Патенты с меткой «сверхрешеток»

Номер патента: 1543313

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Айвазьян, Безирганян, Заргарян

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, рентгенографический, сверхрешеток, совершенства, структурного

...направляющие косинусыТдпадающей и дифрагированной волн;К - волновое число;х - модуль действительнойгЪчасти Фурье компонентыполяризуемости.В случае сверхрешетки каждому сателлиту в первом приближении соответствуют свои значения м,и х6 О рТон ТЬ 1 Ье = 24 Уп 2", Нх",. ОЕсли рассматривается симметричная схема дифракции, то также можно положить.= у, и );= ., т,е, экстинкционная длина практически не зависит от углов падения и отражения. Минимальная длина экстинкции определяется максимальным значением х , т.е. при нулевом или одном из первых сателлитов, и составляет такую же величину, что и в случае идеального кристалла - несколько микрон.При резко асимметричной схеме дифракцииУю 1 ф Хоф 03 мс 10Учитывая, что с увеличением номера сателлита...

Номер патента: 786705

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Асеев, Ли

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковых, сверхрешеток

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВЕРХРЕШЕТОК, включающий создание на МДП-структуре периодически меняющегося поверхностного потенциала, отличающийся тем, что, с целью улучшения выходных параметров сверхрешеток и упрощения технологии, периодически меняющийся потенциал создают путем проецирования электронного изображения системы кристаллических плоскостей вспомогательного монокристалла на поверхность МДП-структуры.