Способ изготовления мдп-транзисторов
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ, включающий операции формирования на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки и подгонку порогового напряжения на величину Un путем облучения подложки со структурами дозой рентгеновского излучения, пропорциональной
Un, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа путем сокращения времени на выполнение операции подгонки, а также улучшения температурной стабильности параметров транзисторов, облучение подложки со структурами проводят при нагреве подложки до 400 450oС, а дозу выбирают из соотношения
где D доза, Р;Un изменение порогового напряжения, В;
=3
10-6;
d толщина подзатворного диэлектрика.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение пластин со структурами осуществляют со стороны подложки.
Описание
Цель изобретения повышение производительности способа путем сокращения времени на выполнение операции подгонки пороговых напряжений ДМП-транзисторов, а также улучшение температурной стабильности последних.
П р и м е р. На кремниевой подложке (КДБ 12,5 Ом


D



d толщина подзатворного диэлектрика. После облучения нагрев подложки прекращают.
Предлагаемое техническое решение позволяет повысить производительность способа, поскольку уменьшает на 30% время на операцию по подгонке порогового напряжения затвора. Улучшается температурная стабильность в процессе их последующей эксплуатации, поскольку облучение с предварительным нагревом предотвращает заполнение в подзатворном диэлектрике мелких ловушечных уровней, которые в последующем являются основной причиной термонестабильности приборов.
Изобретение относится к микроэлектронике. Способ включает формирование на кремниевой подложке областей истока, стока и подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки, подгонку порогового напряжения Uп путем облучения дозой рентгеновского излучения, пропорциональной величине

Заявка
4177468/25, 12.01.1987
Вахтель В. М, Гитлин В. Р, Евсеев И. И, Ивакин А. Н, Кадменский С. Г, Левин М. Н, Остроухов С. С, Стоянов А. И
МПК / Метки
МПК: H01L 21/268
Метки: мдп-транзисторов
Опубликовано: 09.06.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1419418-sposob-izgotovleniya-mdp-tranzistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления мдп-транзисторов</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления запоминающего бистабильного элемента
Следующий патент: Материал для активных элементов лазеров, пассивных лазерных затворов и аподизирующих диафрагм
Случайный патент: Способ сборки импульсной турбины турбокомпрессора