Способ изготовления мдп-транзисторов
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1176777
Авторы: Вахтель, Гитли, Еремин, Замотайлов, Ивакин, Кадменский, Лобов, Фетисова
Формула
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки и подгонки порогового напряжения, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения точности подгонки, подгонку порогового наряжения производят после формирования металлической разводки путем облучения структуры рентгеновским излучением дозой
где D доза облучения, Р;
E3 ширина запрещенной зоны диэлектрика, эВ;
относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика;
m массовый коэффициент поглощения диэлектрика, см2/г;
r плотность диэлектрика, г/см3;
d толщина диэлектрика, см;
DU величина подгонки порогового напряжения, В;
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение производят при энергии рентгеновских квантов 20-200 кэВ.
Описание
Цель изобретения упрощение технологии и повышение точности подгонки.
П р и м е р. Для отработки способа была изготовлена опытная партия МДП транзисторов с N-каналом. Опытные образцы были выполнены в виде N-канальных МДП-БИС по стандартной технологии с начальным пороговым напряжением Uo до 1,8
0,3 В. После формирования Al разводки на тестовом транзисторе МДП-БИС при помощи 3-х зондовой установки проводился первичный контроль начального порогового напряжения Uo. Затем структура облучалась на установке РУМ 17 рентгеновскими лучами с энергией рентгеновских квантов 20, 80 и 200 кэВ. Доза рассчитывалась исходя из необходимого 
U с контролем полученного порогового напряжения.Un 0,6 В. Для стабилизации параметров полученных приборов производился кратковременный отжиг (10-15 мин) при температуре порядка 200оС. Последующие испытания с наложением рабочих напряжений на электроды прибора и с дополнительным длительным нагревом (до 500 ч при температуре 80-100оС) показали стабильную работу изготовленных на основе МДП транзисторов БИС.
Заявка
3691461/25, 10.01.1984
Вахтель В. М, Гитли В. Р, Еремин С. А, Ивакин А. Н, Кадменский С. Г, Лобов И. Е, Фетисова С. В, Замотайлов Ю. Г
МПК / Метки
МПК: H01L 21/268
Метки: мдп-транзисторов
Опубликовано: 10.05.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1176777-sposob-izgotovleniya-mdp-tranzistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления мдп-транзисторов</a>
Высоковольтный мдп-транзистор
Номер патента: 1828723
Опубликовано: 10.02.1996
Авторы: Логинов, Лопатина, Фролов
МПК: H01L 29/78
Метки: высоковольтный, мдп-транзистор
1. ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ МДП-ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, сильнолегированные области истока и стока второго типа проводимости, диэлектрик затвора, затвор, электроды истока и стока, первую слаболегированную область второго типа проводимости, сформированную в подложке под краем затвора с стороны стока, вторую дрейфовую область второго типа проводимости с промежуточной концентрацией примеси по отношению к первой дрейфовой области и к стоку и расположенную между первой дрейфовой областью и стоком, и полевую плату, расположенную над дрейфовыми областями, покрытыми толстым диэлектриком и соединенную с истоком и затвором, отличающийся тем, что, с целью повышения пробивного напряжения стока и стабильности...
Способ изготовления мдп бис
Номер патента: 1519452
Опубликовано: 20.09.1995
Авторы: Ачкасов, Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов
МПК: H01L 21/26
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование на кремниевой подложке областей истоков, стоков и слоев подзатворного диэлектрика, формирование электродов затворов и металлизированной разводки, подгонку пороговых напряжений путем облучения подложки рентгеновским излучением и термический отжиг при температуре 400-450oС в течение 30-60 мин, отличающийся тем, что с целью улучщения эксплуатационных характеристик МДП БИС, стабилизации ее параметров и повышения процента выхода годных, термический отжиг проводят в среде водяного пара, после этого проводят обработку в нейтральной среде, при температуре 500-510oС в течение 8-12 мин.
Способ изготовления мдп бис
Номер патента: 1762688
Опубликовано: 20.08.1995
Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов, Татаринцев
МПК: H01L 21/268
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения сформированных структур пучком рентгеновского излучения, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа при подгонке БИС, содержащих две различных группы МДП компонентов, одновременно с рентгеновским излучением структуры облучают ультрафиолетовым излучением, а соотношение между коэффициентами подгонки двух групп МДП компонентов регулируют путем изменения соотношения интенсивностей рентгеновского и ультрафиолетового излучений Iу/Iр, устанавливают это соотношение, исходя...
Способ изготовления мдп-транзисторов
Номер патента: 1452398
Опубликовано: 27.05.1995
Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Колесников, Левин, Остроухов
МПК: H01L 21/268
Метки: мдп-транзисторов
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ с пороговым напряжением Uо, включающий операции формирования на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, нанесения металлической разводки и подгонки порогового напряжения, которую проводят после нанесения металлической разводки путем облучения подложек с транзисторами дозой рентгеновского излучения, пропорциональной величине необходимого изменения порогового напряжения U отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов путем локализации обработки рентгеновским излучением, после нанесения металлической разводки измеряют геометрическое распределение пороговых напряжений...
Устройство для стабилизации эффективного порогового напряжения мдп -транзисторов интегральной схемы
Номер патента: 1032432
Опубликовано: 30.07.1983
Авторы: Бирюков, Кузнецов, Прозоровский
МПК: G05F 1/10
Метки: интегральной, мдп, порогового, стабилизации, схемы, транзисторов, эффективного
...Таким образом,напряжеНий ЕЕ 6питания выражениесмещения подложки,вид: при постоянствеисточников 2 и 6для напряжения4 имеет .следующий 1 1032432Изобретение относится к электротехнике и предназначено для исполь, зования при производстве интегральных схем на полевых тарнзисторах сизолированными затворами. 5Известно приспособление для стабилизации порогового напряжения ИДПтранзисторов интегральной схемы,представляющее собой фосфорсиликатное стекло, наносимое на поверхность 10подзатворного диэлектрика 1.1Недостаток известного техническогорешения проявляется в невысокомкачестве стабилизации, обусловлен"ном подверженностью стекла влиянию 15различных дестабилизирующих факторов, а именно температуры, ионизирующих излучений и т,п,Наиболее близким...
Предыдущий патент: Способ получения ацетатов одноатомных алифатических спиртов 4-c10
Следующий патент: Способ лечения хронических заболеваний печени
Случайный патент: Способ обезвоживания торфа