Полупроводниковый переключающий элемент

Формула

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий активную область, заключенную между двумя токонесущими электродами, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, активная область представляет собой матрицу, выполненную из полупроводника, стойкого к воздействию окружающей среды, в которой выращены каналы переключения из материала заданного состава.
2. Элемент по п.1, отличающийся тем, что матрица выполнена из V2O5, а каналы переключения выполнены из VO2.

Описание

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано в вычислительной технике, средствах связи и устройствах автоматики и телемеханики.
Известны полупроводниковые переключатели, содержащие термочувствительный элемент, размещенный в термокамере с температурой, близкой к температуре фазового перехода.
Недостатком является сложность их конструкции и низкая надежность.
Известен также полупроводниковый переключающий элемент, содержащий активную область, заключенную между двумя токонесущими электродами.
Однако этот элемент обладает низкой надежностью ввиду того, что содержит только один канала переключения.
Целью изобретения является повышение надежности элемента.
Цель достигается тем, что в предлагаемом элементе активная область представляет собой матрицу, выполненную из полупроводника, стойкого к воздействию окружающей среды, в которой выращены каналы переключения из материала заданного состава.
Матрица выполнена из V2C5, а каналы переключения из VO2.
На чертеже схематически показан описываемый полупроводниковый переключающий элемент.
Элемент состоит из активной области 1 с токонесущими электродами 2 и каналов 3 переключения, выращенных в активной области.
При подаче на элемент напряжения переключения он из низкопроводящего состояния скачкообразно переходит к проводящее, а при уменьшении напряжения элемент из высокопроводящего состояния переходит в состояние низкой проводимости.
Надежность элемента повышается за счет того, что при его изготовлении в активной области выращено большое число каналов переключения.
Кроме того, для данного переключателя исключен процесс формовки, вследствие чего он обладает значительно большей воспроизводимостью электрических параметров переключения.

Рисунки

Заявка

2365855/25, 01.06.1976

Институт физики полупроводников АН ЛитССР, Институт химии Уральского научного центра АН СССР

Алексеюнас А. А, Гечяускас С. И, Бондаренко В. М, Переляев В. А, Миллер В. И, Швейкин Г. П

МПК / Метки

МПК: H01L 27/24, H01L 35/00, H01L 45/00

Метки: переключающий, полупроводниковый, элемент

Опубликовано: 20.05.1995

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-692443-poluprovodnikovyjj-pereklyuchayushhijj-ehlement.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый переключающий элемент</a>

Похожие патенты