Патенты с меткой «монофазного»

Номер патента: 1829811

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Иванов, Похолков, Савельев, Хасанов

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: высокодисперсного, высокотемпературного, монофазного, порошка, сверхпроводника

...температуры синтеза, сокращение продолжительности помола после синтеза для получения монофаэного порошка высокотемпературного сверхпроводника УВа 2 Сцз 07-х с частицами субмикронных размеров,Применение УДП меди удельной поверхностью. на три порядка превосходящей удельную поверхность порошка СцО стандартного, приводит к увеличению скорости синтеза шихты, что способствует снижению температуры и времени синтеза порошка и увеличению степени гомогенности синтезируемого порошка.П р и м е р, Исходные компоненты шихты; У 20 з ("хч", ГОСТ 42-208-81), ВаСОз ("чда", ГОСТ 4158-80) и УДП меди, полученный методом электрического взрыва проводников (ВТУ 2-25-98) с размерами частиц 0,05 - 0,15 мкм сферической формы, берут в соотношении, мас,% У 20 з...