Талалакин

Номер патента: 1817373

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Васильева, Гегенава, Демидова, Спирин, Талалакин, Шадрин

МПК: B22F 3/16, C04B 35/26, G01N 27/72 ...

Метки: горячего, изостатического, прессования, температуры, ферритов

...Проводят предварительное спеканиепартии заготовок.2, В партии заготовок перед доуплотнением измеряют плотность р, каждой заготовки и располагают эти заготовки в порядкевозрастания плотности от р, до рХ, где Хобъем партии заготовок, определяя темсамым порядковые статистики плотностикаждой заготовки.3, Из партии отбирают две выборкизаготовок объемом и, и и, соответственно,порядковые статистики которых несут максимальную информацию о величине среднегоарифметического значения р изделий даннойпартии,4. Доуплотняют одну выборку объемоми, при температуре Т, вторую выборкуобъемом и, - при температуре Т, , где Т,Тр.5. Измеряют величину у вех изделий ввыборках после доуплотнения.6. Определяют средние арифметическиезначения у в первой у,...

Номер патента: 1672814

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Борзых, Борисов, Зотова, Марков, Матвеев, Ремизов, Семенов, Стусь, Талалакин, Хорошев

МПК: G01N 21/31

Метки: газоанализатор

1. Газоанализатор, содержащий излучающий диод, p-n-переходы которого выполнены идентичными в одном и том же кристалле, фокусирующую оптическую систему по крайней мере с одним элементом, выполненным в виде вогнутого отражателя, в фокусе которого расположен фотоприемник, и электронную схему выделения полезного сигнала, подключенную к фотоприемнику, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей газоанализатора за счет определения качественного состава газовой смеси, на поверхности по крайней мере одного из отражателей нанесена дифракционная решетка и/или газоанализатор содержит дифракционную решетку, в меридиональной плоскости которой на направлениях главных дифракционных максимумов расположены диод и фотоприемник,...

Номер патента: 1428141

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Зотова, Карандашев, Матвеев, Рогачев, Стусь, Талалакин

МПК: H01L 33/00

Метки: диод, светоизлучающий

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД, содержащий варизонную структуру на основе InAsSbP с p-n-переходом и омические контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения квантового выхода в области длин волн, больших 3,9 мкм, за счет обеспечения стимулированного режима работы светодиода, вариозная структура с p-n-переходом выполнена в виде пленки InAsSb, расположенной на варизонной пленке InAsSbP толщиной 60-90 мкм, торцовые грани диода сколоты по плоскостям, сходящимся в центре под углом , причем пленки InAsSb и InAsSbP выполнены в виде концентрических шаровых слоев, прилегающих к InAsSbP, n-область InAsSb имеет толщину 2-4 мкм, периоды решеток в обеих пленках линейно возрастают в направлении...

Номер патента: 1178263

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Билинец, Голович, Матвеев, Стусь, Талалакин, Федак

МПК: H01L 21/208

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРInAs InAs1-x-ySbxPyметодом жидкофазной эпитаксии, включающий приготовление раствора-расплава, содержащего индий, мышьяк, сурьму и фосфор, приведение его в контакт с буферной пластиной арсенида индия при температуре начала эпитаксиального наращивания, изотермическую выдержку в течение 30 45 мин, приведение раствора-расплава в контакт с подложкой арсенида индия и последующее наращивание согласованных на границе с подложкой слоев твердого раствора путем принудительного охлаждения системы, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества структур за счет снижения плотности дислокаций в эпитаксиальном слое,...

Номер патента: 1433324

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Билинец, Головач, Матвеев, Стусь, Талалакин

МПК: H01L 21/208

Метки: ingaas, p-n-переходом, системе, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР С p-n-ПЕРЕХОДОМ В СИСТЕМЕ InAs - InGaAs, включающий приготовление насыщенного раствора-расплава индий-галлий-мышьяк, приведение его в контакт с лицевой стороной подложки из арсенида индия, принудительное охлаждение системы, формирование p-n-перехода и сплошного индиевого омического контакта к тыльной стороне подложки, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления омического контакта и сокращения времени изготовления структур, предварительно тыльную сторону подложки толщиной 120 - 360 мкм приводят в контакт с пластиной сапфира, при температуре 970 - 1030 К лицевую поверхность подложки подвергают контактированию с раствором-расплавом, содержащим 0,01 - 0,06 ат. долей галлия, проводят...

Номер патента: 1649827

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Мнасина, Пустовойт, Реутова, Сигалова, Столяров, Талалакин, Яблонский

МПК: C22C 16/00

Метки: основе, сплав, циркония

СПЛАВ НА ОСНОВЕ ЦИРКОНИЯ преимущественно для геттеров, содержащий ванадий, отличающийся тем, что, с целью повышения сорбционной активности по водороду, он дополнительно содержит кальций при следующем соотношении компонентов, мас.%:Ванадий 20 - 35Кальций 0,1 - 0,5Цирконий Остальное

Номер патента: 2001388

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Борисов, Марков, Матвеев, Стусь, Талалакин, Тарасова

МПК: G01N 21/61

Метки: газоанализатор

...индикации тока 15, где с помощью вычислительного устройства и предварительно введенной в память устройства зависимости Х = 1( 2), осуществляХется вывод концентрации газа (х) на индикаторную панель.Гаэоанализатор был реализован в лабораторных электронных полупроводников ФТИ им, А.Ф.Иоффе АН СССР.На оптической плите на расстоянии 5 см друг от друга были смонтированы оптически сопряженные фотоприемник ФР, изготовленный объединением "Позитрон", и светодиоды, снабженные параболическими отражателями, излучающие нд длинах волн 3,32 мкм (измерительный канал) и 2,9 мкм (опорный канал). Излучающая поверхность светодиодов имела площадь 500 х 500 мкм. В схеме выделения полезного сигнала блоки накопления были изготовлены по известным схемам и...

Номер патента: 1494353

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Гегенава, Демидова, Мацкевич, Талалакин

МПК: B22F 3/15

Метки: горячего, изостатического, капсула, порошков, прессования, стеклянная, ферритовых

...к1 с) 1"5 РДГ 1 Р ЦЦЮ С.".сцЗ сЛ . ЦЗож- Г Твй Обс уд В д П 1 Н11 Рцмецецис капсули длццой ко 1. трукции познолцет Уне 1 исц 1 с объем здгРУзкц оборудования (коцчест 1 о капсул) б:дгодаря ее мецьщей высоте по срдннению с известной капсулой при одицлковых габаритах помещаемых в цих заготовок и эа счет этого уеличцть производительность.П р и м е р, В капсулах описанной коснтрукции было осуществлецо ГИП Феррогранатов марки 9 СЧ и 1 ОСЧ 6 Б, Результаты экспериментов принедены н табл.1.Исследования показали, что Ферриты данных марок прц нагревании доО1100 С в газовой среде, создаваемой в антоклаве при прессовлцци, не восстанавливаются и це дцссоццируют, следовательно, иэделия из цих могут быть получены методом ГИП в капсулах описанной...

Номер патента: 1715496

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Бердяева, Пустовойт, Реутова, Столяров, Талалакин

МПК: B22F 3/18, B22F 7/00, H01J 19/70 ...

Метки: газопоглотителя, ленты, нераспыляемого, трехслойной

...180 мм,Испытания проводят на стенде геттерных материалов методом измерения скорости сорбции водорода при постоянномего потоке в камере объемом 73 л ипредельном вакууме 4 10торр. Температура испытания 200 С,Для механических испытаний изпластин изготавливали образцы размерами 70 х 150,9 мм. Испытания проводили на испытательной машине типа "1 пэйгоп",П р и м е р. Порошок злектролитического никеля, содержащего 75 мас.Жчастиц размерами до 40 мкм (т,е. прошедших через сетку с размером ячейки40 мкм) и 25 мас.Х частиц размерамиот 40 до 80 мкм, засыпали в среднююзону бункера, а порошок сплава циаля,содержащего 1 б мас,Ж А 1, остальноеЕг, полученного методом гидриднокальциевого восстановленИя и. состоящего.иэ 20 мас.Х частиц размерами до20...

Номер патента: 928942

Опубликовано: 07.02.1987

Авторы: Есина, Зотова, Матвеев, Рогачев, Стусь, Талалакин

МПК: H01L 21/208

Метки: основе, переходом, полупроводников, структур, типа

...кон 6 - 3 центрации дырок не менее 5 10 см / /мкм).В соединениях А В подвижностьш чэлектронов значительно больше подвижности дырок, например для 1 пАз их отношение составляет 50 при 300 К. Это обуславливает преимущественную инжекцию электронов в р-область.Поскольку вероятность излучательной рекомбинации можно считать пропорциональной концентрации дырок на диффузионной длине от р-п в перехо, то эффективность излучения р-п-перехода с резким профилем распределения дырок вблизи р-п-перехода значительно (по крайней мере, на порядок) выше, чем в р-п-переходах, полученных известным способом, а наиболее оптимальный интервал легирования, как показывает опыт, находится в пределах 510 - 110 смй . в -3 Указанный состав жидкой фазы определяют на...

Номер патента: 1056315

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Есина, Зотова, Матвеев, Неуймина, Стусь, Талалакин

МПК: H01L 21/66

Метки: варизонного, параметров, полупроводника

...при указанном способе возбуждения направлено навстречу неосновным носителям, образующимся 10 при возбуждении кристалла. В результате основные носители скапливаются в небольшой области вблизи поверхности полупроводника, где Е равно Е,к ,. Поскольку спектр излучения (пик люминесценции) Формируют неосновные носители, то Е мюк "макс+ +АМ, гДе Ем- шиРина запРещенйой эоны на узкозонной поверхности полупроводника Ьмакс - энергия пика краевой люминесценции, т,е. энергия излученного кванта, при кото-ром интенсивность люминесценции имеет максимальное значение, а АЯ некоторая поправка, учитывающая положение уровня Ферми, глубину залегания примеси, через которую идет рекомбинация, а также особенности формирования пика люминесценции...

Номер патента: 845578

Опубликовано: 23.02.1982

Авторы: Матвеев, Стусь, Талалакин

МПК: G01N 21/21

Метки: кристаллографической, ориентации

...цзооражсция нс ирсвышаст 1- 2 угловык минут, что цсдоста Г 1 О. Целью изобретения является поьышснисто ности определения крцсталлографической ориентации плоскости на поверхностикристалла,Поставленная цель достигается тем, чтоскалывают кристалл по двум схСжным плоскостям сцайности, определяют кристаллографическую ориентацию этих плоскостей,затем последовательно освсцгаю г товер);.О ности сколов цаправлснцыч пучком света,ц по П 0,10 жсцию Отраженны; лу чей 01 рсдс.ляют ,Оордпнать поверхостей Сколов,Гакжс координаты исковОй плоскости в ла.бораторной системс координат, а кристал 5 лографичсскую ориентацию последней определяют матрц шым црсооразованцсм лабо.раторцык координат.Г 51 20 н а т в о п выс луч лов, явл зеркалах кого пар 25...

Номер патента: 723495

Опубликовано: 25.03.1980

Авторы: Самусь, Талалакин

МПК: G04F 10/04

Метки: длительности, измеритель, импульсов, пачки

...вход счетчика 3 поступит число импульсов, определяемое длительностью исследуемой пачки, Окончание из.мерения совпадает с моментом времени, когда , содержимое счетчика 3 перестает увеличивать. ЦНИИПИТираж 482 Заказ 426/36Подписное Филиал ППП "Патент", Ужгород, ул, Проектная,7234жатся нули, а на его разрядных выходах присутствуют высокие потенциалы.Входной импульс измерителя поступает навход первого разряда регистра 4 и в первомразряде регистра 4 при этом записывается5единица. Под действием импульсов сдвига, .поступающих на шину "сдвиг" регистра 4,эта единица сдвигается по регистру 4, Черезинтервал, времени, равный й/1 т, где й - чис.ло разрядов в регистре, 1 . - частота следова Ония импульсов сдвига на входе регистра 4,на выходе...

Номер патента: 677084

Опубликовано: 30.07.1979

Авторы: Самусь, Сизов, Талалакин

МПК: H03K 5/13

Метки: задержки, импульсов

...поступают на суммирующий вход реверсивного счетчика 6.Также одновременно задерживаемый импульс подается на дифференцирующую цепь 8, где преобразуется в два коротких импульса. Импульс, соответствующий фронту исходного сигнала, задерживается элементом 9 задержки, после чего поступает на нулевой вход триггера 7. В момент прихода задерживаемого импульса на управляющем входе вентиля 2 действует запрещающее напряжение с выхода триггера 7. Выходной импульс элемента задержки 9 перебрасывает триггер 7 в состояние 1, и с этого момента на управляющем входе вентиля 2 появляется разрешающее напряжение. 5 10 15 20 5 30 35 40 45 50 55 60 4Если время задержки прямоугольного импульса больше его длительности, то, пока триггер 7 пребывает в состоянии 1,...