Способ контроля параметров полупроводниковых диодных структур
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР, включающий пропускание тока через диодную структуру, измерение спектральной плотности низкочастотного шумового напряжения и отбраковку структур, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности контроля уровня частотно-модулированных шумов диодных структур, измерение спектральной плотности низкочастотного шумового напряжения проводят при температуре диодных структур от 243 до 248 К, а отбраковку структур проводят при условии, что спектральная плотность низкочастотного шумового напряжения не превышает значения, вычисленного по формуле
где S спектральная плотность низкочастотного шумового напряжения, В2/Гц;
SF требуемое значение уровня частотно-модулированных шумов для отбраковки,
F частота измерения, Гц;
Pо мощность генератора, для работы с которым предназначен диод, мВт;
Q внешняя добротность генератора;
l толщина активного слоя диодной структуры, мкм;
I ток через диодную структуру А;
D диаметр диодной структуры, мкм;
n концентрация примесей в активном слое диодной структуры, см-3.
Описание
Цель изобретения увеличение точности контроля частотно-модулированных шумов диодных структур.
П р и м е р. Контролируют диодные меза-структуры Ганна, сформированные на подложке арсенида галлия. Подложку устанавливают на металлическую платформу, соединенную с сосудом Дьюара. Платформу охлаждают до 245 К путем заливки жидкого азота в сосуд Дьюара. На одну из диодных структур опускают пружинный зонд и пропускают через структуру электрический ток. Измеряют спектральную плотность шумового напряжения при токе 0,3 А на частоте 1000 Гц для десяти произвольно выбранных на пластине структур. Среднее значение и дисперсия для спектральной плотности шумового напряжения составляют соответственно 1,64



S


Рo мощность генератора, для работы с которым предназначен диод, мВт;
Q внешняя добротность генератора;
F частота измерения, Гц;
I ток через диодную структуру, А;
l толщина активного слоя диодной структуры, мкм;
D диаметр диодной структуры, мкм;
n концентрация примесей в активном слое диодной структуры, см-3.
Расчет при D 300 мкм, l 10 мкм, n 1015 cм-3, I 0,3 А, Q 300, Рo 100 мВт, F 1000 Гц и SF 3 Гц2/Гц дает значения спектральной плотности шумового напряжения S 2,92


Заявка
3888839/25, 18.03.1985
Московский энергетический институт
Воробьев М. Д, Склизнев С. М, Смирнов Л. П, Юрченко В. И
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: диодных, параметров, полупроводниковых, структур
Опубликовано: 20.04.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1274558-sposob-kontrolya-parametrov-poluprovodnikovykh-diodnykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ контроля параметров полупроводниковых диодных структур</a>
Предыдущий патент: Контактная пара
Следующий патент: Устройство для измерения числа оборотов колес стоек шасси
Случайный патент: Станок для обрезки выпрессовок автопокрышек