Способ изготовления мдп-транзисторов

Формула

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ, включающий операции формирования на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки и подгонку порогового напряжения на величину Un путем облучения подложки со структурами дозой рентгеновского излучения, пропорциональной Un, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа путем сокращения времени на выполнение операции подгонки, а также улучшения температурной стабильности параметров транзисторов, облучение подложки со структурами проводят при нагреве подложки до 400 450oС, а дозу выбирают из соотношения

где D доза, Р;
Un изменение порогового напряжения, В;
=3 10-6;
d толщина подзатворного диэлектрика.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение пластин со структурами осуществляют со стороны подложки.

Описание

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления микросхем на МДП-транзисторах.
Цель изобретения повышение производительности способа путем сокращения времени на выполнение операции подгонки пороговых напряжений ДМП-транзисторов, а также улучшение температурной стабильности последних.
П р и м е р. На кремниевой подложке (КДБ 12,5 Ом см) выращивают первичный окисел толщиной 70 нм, наносят нитрид кремния толщиной 100 нм, методом фотолитографии формируют активные области. Проводят противоинверсионное легирование полевых областей. С неактивных областей снимают нитрид кремния и выращивают полевой окисел толщиной 1 мкм. С активных областей подложки снимают нитрид кремния и первичный окисел и выращивают подзатворный окисел толщиной 90 нм. Методом фотолитографии формируют контактное окно поликремния и кремнию ("скрытые контакты") толщиной 0,5 мкм, формируют поликремниевую разводку. Вскрывают подзатворный окисел под диффузионные области, проводят в них диффузию фосфора, наносят низкотемпературный окисел (фосфоросиликатное стекло толщиной 1 мкм), после его термической обработки методом фотолитографии вскрывают в нем контактные окна к диффузионным областям и к поликремнию для осуществления с ним контакта металлизированной разводки. Наносят слой алюминиевой металлизации толщиной 1 мкм и методом фотолитографии формируют металлизированную разводку. Затем наносят защитный слой пассивирующего покрытия (фосфоросиликатное стекло с концентрацией фосфора 2-3% толщина слоя 1 мкм) и методом фотолитографии вскрывают в нем окна к контактным площадкам металлизированной разводки. На тестовом транзисторе с помощью трехзондовой установки проводят первичный контроль начального значения порогового напряжения и определяют величину требуемой подгонки Un. Затем подложку с МДП-структурами нагревают до 450оС и облучают дозой D, которая в соответствии со способом рассчитывается по формуле
D где = 3 10-6;
d толщина подзатворного диэлектрика. После облучения нагрев подложки прекращают.
Предлагаемое техническое решение позволяет повысить производительность способа, поскольку уменьшает на 30% время на операцию по подгонке порогового напряжения затвора. Улучшается температурная стабильность в процессе их последующей эксплуатации, поскольку облучение с предварительным нагревом предотвращает заполнение в подзатворном диэлектрике мелких ловушечных уровней, которые в последующем являются основной причиной термонестабильности приборов.
Изобретение относится к микроэлектронике. Способ включает формирование на кремниевой подложке областей истока, стока и подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки, подгонку порогового напряжения Uп путем облучения дозой рентгеновского излучения, пропорциональной величине Uп . Для повышения производительности способа путем сокращения времени на выполнение операции подгонки, а также улучшения температурной стабильности транзисторов облучение подложки со сформированными структурами проводят при одновременном наложении на нее температуры 400 - 450°С с определенной дозой облучения. 1 з.п. ф-лы.

Заявка

4177468/25, 12.01.1987

Вахтель В. М, Гитлин В. Р, Евсеев И. И, Ивакин А. Н, Кадменский С. Г, Левин М. Н, Остроухов С. С, Стоянов А. И

МПК / Метки

МПК: H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

Опубликовано: 09.06.1995

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1419418-sposob-izgotovleniya-mdp-tranzistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления мдп-транзисторов</a>

Похожие патенты