Способ контроля параметров полупроводниковых диодных структур

Номер патента: 1274558

Авторы: Воробьев, Склизнев, Смирнов, Юрченко

Формула

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР, включающий пропускание тока через диодную структуру, измерение спектральной плотности низкочастотного шумового напряжения и отбраковку структур, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности контроля уровня частотно-модулированных шумов диодных структур, измерение спектральной плотности низкочастотного шумового напряжения проводят при температуре диодных структур от 243 до 248 К, а отбраковку структур проводят при условии, что спектральная плотность низкочастотного шумового напряжения не превышает значения, вычисленного по формуле

где S спектральная плотность низкочастотного шумового напряжения, В2/Гц;
SF требуемое значение уровня частотно-модулированных шумов для отбраковки,
F частота измерения, Гц;
Pо мощность генератора, для работы с которым предназначен диод, мВт;
Q внешняя добротность генератора;
l толщина активного слоя диодной структуры, мкм;
I ток через диодную структуру А;
D диаметр диодной структуры, мкм;
n концентрация примесей в активном слое диодной структуры, см-3.

Описание

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники, в частности к полупроводниковому приборостроению.
Цель изобретения увеличение точности контроля частотно-модулированных шумов диодных структур.
П р и м е р. Контролируют диодные меза-структуры Ганна, сформированные на подложке арсенида галлия. Подложку устанавливают на металлическую платформу, соединенную с сосудом Дьюара. Платформу охлаждают до 245 К путем заливки жидкого азота в сосуд Дьюара. На одну из диодных структур опускают пружинный зонд и пропускают через структуру электрический ток. Измеряют спектральную плотность шумового напряжения при токе 0,3 А на частоте 1000 Гц для десяти произвольно выбранных на пластине структур. Среднее значение и дисперсия для спектральной плотности шумового напряжения составляют соответственно 1,64 10-17 В2/Гц и 1,32 10-17 В2/Гц. Верхняя граница доверительного интервала для среднего значения спектральной плотности шумового напряжения с надежностью 0,95 равна 2,63 10-17 В2/Гц. Далее вычисляют значение спектральной плотности шумового напряжения S по формуле
S где SF требуемое значение уровня частотно-модулированных шумов, Гц2/Гц;
Рo мощность генератора, для работы с которым предназначен диод, мВт;
Q внешняя добротность генератора;
F частота измерения, Гц;
I ток через диодную структуру, А;
l толщина активного слоя диодной структуры, мкм;
D диаметр диодной структуры, мкм;
n концентрация примесей в активном слое диодной структуры, см-3.
Расчет при D 300 мкм, l 10 мкм, n 1015-3, I 0,3 А, Q 300, Рo 100 мВт, F 1000 Гц и SF 3 Гц2/Гц дает значения спектральной плотности шумового напряжения S 2,92 10-17 В2/Гц, что превышает полученное на основе измерений значение 2,63 10-17 В2/Гц. Таким образом, условие для отбраковки не выполняется, и контролируемая пластина может быть использована для изготовления диодов, обеспечивающих принятые параметры генератора.

Заявка

3888839/25, 18.03.1985

Московский энергетический институт

Воробьев М. Д, Склизнев С. М, Смирнов Л. П, Юрченко В. И

МПК / Метки

МПК: H01L 21/66

Метки: диодных, параметров, полупроводниковых, структур

Опубликовано: 20.04.1995

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1274558-sposob-kontrolya-parametrov-poluprovodnikovykh-diodnykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ контроля параметров полупроводниковых диодных структур</a>

Похожие патенты