекла пpи 1000 - 1200oС.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что слой двуокиси кpемния наносят толщиной 0,5 - 1,5 мкм.

Номер патента: 1131388

Опубликовано: 15.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/225

Метки: компенсацией, полупроводниковых, структур, температурной

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ, включающий легирование монокристаллического кремния n-типа проводимости примесями - донором мелкого уровня (мышьяком) и акцептором мелкого уровня (бором) - с общей концентрацией примесей, превышающей 8 1018 атомов см-3, отличающийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента удельного сопротивления слоев кремния p- и n-типа, на бездислокационную полупроводниковую подложку кремния наносят поликонденсационную пленку двуокиси кремния, содержащую 3 - 10% ангидрида-диффузанта акцептора мелкого уровня или...

Номер патента: 1635817

Опубликовано: 15.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/225

Метки: компенсацией, полупроводниковых, структур, температурной

...формирование контактных площадок и межсоединений и получение омического контакта посредством вжигания алюминия,П р и м е р 3. На кремниевой пластине, марка КЭФ, плоскость кристаллографической ориентации 110), методом термического окисления создается маскирующий слой двуокиси кремния толщиной 0,5-0,8 мм, затем групповым методом фотолитографии вскрывают окно первой области, Затем на пластину методом центрифугирования наносят гидролиэно-поликонденсационную пленку двуокиси кремния, содержащую 20 мас. 7 ь ангидрида - диффуэанта донора глубокого уровня - железа, Проводят термодеструкцию пленки при 600 С в течение 3 мин в потоке инертного газа (аргона) и удаляют с поверхности маскирующего слоя ЯЮг легированную железом пленку, Затем...

Номер патента: 1531753

Опубликовано: 15.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/225

Метки: компенсацией, полупроводниковых, структур, температурной

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ, включающий формирование на поверхности монокристаллического кремния двух соприкасающихся областей путем диффузионного легирования примесями одинакового типа проводимости, при этом первую область легируют примесью глубокого уровня, а вторую область - примесью мелкого уровня до концентрации примеси мелкого уровня, значительно большей концентрации примеси глубокого уровня, и глубины p - n-перехода примеси мелкого уровня, значительно меньшей глубины p - n-перехода примеси глубокого уровня, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет уменьшения температурного коэффициента удельного сопротивления слоев кремния p- и n-типа и упрощения технологии...

Номер патента: 1454157

Опубликовано: 27.01.1995

Автор: Денисюк

МПК: H01L 21/225

Метки: бора, диффузии, источников, нитрида, основе, планарных, твердых

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДЫХ ПЛАНАРНЫХ ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИИ БОРА НА ОСНОВЕ НИТРИДА БОРА, включающий приготовление диффузанта путем смешивания порошков нитрида бора и наполнителя, нанесение диффузанта на кремниевую пластину и спекание в окислительной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня легирования полупроводников из твердых планарных источников при 725 - 975oС при производстве интегральных микросхем, в качестве наполнителя диффузант содержит порошок кремния при следующем соотношении компонентов диффузанта, мас.ч.:Нитрид бора - 85 - 95Порошок кремния - 5 - 15а спекание проводят при 975 - 1050oС в течение 30 - 60 мин.

Номер патента: 1563507

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Денисюк, Пих

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузии, источник, планарный, твердый, фосфора

ТВЕРДЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ИСТОЧНИК ДИФФУЗИИ ФОСФОРА, содержащий диффузант на основе метафосфата алюминия, расположенный в виде отдельных блоков с плоской поверхностью по обеим сторонам кремниевой подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока эксплуатации за счет увеличения степени заполнения площади кремниевой подложки диффузантом и массы диффузанта и повышения термомеханических свойств источника, блоки диффузанта имеют в горизонтальном сечении форму квадрата или прямоугольника со сторонами 1,6 - 5,0 и высоту 0,9-2,5 толщины подложки, при этом зазор между блоками составляет 0,3 - 0,9 толщины подложки, толщина кремниевой подложки составляет 0,0065-0,0090 ее диаметра, при этом блоки закрывают центральную часть поверхности подложки...

Номер патента: 1829758

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Бреслер, Денисюк

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузии, изготовлении, источника, полупроводниковых, приборов, твердого, фосфора

...кассеты устанавливают 100 рабочих кремниевых пластин диаметром 76 мм (в каждую по 50 шт. пластин) с формируемым силовым модулем, представляющим собой тройной транзистор Дарлингтона. В этих кремниевых пластинах имеется эпитаксиальный слой птипа и созданы базовые области р-типа биполярных транзисторов с параметрами базы как в примере 1 (после диффузии галлия), в которых вскрыты эмиттерные области для диффузии фосфора. В испарители на кварцевых кассетах насыпают порошок пирофосфата кремния с дисперсностью 0,5- 100 мкм,Далее процесс производят как в примере 1, с выдержкой на рабочей температуре55 1150 С в течение 3 ч, а затем после выгрузки кремниевых пластин дальнейшие технологические операции для создания силовых модулей; вскрытию...

Номер патента: 1780457

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Денисюк, Левицкая

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузии, источников, кремния, основе, пирофосфата, планарных, твердых, фосфора

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДЫХ ПЛАНАРНЫХ ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА НА ОСНОВЕ ПИРОФОСФАТА КРЕМНИЯ, включающий приготовление смеси из порошков пирофосфата кремния, кремния и пирофосфата циркония, нанесение диффузанта в виде блоков на термостойкую подложку из кремния и спекание источника диффузии фосфора в инертной или окислительной среде при 1010 1050oС, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных источников при изготовлении и увеличения срока их службы при эксплуатации при температурах не выше 1050oС за счет повышения термомеханических свойств источников и снижения отслаивания блоков диффузанта и выкрашивания частиц диффузанта, перед нанесением диффузанта на термостойкую подложку из кремния приготавливают...

Номер патента: 1753886

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Васильев, Жулина, Орлов

МПК: H01L 21/225

Метки: пленкообразующий, раствор

ПЛЕНКООБРАЗУЮЩИЙ РАСТВОР для легирования кремниевых пластин, включающий хлорпроизводное соединение сурьмы, тетраэтоксисилан, изопропиловый спирт, воду и соляную кислоту, отличающийся тем, что, с целью улучщения однородности легирования и увеличения срока годности раствора, он дополнительно содержит диглим в массовом отношении к изопропиловому спирту 1,2 1, а в качестве хлорпроизводного соединения сурьмы дихлоргидратхлордиэтоксид сурьмы общей формулы SbCl3H12C4O2 при следующем соотношении компонентов, мас.Дихлоргидратхлордиэтоксид сурьмы 3 5Тетраэтоксисилан 20 30Вода 3,5 6,0Соляная кислота (36%-ная) 0,1 0,3Смесь диглима с изопропиловым спиртом Остальное

Номер патента: 1829757

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Аветисян, Енишерлова, Клемин, Орлов, Шмелева

МПК: H01L 21/225

Метки: p-p+-структур, кремниевых

...после изготовления омических контактов из структуры 5 вырезаются фотоприемники или линейкифотоприемников.Приборы, изготовленные в режимах, отличных от приведенных в изготовлении, имеют худшие по сравнению с теми прибо рами, которые изготавливаются согласноданному предложению, фотоэлектрические параметры, у них не оптимальные параметры барьерного слоя (см, таблицу, примеры 2-21). Например, прибор, изготовленный 15 при температуре отжига 1100 и времениотжига 3 ч имел до одного порядка хуже ампер-ваттную чувствительность. Такой же эффект наблюдается при изменении времени отжига, например, меньше 2 ч, при сохрэ нении температур отжига в пределах1150-1230 С.1829757 Продолжение таблицы Качество репою а структуре р .о в со.Концентрацию...

Номер патента: 1032936

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Жилин, Косогов, Русаков, Телепина, Типаева

МПК: H01L 21/225

Метки: свч-биполярных, транзисторов

Способ изготовления СВЧ-биполярных транзисторов, включающий создание на полупроводниковой подложке коллекторного и эмиттерного переходов и сильнолегированных областей пассивной базы путем селективной диффузии базовой примеси в подложку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения емкости коллекторного p n-перехода и КПД коллекторной цепи путем уменьшения горизонтальных размеров областей пассивной базы, диффузию примеси проводят в интервале температур 900 950oС в течение 7 20 мин.

Номер патента: 1602275

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Губарев, Марквичева, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: кремниевых, структур

Способ изготовления кремниевых структур, включающий химическую обработку пластин кремния n-типа проводимости, загрузку пластины и источника алюминия в печь, проведение первой термообработки - диффузии алюминия, выгрузку из печи, загрузку пластин и источника галлия в печь и проведение второй термообработки - диффузии галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения времени жизни дырок в n-слое в качестве источника алюминия используют пленку оксида кремния толщиной 0,2-0,4 мкм, осажденную на кремниевую пластину из раствора и содержащую 0,3-4,8 мас.% оксида алюминия, а в качестве источника галлия используют пленку оксида кремния толщиной 0,2-0,4 мкм, осажденную на кремниевую пластину из...

Номер патента: 1568799

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Губарев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание n-n+- или n-p+-двухслойной кремниевой структуры, формирование на ее поверхности маскирующего покрытия, формирование слоя p-типа диффузией акцепторных примесей со стороны слоя n-типа, формирование термическим окислением пленки окисла кремния, фотолитографическое вскрытие в ней окон со стороны слоя p-типа и формирование n+ - областей диффузией донорной примеси в окна пленки окисла кремния, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления структур за счет сокращения количества высокотемпературных операций, маскирующее покрытие формируют толщиной 0,2-0,4 мкм путем нанесения...

Номер патента: 1400376

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Локтаев, Нисневич, Пайвель

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузии, источника, кремний, пленкообразующих, поверхностного, приготовления, примесей, растворов

Способ приготовления пленкообразующих растворов для получения поверхностного источника диффузии примесей в кремний, содержащих органический растворитель, воду, катализатор гидролиза тетраэтоксисилана, соединения легирующих примесей и тетраэтоксисилан, включающий растворение части компонентов, включая тетраэтоксисилан; гидролиз тетраэтоксисилана и растворение оставшихся компонентов в растворе гидролизованного тетраэтоксисилана, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров диффузионных слоев за счет повышения вязкости растворов, раствор гидролизованного тетраэтоксисилана перемешивают, нагревая до температуры 50 - 90oC, пока его объем не уменьшится в 1,2 - 2,5 раза.

Номер патента: 1340476

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Грипас, Локтаев, Марквичева, Насекан, Нисневич, Павлынив

МПК: H01L 21/225

Метки: n+pnpp+, многослойных, структур, типа

1. Способ изготовления многослойных структур n+-p-n-p-p+ типа силовых тиристоров, включающий создание на p-n-p-структуре маскирующей пленки, локальной со стороны катода и сплошной со стороны анода, загонку донорной примеси, полное удаление маскирующей пленки, осаждение на анодную сторону раствора, содержащего соединения бора, складывание пластин в стопку и разгонку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров тиристора за счет повышения однородности подлегирования бором шунтов и управляющего электрода со стороны катода и создания неоднородного распределения времени жизни неосновных носителей заряда в n-базе, на анодную сторону осаждают раствор,...

Номер патента: 1593507

Опубликовано: 27.06.2000

Автор: Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузионного, донорный, кремния, легирования, раствор

Донорный раствор для диффузионного легирования кремния, содержащий растворитель, тетраэтоксисилан, катализатор, ортофосфорную кислоту и соединение мышьяка, отличающийся тем, что, с целью повышения глубины диффузионных слоев до 100 мкм при сохранении высокой поверхностной концентрации, в качестве катализатора использована азотная кислота, а в качестве соединения мышьяка использована ортомышьяковая кислота, причем соотношение ортофосфорной и ортомышьяковой кислот составляет от 8:1 до 1:1 по объему при следующем соотношении компонентов, мас.%:Растворитель - 45 - 62Тетраэтоксисилан - 19,4 - 28,5Азотная кислота - 0,2 - 1,5Ортофосфорная и ортомышьяковая кислота - 18 - 31

Номер патента: 1593508

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Губарев, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: алюминия, галлия, диффузии, кремниевые, пластины

Способ диффузии алюминия и галлия в кремневые пластины, включающий очистку поверхности, осаждение из растворов легированных пленок, складывание пластин одноименными сторонами в стопку, загрузку в окислительной атмосфере в реактор диффузионной печи, нагретой до температуры ниже температуры диффузии, выдержку при этой температуре для проведения деструкции, нагрев до температуры диффузии в потоке газа и термообработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров изготавливаемых силовых полупроводниковых структур на основе полированных пластин за счет повышения времени жизни дырок и повышения воспроизводимости легирования, стопку пластин предварительно помещают в заваренный с одного...

Номер патента: 1480664

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Колоскова, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: многослойных, полупроводниковых, приборов, структур

Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов, включающий очистку пластин кремния, осаждение на одну поверхность пластин пленкообразующего раствора с легирующими примесями, осаждение на другую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, содержащего этиловый спирт, азотнокислый алюминий, борную кислоту и тетраэтоксисилан, и проведение одновременной диффузии путем термообработки, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа для изготовления многослойных структур тиристоров и транзисторов одной термообработкой, проводят осаждение на вторую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, дополнительно содержащего ортомышьяковую...

Номер патента: 1480665

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Бахшецян, Варданян, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузионного, кремния, легирования, раствор, фосфором

Раствор для диффузионного легирования кремния фосфором, содержащий органический растворитель, ортофосфорную кислоту и пленкообразующий компонент, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня легирования диффузионных слоев толщиной более 50 мкм, в качестве пленкообразующего компонента используют эфир германия Ge(OCnH2n+1)4 где 3 n 6, при следующем соотношении компонентов, мас.%:Органический растворитель - 45 - 70Ортофосфорная кислота (70%-ная) - 20 - 40Эфир германия - 5 - 20

Номер патента: 1424632

Опубликовано: 27.06.2000

Автор: Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: кремния, легирования, пластин, пленкообразующий, приготовления, раствор

1. Пленкообразующий раствор для легирования пластин кремния, содержащий этиловый спирт, катализатор, тетраэтоксисилан и соединения 1-й легирующей примеси - азотнокислый алюминий, гидрат и 2-й легирующей примеси, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости легирования за счет повышения стабильности раствора и улучшения смачиваемости поверхности пластин, а также облегчения процесса удаления пленки с поверхности после окончания легирования, он содержит компоненты в следующем количественном соотношении, мас.%:Этиловый спирт 96o - 38,6 - 52,0Катализатор - 0,5 - 2,5Тетраэтоксисилан - 4,2 - 6,4Соединение 1-ой легирующей примеси - азотнокислый...

Номер патента: 1007546

Опубликовано: 10.06.2007

Авторы: Соболев, Шек

МПК: H01L 21/225, H01L 21/34

Метки: p-n-p-n, структуры

Способ изготовления p-n-p-n структуры в окисляющей атмосфере, включающей отмывку поверхностей пластины кремния n-типа проводимости, диффузию в галогенсодержащей среде акцепторных примесей, стравливание двуокиси кремния с поверхности пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структуры и повышения их воспроизводимости, перед операцией отмывки осуществляется полировка поверхностей пластины, после отмывки окисляют пластину в галогенсодержащей среде и стравливают образовавшуюся двуокись кремния с поверхностей пластины, затем на обе стороны пластины наносят пленку двуокиси кремния, легированную акцепторными примесями, после стравливания двуокиси кремния с...