Способ изготовления полупроводниковых структур
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
InAs InAs1-x-ySbxPy
методом жидкофазной эпитаксии, включающий приготовление раствора-расплава, содержащего индий, мышьяк, сурьму и фосфор, приведение его в контакт с буферной пластиной арсенида индия при температуре начала эпитаксиального наращивания, изотермическую выдержку в течение 30 45 мин, приведение раствора-расплава в контакт с подложкой арсенида индия и последующее наращивание согласованных на границе с подложкой слоев твердого раствора путем принудительного охлаждения системы, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества структур за счет снижения плотности дислокаций в эпитаксиальном слое, вводят в раствор-расплав фосфор в количестве 0,11 0,19 мас. а температуру начала эпитаксиального наращивания устанавливают в диапазоне 700 730oС.
Описание
Цель изобретения улучшение качества структур за счет снижения плотности дислокаций в эпитаксиальном слое.
Примеры реализации способа.
На подложках InAs (III) B и (III) A выращивают эпитаксиальные пленки InAs0,78Sb0,07P0,14 (состав на гетерогранице) по режимам, представленным в таблице, где ХInl, XAsl, XSbl, XPl соответственно атомные концентрации индия, мышьяка, сурьмы и фосфора в расплаве. Время выдержки и скорость охлаждения соответственно составляют 30 мин и 0,24оС/мин.
Плотность дислокации N определяют путем подсчета ямок травления, полученных при обработке образцов в смеси: 2 мл H2O, 8 мг AgNO3, 1 г CrO3, 1 мл НF (АВ травитель).
Как видно из таблицы, выбор режимов за пределами указанных интервалов приводит к ухудшению качества эпитаксиальных структур InAs1-x-ySbxPy.
Рисунки
Заявка
3673088/25, 14.12.1983
Специальное конструкторское бюро средств аналитической техники с опытным заводом
Билинец Ю. Ю, Голович И. И, Матвеев Б. А, Стусь Н. М, Талалакин Г. Н, Федак В. В
МПК / Метки
МПК: H01L 21/208
Метки: полупроводниковых, структур
Опубликовано: 10.04.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1178263-sposob-izgotovleniya-poluprovodnikovykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления полупроводниковых структур</a>
Предыдущий патент: Способ получения природных капсаициноидов
Следующий патент: Способ отделения элементов литниковой системы от отливок из тугоплавких химически активных сплавов
Случайный патент: Устройство контрацепции