Полупроводниковый прибор
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1306407
Авторы: Бородовский, Булдыгин, Принц
Формула
1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР на основе соединений А3В5, представляющий собой полупроводниковую пленку с двумя омическими контактами, выполненную на полуизолирующей подложке, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет обеспечения управляемого переключения прибора из низкоомного в одно из более высокоомных состояний, обеспечения возможности записи и сохранения информации о величине и полярности напряжения, прилагаемого к прибору при записи, обеспечения непрерывной регистрации поглощенного прибором излучения, полуизолирующая подложка выполнена из материала, легированного компенсирующей примесью с глубоким уровнем с концентрацией в интервале 5 
1015 5 1016 см-3, а величина произведения толщины пленки на концентрацию электронов в ней лежит в интервале 5 1010 - 1012 см-2.
2. Прибор по п.1, отличающийся тем, что, с целью осуществления записи высокоомного состояния только при приложении к прибору напряжения одной полярности и его стирания при приложении к прибору напряжения противоположной полярности, пленка между контактами выполнена сужающейся от одного контакта к другому.
3. Прибор по п.1, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона длин волн излучения, регистрируемого прибором, полупроводниковая пленка выполнена варизонной с запрещенной зоной, уменьшающейся к поверхности.
Описание
Целью изобретения является расширение функциональных возможностей полупроводникового прибора за счет обеспечения управляемого переключения прибора из низкоомного в одно из более высокоомных состояний при пропускании через прибор тока выше порогового значения, обеспечения возможности записи и сохранения информации о величине и полярности напряжения, прилагаемого к прибору при записи, обеспечения непрерывной регистрации поглощенного прибором излучения, осуществления записи высокоомного состояния только при приложении к прибору напряжения одной полярности и его стирания при приложении к прибору напряжения противоположной полярности, обеспечения расширения диапазона волн излучения, регистрируемого прибором, при сохранении неизменным времени теплового стирания высокоомного состояния.
На фиг. 1 изображен полупроводниковый прибор; на фиг. 2 полупроводниковая пленка, сужающаяся от одного контакта к другому.
Предлагаемый полупроводниковый прибор содержит омические контакты 1 и 2, полупроводниковую пленку 3, полуизолирующую подложку 4.
В полупроводниковом приборе подложка 4 выполнена из полуизолирующего арсенида галлия, компенсированного глубокой примесью (хромом) с концентрацией 1016 см-3, полупроводниковая пленка 3 из арсенида галлия получена методом эпитаксиального наращивания на полуизолирующую подложку и имеет толщину 7 мкм и концентрацию электронов 7. Толщина переходного слоя в пленке 1,2 мкм, произведение концентрации на толщину пленки 6
1011 см-2. Длина l1 суженного участка пленки 50 мкм, ширина 20 мкм.Для расширения диапазона длин волн излучения в полупроводниковом приборе подложкой 4 из полуизолирующего арсенида галлия, компенсированного глубокой примесью с концентрацией 1016 см-3, полупроводниковая пленка выполняется из n= Ga As Sb толщиной 11 мкм с концентрацией электронов 7
1014 см-3. Произведение концентрации на толщину пленки равно 8 1011 см-2. Ширина запрещенной зоны материала пленки у поверхности равна 1,2 эВ, а у границы раздела пленка подложка 1,5 эВ.Изобретение относится к функциональной микроэлектронике, микрофотоэлектронике, вычислительной технике. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей полупроводникового прибора за счет обеспечения управляемого переключения прибора из низкоомного в одно из более высокоомных состояний при пропускании через прибор тока выше порогового значения, обеспечения возможности записи и сохранения информации о величине и полярности напряжения, прилагаемого к прибору при записи, обеспечения непрерывной регистрации поглощенного прибором излучения. Полупроводниковый прибор содержит полуизолирующую подложку на основе соединения A3B3 легированного компенсирующей примесью с глубоким уровнем с концентрацией в интервале 5
1015-5 1016см3. На подложке расположена полупроводниковая пленка из соединения A3B3 с двумя омическими контактами. Величина произведения толщины пленки на концентрацию электронов в ней находится в интервале 5 1010-1012см-2. 2 з.п. ф-лы, 2 ил. Рисунки
Заявка
3769128/25, 10.07.1984
Институт физики полупроводников СО АН СССР
Принц В. Я, Бородовский П. А, Булдыгин А. Ф
МПК / Метки
МПК: H01L 29/20, H01L 31/0352
Метки: полупроводниковый, прибор
Опубликовано: 20.04.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1306407-poluprovodnikovyjj-pribor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый прибор</a>
Приспособление для автоматической записи радиусов кривых и углов поворота в приборах для съемки продольного профиля пути
Номер патента: 31140
Опубликовано: 31.07.1933
Автор: Надеждин
МПК: G01C 7/04
Метки: автоматической, записи, кривых, поворота, приборах, продольного, профиля, пути, радиусов, съемки, углов
...пути. Через передачу б от цилиндра 2 получает вращение и сообщает поступательное движение перекинутой через него бумажной ленте, пропорциональное горизонтальному проложению пройденного пути, цилиндр 5. Путем передачи 6 может быть установлено любое соотношение масштабов для записи вертикального и горизонтального проложений. Бумажная лентами перекину" тая через цилиндр 5, имеющая перфорацию, входящую в зубчики Л цилиндра 5 и служащую для точности движения бумажной ленты, перематывается с одного цилиндра 70 на другой. Цилиндры 70 позволяют заснять на местности профильбольшого протяжения (до 25 км) без закладывания новой бумаги и, кроме того, сохраняя неизменную толщину бумажной полосы на цилиндре 5, не искажают пропорциональности...
Сурьмяный электрод к прибору для дистанционного измерения концентрации водородных ионов
Номер патента: 115949
Опубликовано: 01.01.1958
Автор: Егоров
МПК: G01N 27/30
Метки: водородных, дистанционного, ионов, концентрации, прибору, сурьмяный, электрод
...в фасонные гнезда стального или чугунного эмалированного корпуса,На чертеже показан предлагаемый сурьмяный электрод (датчик) в дьух проекциях.Сурьмяпый электрод представляет собой чугунный или стальной эмалированный корпус 1 с фасонными гнездами 2, заливаемыми технически чистой сурьмой, и цилиндрическими отверстиями для патрона 3 со сравнительным полуэлементом и термокомпенсатором для стержня 4 к щетке 5, для зачистки поверхности сурьмы, Каждая секция сурьмяного электрода имеет площадь около 2 сл 2, что при восьмисекциопном электроде дает общую поверхность сурьмы 16 сл, которая обеспечивает снятие с него тока до 40 мка без заметной поляризации.1159492 Предмет изобретен ия Сурьмяный электрод к прибору для дистанционного измерения...
Прибор для излучения физико-механических свойств закладочного массива
Номер патента: 601415
Опубликовано: 05.04.1978
Автор: Шаламберидзе
МПК: E21C 39/00
Метки: закладочного, излучения, массива, прибор, свойств, физико-механических
...направлении.Указанная цель достигается тем, что корпус снабжен плоскими направляющими с шариковымп опорамц и сепаратором, между которыми размещено нагрузочное прцспосооление.На фнг. 1 изображен предлагаемый прибор, общий вид; на фиг. 2 - то же, вцд сбоку; на фиг, 3 - разрез А - А; на фиг. 4 - разрез Б - Б фиг. 3,Прибор состоит из опорной рамы, корпуса и нагрузочного приспособления, Корпус 1 представляет собой камеру, две стенки которой выполнены пз оргстекла и усилены рамкамп пз швеллерных балок; в нижней стенке (основании) имеются отверстия для стока воды, Внутри корпуса установлено передвижное ограждение 2 со штоками 3, соедпненнымн с ограждениеы шарнирно и перемещающимися в направляющих 4 на боковой стенке корпуса. Необходимое...
Способ записи импульсного излучения на магнитной пленке
Номер патента: 540282
Опубликовано: 25.12.1976
Авторы: Инжечик, Степанов, Фабриков
МПК: G11B 11/105
Метки: записи, излучения, импульсного, магнитной, пленке
...15 приложенного поля. Таким образом, намагниченность нагретых излучением участков пленки вращается вместе с полем с той же частотой. По мере остывания намагниченность отстает от поля и останавливается, когда увели чивающаяся при охлаждении коэрцитивнаясила достигает значения, равного модулю приложенного поля. Угол перемагничивания нагретых участков определяется временем их остывания до температуры остановки, т. е.25 этот угол оказывается пропорциональнымплотности записываемого излучения. Максимальный угол перемагничивания, определяемый отношением времени остывания наиболее нагретых участков к частоте вращения поля, 33 может быть доведен до нескольких полных540282 Составитель М. СухаревТехред В, Рыбакова Редактор Т. Иванова...
Способ записи информации на анизотропные магнитные пленки
Номер патента: 531191
Опубликовано: 05.10.1976
Авторы: Головатенко, Остапенко, Панев, Степанов
МПК: G11C 11/14, G11C 7/00
Метки: анизотропные, записи, информации, магнитные, пленки
...быть больше поля аизотро. пии. В противном случае при уменьш 1 пти поля На ниже поля анизотропии рсзко увеличивается пол Нрз и соответственно резко уменьшается разность (Нрр - Нрз), определяющая допустимые прелель 1 изменения поля Нр Для считыван 1 я информации без ее разрушения амплитуда адресного поля долж. на быть меньше поля анизогропии.1 СД(=:( ИПИ Заказ 5422/126 Тир(аж 772 лиал ППП "Патент", г. Ужгород, уд. Проектная, 4 Однако такой способ записи информации не позволяет осуществлять запись и неразрушающее считывание информации при одной и той же ампли. туде адресного поля, что приводит к невозможности организации накопителя по экономичной системе 2,5 Д (единственно возможным является применение системы 2 Д) и усложняет управление...
Предыдущий патент: Тест-купон для контроля качества печатных плат с отверстиями
Следующий патент: Магниточувствительный датчик для бесконтактного двигателя
Случайный патент: Предварительно напряженная станина рабочей клети прокатного стана