Способ изготовления полупроводниковых структур

Номер патента: 1178263

Авторы: Билинец, Голович, Матвеев, Стусь, Талалакин, Федак

Формула

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
InAs InAs1-x-ySbxPy
методом жидкофазной эпитаксии, включающий приготовление раствора-расплава, содержащего индий, мышьяк, сурьму и фосфор, приведение его в контакт с буферной пластиной арсенида индия при температуре начала эпитаксиального наращивания, изотермическую выдержку в течение 30 45 мин, приведение раствора-расплава в контакт с подложкой арсенида индия и последующее наращивание согласованных на границе с подложкой слоев твердого раствора путем принудительного охлаждения системы, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества структур за счет снижения плотности дислокаций в эпитаксиальном слое, вводят в раствор-расплав фосфор в количестве 0,11 0,19 мас. а температуру начала эпитаксиального наращивания устанавливают в диапазоне 700 730oС.

Описание

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных приборов с применением жидкостной эпитаксии.
Цель изобретения улучшение качества структур за счет снижения плотности дислокаций в эпитаксиальном слое.
Примеры реализации способа.
На подложках InAs (III) B и (III) A выращивают эпитаксиальные пленки InAs0,78Sb0,07P0,14 (состав на гетерогранице) по режимам, представленным в таблице, где ХInl, XAsl, XSbl, XPl соответственно атомные концентрации индия, мышьяка, сурьмы и фосфора в расплаве. Время выдержки и скорость охлаждения соответственно составляют 30 мин и 0,24оС/мин.
Плотность дислокации N определяют путем подсчета ямок травления, полученных при обработке образцов в смеси: 2 мл H2O, 8 мг AgNO3, 1 г CrO3, 1 мл НF (АВ травитель).
Как видно из таблицы, выбор режимов за пределами указанных интервалов приводит к ухудшению качества эпитаксиальных структур InAs1-x-ySbxPy.

Рисунки

Заявка

3673088/25, 14.12.1983

Специальное конструкторское бюро средств аналитической техники с опытным заводом

Билинец Ю. Ю, Голович И. И, Матвеев Б. А, Стусь Н. М, Талалакин Г. Н, Федак В. В

МПК / Метки

МПК: H01L 21/208

Метки: полупроводниковых, структур

Опубликовано: 10.04.1995

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1178263-sposob-izgotovleniya-poluprovodnikovykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления полупроводниковых структур</a>

Похожие патенты