H01L 29/72 — приборы типа транзисторов, т.е. способные непрерывно реагировать на приложенные управляющие сигналы

Номер патента: 791272

Опубликовано: 23.12.1980

Автор: Бернвард

МПК: H01L 29/72

Метки: канальным, накопительным, полевым, транзистором

...около 351 Ч при первой очистке и в пределах одной минуты при двадцатой очистке. Измеренная продолжительность очистки увеличивается от очистки к очистке, Наконец продолжительность очистки превосходит максимально допустимое, произвольно установленное значение, с которого очистка рассматривается как нарушенная и более невозможная. Необходимые для электрической Очистки затраты незначительны. Применение и-канала вместо -канала для запоминающего полевого транзистора необходимо, так как иначе невозможно программирование посредством канальной инжекции и очистка посредством туннельного эффекта Фоулера-Нордхейма.В дальнейшем последующее развитие предлагаемого устройства основывается на новом понимании причин и вспомогательных возможностей...

Номер патента: 796959

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Быкадорова, Панчишин

МПК: H01L 29/72

Метки: резистивный, управляемый, элемент

...электродом б,Эмиттер и коллектор транзистора 1 подключены к источнику питания. 2 ОПри отсутствии напряжения на базе О полупроводниковый переход транзистора 1 заперт, ток не проходит, и температура его перехода Т равна начальному значению ТО, а сопротивление терморезистора равно исходному значению.В момент подачи напряжения на базу транзистор открывается, через р-д переход течек ток, температура его . перехода т пропорционально возраста- ЗО ет, и идет теплоотдача в термосопротивление,.Вследствие этого сопротивление ерморезистора изменяется в соответствии с выбором коэффициента. тепло- З 5 передачи, но только в интервале своего рабочего диапазона, который всегда больше нуля и меньше "бесконечнос" ти", Для получения величины...

Номер патента: 786748

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Галузо, Матсон, Пожиток

МПК: H01L 29/72

Метки: многоколлекторная, структура, транзисторная

...разделяется на базовый ток, текущий от эмиттерной области 2 через каналв подложке (базе), окруженный коллекторной областью 4, к омическому контакту базовой области 7 и коллекторный ток, текущий от эмиттера 2 через подложку(базу) 1 к коллектору 3,Вначале при увеличении выходного напряжеция коллектор-эмиттер прибор работает как обычный биполярный транзистор,т. е. с ростом напряжения происходит увеличение, а затем и насыщение тока коллектора (при этом входное напряжение базаэмиттер и ток базы остаются постоянными).Когда величина выходного напряжениядостигает значения, при котором ширинаобласти пространственного заряда р-и-перехода коллектор-подложка (база) сгановится равной расстоянию между коллекторными областями 3 и 4, происходит...

Номер патента: 1223796

Опубликовано: 07.01.1990

Авторы: Голованова, Мазель, Никольский, Стесин

МПК: H01L 29/72

Метки: многоэмиттерный, мощный, планарный, транзистор

...13 1 ряжение,Ск (ПФ) Транзисторы по примеру 1 предлагаемогоизобретенияТранзисторы по примеру 2 предлагаемого изобретенияТранзисторы в соответствии с прототипом 900 40 В 1 2 А 46 4,6 420 4,64,6 420 900 40 В; 2,5 А 500 40 В 2 А 4,7 4,7 540 тора с балластными резисторами согласно изобретению (пример 2),На фиг, 5 изображен разрез по области эмиттера структуры планарногомногоэмиттерного транзистора с балластными резисторами (пример 2),На Фиг, 6 изображен разрез по области базы структуры планарного многоэмиттерного транзистора с балластными резисторами (пример 2),Транзистор содержит полупроводниковыгг кристалл 1, область базы 2,область эмиттера 3, эмиттерный контакт 4, общую базовую контактную площадку 5, диэлектрик б, балластныйрезистор 7,...

Номер патента: 1039413

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Афонин, Мазель, Стесин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, высоковольтный, транзистор

...При этом в двух образовавшихся зазорах будет падать напряжение примерно по 500 В, а на поверхности, расположенной за второй кольцевой областью, пространственный заряд будет расширяться, но поверхностного пробоя не наступит, так как до этого произойдет объемный пробой при напряжении порядка 1200 3. При снижении поверхностного удельного сопротивления в 5 раз, т.е. до 10 Ом, ширина пространственного заряда,при которой произойдет паверхностньй пробой, снизится до,примерно, 30 мкм,. а напряжение поверхностного пробоя :упадет до 400 В. В соответствии с этим для обеспечения поверхностного пробивного напряжения свьппе объемно" го, т.е. свьппе 1200 В, необходимо вокруг основного перехода создавать не менее 3 кольцевых областей на расстоянии не...

Номер патента: 1741190

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Булгаков, Кочетков, Петров

МПК: H01L 29/72

Метки: мощная, свч-транзисторная, структура

...с металлизированными площадками для присоединения выводов, расположенными на поверхности подложки. Для уменьшения емкости этих площадок они разделены на изолированные друг от друга участки выемками в форме канавок, глубина которых не меньше толщины металлизации.В этой конструкции емкость каждой контактной площадки образуется лишь теми изолированными площадками, которые непосредственно контактируют с проволочным проводником.Кроме того, паразитная емкость контактной площадки велика, что уменьшает мак1741190сравнению с тем случаем, когда такой зазор отсутствует из-за заполнения объема канавки "ножкой" 12 проводника.Это уменьшение позволяет на -5 увеличить максимальную рабочую частоту и коэффициент усиления по мощности предлагаемой...

Номер патента: 1787296

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Андреева, Гордеев, Королев

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, мощный, транзистор

...структуры,при этом у нее отсутствуют их недостатки,Структура кристалла обладает таким распределением тока по площади, которое позволяет увеличить устойчивостьтранзистора к прямому вторичному пробою эмиттер, Это достигается тем, что ток эмиттера из-за улучшенного токораспределения меньше стягивается к центру при больших напряжениях коллектор - эмиттер.Для достижения цели в приведенной очегау-конструкции отдельные резистивные эмиттерные области объединяются общей резистивной областью, частично заходящей в область базы, а вдоль всей периферии зубцов эмиттера располагается замкнутая сильнолегированная полоска того же типа проводимости, что и эмиттер. При этом сильнолегированные эмиттерные полоски должны быть удалены друг от друга на...

Номер патента: 1699313

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Гальцев, Глущенко, Петров

МПК: H01L 29/72

Метки: полупроводниковая, структура

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА , содеpжащая высокоомную подложку пеpвого типа с активными областями пеpвого и втоpого типов пpоводимости и pасположенные в подложке пеpифеpийные высоколегиpованную область пеpвого типа и область втоpого типа пpоводимости, обpазующие между собой и с подложкой p-n-пеpеходы, повеpхностное диэлектpическое покpытие и токопpоводящую pазводку, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества стpуктуpы за счет повышения пpобивного напpяжения и уменьшения обpатного типа p-n-пеpехода между активными областями и подложкой, пеpифеpийные области pасположены на pасстоянии от активных областей, пpевышающем максимальную шиpину объемного заpяда p-n-пеpехода активных областей с подложкой, но не более диффузионной длины...

Номер патента: 1662306

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Велигура, Выгловский, Косой

МПК: H01L 29/72

Метки: мощный, свч-многоэмиттерный, транзистор

...тока в цепи эмиттера, а.Выражение, определяющее величину токостабилизирующего сопротивления получено исходя из следующих исходных предпосылок:а) рабочая точка по постоянному току не должна меняться в крайних точках температурного диапазона транзистора, т.е. эо = эЛТб) приложенное напряжение к эмиттерному переходу определяется выражениемФО =Оэб +1 э РэьгДе Оэб - встРоенныйпотенциал Р-и-пеРехода;йэ - сопротивление цепи эмиттер база;4 - ток эмиттера,Температурная зависимость встроенного потенциала определяется выражением.О: О - К Лт,эб эб иогДе Оэб - встРоенный потенЦиал Р - и-перехода при начальной температуре;10К- термический коэффициентиэмиттерного напряжения;15 Л Т - изменение температуры,в) температурная зависимость...

Номер патента: 1831966

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Дворников, Любый

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, интегральный, транзистор

1. ИНТЕГРАЛЬНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с изолированными областями второго типа проводимости, в которой сформированы области базы, коллектора и эмиттера с омическими контактами, коммутирующие шины, отличающийся тем, что, с целью обеспечения программируемости параметров для аналоговых схем, эмиттер выполнен в виде (m n + 1) дискретных областей, где m 1,2,3,n 1,2,3, одна из которых расположена в центре, а остальные по n-радиальным направлениям симметрично относительно центра эмиттера, к каждой из которых сформированы омические контакты, и между ними по радиальным направлениям расположено не менее n омических...

Номер патента: 1827146

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненной в одной полупроводниковой подложке так, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы без изменения его временных и электрических параметров за счет изменения ширины и уменьшения дефектности активной базы защитного стабилитрона и прилегающей к ней области коллектора, ширина активной базы стабилитрона больше ширины активной базы рабочей транзисторной структуры, а степень...

Номер патента: 1827147

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: высоким, напряжением, полупроводниковый, прибор, пробоя

1. Полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя, содержащий в высокоомном слое первого типа проводимости базовую область второго типа проводимости, состоящую из центральной области глубиной Нп периферийной области, окружающей центральную область, глубина и степень легирования которой уменьшается в направлении к месту выхода на поверхность высокоомного слоя рn-перехода, образованного базовой областью и высокоомным слоем, кольцевую базовую металлизацию шириной а, расположенную под частью периферийной области базы, прилегающей к центральной области базы, и находящуюся на расстоянии l от места выхода на поверхность высокоомного слоя р n-перехода, где величина l соответствует ширине области пространственного заряда в...

Номер патента: 1827148

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: высоким, напряжением, планарный, полупроводниковый, прибор, пробоя

1. Планарный полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя, содержащий в высокоомном слое первого типа проводимости базовую область второго типа проводимости, состоящую из центральной области глубиной H и периферийной области шириной L, окружающей центральную область, глубина и степень легирования которой уменьшается в направлении к месту выхода на поверхность высокоомного слоя p-n-перехода, образованного базовой областью и высокоомным слоем, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины периферийной области базы при сохранении величины напряжения пробоя и диффузионных параметров центральной области базы, периферийная область базы состоит по крайней мере из двух зон, в которых p-n-переход имеет различный угол наклона к...

Номер патента: 1827149

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, мощный, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор, имеющий по крайней мере одну эмиттерную область шириной I с постоянной глубиной и степенью легирования и активную базу с переменной степенью легирования, отличающийся тем, что, с целью уменьшения площади его транзисторной структуры с сохранением коэффициента усиления по току и устойчивости к вторичному пробою, ширину W активной базы выбирают из соотношения W Wmin + k I, где 0 К 1, а Wmin - минимальная ширина активной базы.2. Транзистор по п.1, отличающийся тем, что участок активной...

Номер патента: 1827150

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, мощный, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор, содержащий по крайней мере одну эмиттерную область шириной l переменной глубины и степени легирования, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления по току с сохранением устойчивости к вторичному пробою, эмиттерная область состоит по крайней мере из двух симметричных относительно центра эмиттерной области зон, в которых глубину эмиттерной области H выбирают из соотношения H=H0+kl, где а H0 глубина эмиттерной области на внешнем краю зоны.2. Транзистор по п. 1, отличающийся тем, что участку эмиттерной области с максимальной глубиной соответствует максимальная степень легирования, а участку с...

Номер патента: 1827151

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненный в одной полупроводниковой подложке таким образом, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы, за счет изменения конструкции активной базы стабилитрона, активная база стабилитрона выполнена в виде областей-ячеек, в которых ширина и степень легирования активной базы стабилитрона меньше ширины и степени легирования активной базы рабочей транзисторной структуры, окруженных...

Номер патента: 1827152

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор

Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненный в одной полупроводниковой подложке так, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, причем ширина и/или степень легирования активной базы стабилитрона меньше ширины и/или степени легирования активной базы рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы, при сохранении временных и электрических параметров транзистора за счет уменьшения дефектности активной базы защитного стабилитрона и...

Номер патента: 1679922

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Асессоров, Булгаков, Инкерманлы, Кочетков, Петров

МПК: H01L 29/72

Метки: вчи, мощный, свч-транзистор

Мощный ВЧ- и СВЧ-транзистор, содержащий диэлектрическое основание с расположенными на нем металлическими выводами, полупроводниковый кристалл со сформированными на нем транзисторными ячейками, напаянный нижним основанием на коллекторную площадку, соединенную одним из своих краев с металлическими выводом, причем между каждой транзисторной ячейкой и соответствующей ей эмиттерной металлизацией расположен балластный резистор, сужающийся от центра транзисторного кристалла к периферии, отличающийся тем, что, с целью увеличения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и КПД за счет повышения равномерности распределения тепла, выделяемого при протекании тока через транзистор, каждая транзисторная ячейка имеет трапециевидную форму,...