Склизнев

Номер патента: 1828322

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Воробьев, Калугин, Коханов, Склизнев, Смирнов

МПК: H01J 9/04

Метки: катодов, качества, трубок, электронно-лучевых

...при фиксированнома (или )а) уровень шума существенно меняется при изменении э, то есть при изменении запаса по эмиссии 1 э/1 а.Степень возрастания шума с ростом 1 а также различна в зависимости от)э, вследствие 45 чего по степени возрастания шума, то естьпо отношению уровней шума при двух значениях анодного тока 1 а 1 и 1 аг можно судить о запасе по эмиссии. Расчет (д 1 а/ д 1 э) может быть проведен только численными методами по схеме, изложенной, например, в Клейнер Э.1 О. Основы теории электронных ламп, Высшая школа, 1974, стр. 43 - 45).Аппроксимация результатов расчета аналитическими зависимостями позволяет получить для отношений уровней шума при заданных 1 а, 1 аг, 1 э, площади катода Я и расстоянии О выражение (1).Предложенный...

Номер патента: 1274558

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Воробьев, Склизнев, Смирнов, Юрченко

МПК: H01L 21/66

Метки: диодных, параметров, полупроводниковых, структур

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР, включающий пропускание тока через диодную структуру, измерение спектральной плотности низкочастотного шумового напряжения и отбраковку структур, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности контроля уровня частотно-модулированных шумов диодных структур, измерение спектральной плотности низкочастотного шумового напряжения проводят при температуре диодных структур от 243 до 248 К, а отбраковку структур проводят при условии, что спектральная плотность низкочастотного шумового напряжения не превышает значения, вычисленного по формулегде S спектральная плотность низкочастотного шумового напряжения,...

Номер патента: 991388

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Володин, Гончаров, Корнакова, Пойдо, Склизнев

МПК: G05F 1/56

Метки: источник, постоянного, стабилизированный

...изобретения является уменьшение уровня пульсаций выходного напряжения,Поставленная цель достигается тем,что в, стабилизированном исхочникеэмиттер транзистора соединен с входомнепрерывного стабилизатора через введенный диод, а с выходом - через введенный конденсатор.На чертеже представлена функциональная схема предлагаемого стабилизированного источника питания.991388 Формула изобретения Составитель С.Черышева Твхред И.Гайду а К ректор А,фврен РвдакторЮВ Тираж 872 Подйисударстввнного комитета СССРизобретений и открытийва, Ж"35, Раужская наб., д.4/ каэ 131/65 ВНИИПИ Г по двлаов ППП Патвнтфф, г.ужгород, ул,Проектная,4 Источник питания содержит рвгули рувмый првобразоватвль 1, нвпрврывный стабилизатор 2, транзистор 3, базой...