Изидинов

Способ определения степени пористости слоев пористого кремния

Номер патента: 1649909

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Изидинов, Исмайлова, Разяпов

МПК: G01N 15/08

Метки: кремния, пористого, пористости, слоев, степени

Способ определения степени пористости слоев пористого кремния, заключающийся в стравливании слоев пористого кремния, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения экспрессности, проводят локальное травление путем нанесения на поверхность пористого слоя капли 4 - 40%-ного раствора NaOH или КОН с последующей выдержкой в течение 2 - 20 мин, измерением глубины области травления (h, мкм) и расчетом степени пористости (Р,%) по формуле Р = 25 + 3h, при степени пористости, меньшей 30%, промывают поверхность пористого кремния водой, осушают поверхности, производят локальное травление каплей раствора, состоящего из 6 - 10 моль/л HNO3 и 1 - 3 моль/л HF с последующей выдержкой...

Способ изготовления полупроводниковых приборов

Номер патента: 1335055

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Блохина, Изидинов, Мишанин

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, приборов

1. Способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий создание кремниевой структуры по крайней мере с одним p-n-переходом и контактное соединение кремниевой структуры с электродом припоем на основе алюминия, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик приборов, перед контактным соединением на контактной поверхности кремниевой структуры формируют поры, суммарная площадь которых составляет 15-50% площади контактной поверхности.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что поры формируют анодным электрохимическим травлением кремниевой структуры.

Способ защиты поверхности силовых полупроводниковых приборов

Номер патента: 1187649

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Астафьев, Боронин, Изидинов, Курцин, Нанушьян, Панкратов, Полеес, Потапова, Симановская

МПК: H01L 21/56

Метки: защиты, поверхности, полупроводниковых, приборов, силовых

Способ защиты поверхности силовых полупроводниковых приборов, включающий нанесение на них защитного компаунда, содержащего кремнийорганический винилсодержащий каучук, олигометилгидридсилоксан, наполнитель и в качестве катализатора 1%-ный раствор платинохлористоводородной кислоты, и проведение термообработки, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и высоковольтных приборов при одновременном сокращении времени термообработки, в компаунд вводят в качестве ингибитора вещество класса пиразолов, причем соотношение катализатора и ингибитора находится в пределах от 5 : 1 до 10 : 1, а общее количество катализатора и ингибитора составляет от 0,6 до 1,2 мас. % компаунда, и...

Способ формирования слоев пористого кремния

Номер патента: 1459542

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Блохина, Изидинов, Исмайлова

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, пористого, слоев, формирования

Способ формирования слоев пористого кремния, включающий электролитическое анодирование кремния n-типа проводимости с уровнем легирования ND 1014 см-3 при стационарном освещении в концентрированной плавиковой кислоте, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев за счет повышения степени и однородности пористости, электролитическое анодирование проводят в интервале плотности токов от 30 до 150 мА/см2 в течение времени от 20 до 60 мин при освещенности рабочей поверхности кремния, которую устанавливают согласно соотношениюG = i/1,5 + 30,где G - освещенность,...

Способ создания силовых высоковольтных транзисторов

Номер патента: 1152436

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Блохина, Изидинов, Потапчук, Якивчик

МПК: H01L 21/331

Метки: высоковольтных, силовых, создания, транзисторов

Способ создания силовых высоковольтных транзисторов с кремниевой n+-p-n-n+-структурой, содержащий операции создания слоя пористого кремния электрохимической обработкой нерабочей стороны пластины, формирования базовой и эмиттерной областей последовательной диффузией примесей в рабочую сторону пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения характеристик транзисторов, сначала с нерабочей стороны пластины создают монокристаллический n+-слой и затем в его объеме формируют слой пористого кремния при соотношении их толщин 0,5 - 0,7.

Способ травления кремниевых изделий

Номер патента: 1822299

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Гапоненко, Изидинов

МПК: H01L 21/306

Метки: кремниевых, травления

СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ИЗДЕЛИЙ, включающий приготовление смеси плавиковой, азотной и уксусной кислоты, взятых в заданном соотношении объемов, охлаждение полученного травителя, предварительное определение скорости травления кремния в травителе данного состава и последующую обработку кремниевых изделий в том же травителе в течение времени, необходимого для стравливания кремния на заданную глубину, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости глубины травления за счет создания условий самопрекращения процесса травления, объемное соотношение перечисленных кислот в травителе выбирают соответствующим 1:(6-17):(1-3), на стадии предварительного определения скорости травления дополнительно устанавливают удельный объем травителя,...

Способ регенерации травителя для кремния

Номер патента: 1759183

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Гапоненко, Изидинов

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, регенерации, травителя

СПОСОБ РЕГЕНЕРАЦИИ ТРАВИТЕЛЯ ДЛЯ КРЕМНИЯ, включающий контроль состава отработанного травителя и восстановление исходной активности травителя путем введения в отработанный травитель добавок химических реагентов, отличающийся тем, что, с целью упрощения регенерации травителя из смеси плавиковой, азотной и уксусной кислот с объемным соотношением 1 : (6 - 17) : (1 - 3) и сокращения расхода реагентов, в качестве добавок химических реагентов используют смесь равных объемов перекиси водорода и плавиковой кислоты, причем количество этой смеси, достаточное для восстановления исходной активности единицы объема отработанного травителя данного исходного состава, устанавливают в предварительных экспериментах, связанных с определением общей массы...

Способ создания образцов сравнения для лазерного и вторично ионного масс-спектрометрического количественного анализа примесей на поверхности кремния и структур на его основе

Загрузка...

Номер патента: 1756827

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Изидинов, Назаров, Разяпов

МПК: G01R 1/00

Метки: анализа, вторично, ионного, количественного, кремния, лазерного, масс-спектрометрического, образцов, основе, поверхности, примесей, создания, сравнения, структур

...и (2)величинами концентрации примеси в интервале 10-10 5 мас.0 в исходном расгворе.Предлагаемый способ характеризуютследующие свойства:простота операций, общедоступностьлабораторного оборудования и оснасткидля создания ОС;простота и точность регулирования впределах не менее 4 порядков содержайиястандартизируемого элемента-примеси;возможность высокой точности прогнозирования содержания примеси и направлейного его изменения на основе простогосоотношения, параметры которого мотутбыть найдены путем простых расчетоввследствие высокой восп роизводймостисвойств матрицы из СПК;тонкая структура и равномерное распределение микропор (обусловливает равномерное распределение примеси пообъему СПК);большая толщина СПК (100 - 200 мкм);что позволяет...

Способ определения состава поверхностных загрязнений кремниевых пластин и структур

Загрузка...

Номер патента: 1624314

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Изидинов, Разяпов

МПК: G01N 31/22, H01J 49/26

Метки: загрязнений, кремниевых, пластин, поверхностных, состава, структур

...а затем в режиме модулированной добротности.Введение добавки комплексообразователя обеспечивает, с одной стороны, повышение степени концентрирования и снижение потерь за счет образования устойчивых комплексов определяемых примесей в объеме фтористо-водородной кислотю, а с другой - визуализацию (возможность контроля) области локализации сухого остатка после испарения кислоты благодаря флуоресценции образовавшихся поверхностных комплексов при сканировании исследуемой поверхности излучением лазера в режиме свободной генерации с плотностью мощности, не превышающей значения, при котором происходит испарение вещества, Последующее воздействие лазером (предварительно оконтуренной области размещения анализируемой пробы) в режиме...