Способ изготовления мдп-транзисторов

Номер патента: 1452398

Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Колесников, Левин, Остроухов

Формула

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ с пороговым напряжением U_о, включающий операции формирования на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, нанесения металлической разводки и подгонки порогового напряжения, которую проводят после нанесения металлической разводки путем облучения подложек с транзисторами дозой рентгеновского излучения, пропорциональной величине необходимого изменения порогового напряжения U отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов путем локализации обработки рентгеновским излучением, после нанесения металлической разводки измеряют геометрическое распределение пороговых напряжений транзисторов на подложке, определяют положение n + 1 зон, пороговые напряжения транзисторов которых лежат в интервале
[U_o+(n-1/2) U_o]+[U_o+(n+1/2) U_o,
где n числа натурального ряда;
U_o допустимый разброс пороговых напряжений годных транзисторов,
после этого каждую из выделенных зон подложки облучают рентгеновским излучением дозами, соответствующими среднему необходимому изменению величины порогового напряжения транзисторов, равного n U_o.

Описание

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП БИС.
Целью изобретения является увеличение процента выхода годных изделий на пластине путем локализации обработки рентгеновским излучением.
Обоснованием данного способа является то, что значения пороговых напряжений МДП-приборов распределены геометрически по пластине приблизительно аксиально относительно некоторой точки на пластине либо вне ее, названной центром распределения. Этот центр, как правило, не совпадает с центром пластины. При этом линии одинаковых порогов в первом приближении совпадают с окружностями.
На чертеже изображена пластина 1 с примерным распределением на ней линии равных значений пороговых напряжений МДП-транзисторов 2. Границы соседних выделенных зон обозначены штриховыми линиями. Из чертежа видно, что центр распределения параметров изделий 3 смещен относительно центра пластины 4 на определенное расстояние. Показанные на пластине зоны облучают пучком рентгеновского излучения в соответствии с отклонениями n

U_o в каждой из них от заданного значения порогового напряжения U_o. Облучение проводят путем диафрагмирования рентгеновского пучка с установкой последнего по границам зон в n стадий, начиная с зоны, отклонение параметров в которой от нормы максимально.
Способ испытан в производственных условиях на изделиях типа К 1001ВЕ10, выполненных на кремниевых пластинах диаметром 100 мм. На каждой из пластин размещалось 214 изделий указанного типа. В результате профилированного облучения пластин при n=4 в соответствии с предлагаемым способом выход продукции по параметру порогового напряжения увеличился до 80% (в прототипе увеличение выхода составляло 20% ). Величина n в каждом случае опpеделяется исходя из значений допустимого требованиями ТУ на годную продукцию разбросом

U_o=

параметра порогового напряжения и полученного действительного разброса

на финише технологии, и очевидно, что (n+1)=

Использование изобретения позволит существенно увеличить выход годных изделий.
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП БИС. Цель - увеличение процента выхода годных транзисторов путем локации обработки рентгеновским излучением. Способ включает операции формирования на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, нанесение металлической разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения пластин со структурами дозой рентгеновского излучения, пропорциональной величине подгонки

U. Для этого измеряют геометрическое распределение пороговых напряжений транзисторов по пластине и выделяют на пластине n + 1 зон, в которых пороговые напряжения имеют значения в пределах [U_o+(n-1/2)

U_o]-[U_o+(n-1/2)

U_o], где n - числа натурального ряда;

U_o- допустимый разброс пороговых напряжений годных изделий. Затем выделенные зоны пластины облучают ренгеновским излучением дозами соответствующими средней величине отклонения порогового напряжения приборов n

U_o в каждой из зон. 1 ил.

Рисунки

Заявка

4159435/25, 10.12.1986

Гитлин В. Р, Кадменский С. Г, Ивакин А. Н, Левин М. Н, Колесников В. Ф, Кадменский А. Г, Остроухов С. С

МПК / Метки

МПК: H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

Опубликовано: 27.05.1995

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1452398-sposob-izgotovleniya-mdp-tranzistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления мдп-транзисторов</a>

Похожие патенты

Устройство для измерения напряжения тока срабатывания порогового элемента

Номер патента: 1018030

Опубликовано: 15.05.1983

Авторы: Дудник, Коврижкин, Несмеев

МПК: G01R 19/00

Метки: порогового, срабатывания, элемента

...с средним выводом переменного резистора цепочки, инвертор,выход которого соединен с неинвертирующим входом вычитающего усилителя,а вход выполнен с возможностью подключения к выходу порогового элемента,.и регистрирующий прибор, присоединенный к входу порогового элемента 2Однако известное устройство характеризуется сложностью и недостаточной надежностью. обусловленными многоэлементностью электрической схемыустройства.. Цель изобретения " упрощение устройства и повышение его. надежности, 45.Поставленная цель достигается тем,что в устройство для измерения напря"жения (тока) срабатывания порогового.элемента, содержащее исследуемый по"роговый элемент, подключенный к источнику питания,. резистор, первый вывод которого связан с входом...

Способ определения зон напряженного состояния рудных массивов

Номер патента: 1559206

Опубликовано: 23.04.1990

Авторы: Дырдин, Егоров, Ермолин, Редькин, Тарасов

МПК: E21F 5/00

Метки: зон, массивов, напряженного, рудных, состояния

...- показания прибора со своимзнаком.Для измерения параметра естественного стационарного электрического по ля Е . и электродных потенциалов в точках скважины помещают в скважину комбинированный зонд, состоящий из сталемедной щетки и медного неполяризующегося электрода, имеющих раздельные выводы для подключения измерительного прибора. Перемещая зонд по скважине с шагом 0,125 м, производят измерения, поочередно подключая щетку и электрод к плюсовой клемме измерительного прибора. Расчет параметров осуществляют следующим образом.Параметр естественного стационарного электрического поля определяют по формулеЧ,+ Ед1 где Е- величина, измеренная прибо 1ром между двумя неполяризуюцимися электродами у с о с во 45им знаком.Электродный потенциал в...

Генератор напряжения смещения подложки в мдп-интегральных схемах

Номер патента: 764097

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Булгаков, Еремин, Стоянов, Сухоруков, Хорошунов

МПК: H03B 5/36

Метки: генератор, мдп-интегральных, подложки, смещения, схемах

...1, диффе1 о зо ральной шины В устройстве по второму варианту делитель напряжения образован конденсаторами 13 и 14, средние выводы которых соединены с затвором транзистора 10 и со вторымвходом дифференциального усилителя 2:ЗО Второй вывод конденсатора 12 соединен-с истоком транзистора 10 и с шиной нулевогопотенциала 11. Второй вывод конденсатора 13 подключен к затвору транзистора 9и к выходу кольцевого генератора 3,В остальном конструкция генераторапо этому варианту та же, что и по первомуварианту.Предлагаемый генератор напряженияработает следующим образом,45 зо 53 ренциального усилителя 2, кольцевого генератора 3, формирователя напряжения 4 и блока 5 формирования напряжения сме. щения подложки.В первом варианте выполнения...

Способ контроля свч полевых транзисторов на пластине

Номер патента: 1529940

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Васильев, Олейник, Сучков

МПК: G01R 31/26

Метки: пластине, полевых, свч, транзисторов

СПОСОБ КОНТРОЛЯ СВЧ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА ПЛАСТИНЕ, включающий подачу постоянного напряжения на стоковый и истоковый электроды полевого транзистора, возбуждение в нем СВЧ-тока, регистрацию усиленного полевым транзистором СВЧ-тока, определение коэффициента усиления полевого транзистора и сравнение его с эталонным значением, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и расширения частотного диапазона при контроле, после возбуждения СВЧ-тока к стоковому электроду полевого транзистора прикладывают поглощающую СВЧ-пластину, на участке стокового электрода между поглощающей СВЧ-пластиной и затвором полевого транзистора размещают электрооптический кристалл, возбуждение СВЧ-тока в полевом транзисторе осуществляют путем освещения...

Грехпозиционное устройство порогового контроля постоянных напряжений

Номер патента: 189940

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Исаков

МПК: G01R 19/165, H03K 17/00

Метки: грехпозиционное, напряжений, порогового, постоянных

...максимального и минимпороговых элементов подаются, соотвено, контролируемое напряжение 1 иное напряжение 1/ и г 1 и граничноежение С . Обмотки трансформаторороговых элементах включены таким очто при У) С возбуждается диодннеративный компоратор в пороговомте 1, а г,ри l,. ( С,. - в пороговом теже приведена принцикая схема п едлагаемого льного тствен- ранич- напрявв по.разом, о-реге- лемен- лементе 2. При возбуждении блокинг-генераторов на выходах пороговых элементов формируются импульсы постоянной амплитуды и длительности, Если Ь) У Ь нн олин из пороговых элементов не возбуждается.Импульсы с выходов пороговых элементов 1 и 2 подаются на емкостной импульсный накопитель 4 с регулируемым временем задержки, нагруженный на ключевую схему 3....

Предыдущий патент: Способ изготовления многотраверсных цилиндрических сеток типа беличьего колеса и устройство для его осуществления

Следующий патент: Способ получения фоточувствительной композиции для электрофотографического материала

Случайный патент: Устройство для измерения помехозащищенности регенератора цифровой системы передачи

В верх страницы