H01L 31/0352 — характеризуемые формой или формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей
Структура для приемника ик-излучения
Номер патента: 1810932
Опубликовано: 23.04.1993
Авторы: Игуменов, Крутоголов, Лункина, Плосконосов
МПК: H01L 31/0352
Метки: ик-излучения, приемника, структура
...Ферми, Е, - дно зоны проводимости, Еч - потолок валентной зоны.Структура содержит подложку 1 из уэкоэонного полупроводникового материала и -типа проводимости, на которую последовательно нанесены дополнительный слой 2 р -типа проводимости, слой 3 р-типа проводимости,Рассмотрим работу заявляемой структуры в фотоприемнике ИК-излучения, где излучение принимается со стороны подложки (хотя структура может работать и при освещении со стороны п-слоя).Воэможность работы структуры в фотоприемнике с засветкой со с 1 ороны подложки обеспечивается тем, что за счет сильного легирования материала подложки примесью п-типа регистрируемое излучение проникает через подложку 1, а за счет того, что толщина дополнительного слоя 0,1-1 мкм - через...
Полупроводниковый прибор
Номер патента: 1306407
Опубликовано: 20.04.1995
Авторы: Бородовский, Булдыгин, Принц
МПК: H01L 29/20, H01L 31/0352
Метки: полупроводниковый, прибор
1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР на основе соединений А3В5, представляющий собой полупроводниковую пленку с двумя омическими контактами, выполненную на полуизолирующей подложке, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет обеспечения управляемого переключения прибора из низкоомного в одно из более высокоомных состояний, обеспечения возможности записи и сохранения информации о величине и полярности напряжения, прилагаемого к прибору при записи, обеспечения непрерывной регистрации поглощенного прибором излучения, полуизолирующая подложка выполнена из материала, легированного компенсирующей примесью с глубоким уровнем с концентрацией в интервале 5
Полупроводниковый фотоприемник
Номер патента: 880198
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Герасименко, Лежайко, Любопытова, Ободников
МПК: H01L 31/0352
Метки: полупроводниковый, фотоприемник
Полупроводниковый фотоприемник на основе внутреннего фотоэффекта, содержащий кристалл с фотоприемной поверхностью, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона фоточувствительности, над фотоприемной поверхностью расположен варизонный слой, толщина которого не более обратной величины коэффициента поглощения регистрируемого излучения и не менее длины туннелирования носителей заряда, причем градиент ширины запрещенной зоны удовлетворяет соотношениюгде Eg(x) - ширина запрещенной зоны; - подвижность носителей...