Патенты с меткой «тонкопленочной»

Номер патента: 200638

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Смоленска, Топоровский

МПК: B32B 7/00, C23C 18/06, C23F 1/02 ...

Метки: многослойной, структуры, тонкопленочной

...тонкопленочной структуры отличается от известных тем, что на каждый токопроводящий слой наносят диэлектрический слой, имеющий толщину, несколько меньшую расчетной, обрабатывают этот слой травителем, растворяющим материал токопроводящего слоя, но не воздействующим на материал диэлектрического слоя, доводят толщину диэлектрического слоя до расчетной, наносят второй токопроводящий слой и выжигают контактные мостики электрическим током. Это позволяет значительно увеличить срок службы пленочных структур и их надежность в работе.Длительность процесса травления выбирают, исходя из скорости растворения токопроводящего слоя, его толщины и качества диэлектрического покрытия. После травления структуру тщательно промывают. Если диэлектрические слои...

Номер патента: 253197

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Костышин, Красноженов, Михайловскав.в., Романенко

МПК: H05K 3/18

Метки: лногослойной, структуры, тонкопленочной

...при использовании известного спос ба образуется большое число токопроводящ мостиков, удаление которых затруднено.Целью настоящего изобретения является уменьшение количества токопроводящих мостиков, улучшение параметров тонкопленочной структуры и упрощение технологии изготовления структуры. Для этого на слой металла, служа проводом, через маску наносят диэ ский слой, имеющий толщину нескор ше расчетной. Затем через эту же ма ляют слой активного вещества, с вступать с металлом в химическую под действием излучения. Это активное вещество находится в непосредственном соприкосновении с металлом токопроводящего слоя только в тех местах, в которых слой диэлект рика имеет отверстия. Под действием излучения в тех местах, где слой...

Номер патента: 315132

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бородин, Шепрут, Щепкин

МПК: G01R 31/02

Метки: коммутационной, платы, тонкопленочной

...контакты контрольной платы расположены так, что они являются зеркальным отображением контактов испытуемой, при этом обе платы помещены в камеру, в которой создается газовый разряд между противоположными контактами, а к выводам контактов контрольной платы подключены входы регистрирующего прибора.На чертеже приведена принципиальная схема проверки платы.Напротив контрольной платы 1 на небольшом расстоянии параллельно устанавливают проверяемую плату 2 таким образом, чтобы прямой и зеркальный рисунки расположения контактов поверяемой и контрольной плат соответственно были совмещены. Обе платы помещают в герметичную камеру, откачивают из нее воздух и затем заполняют инертным газом, например смесью неона с аргоном, до давления, необходимого...

Номер патента: 968098

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Казанцев, Калинина

МПК: C23F 1/00

Метки: алюминий, раствор, структуры, титан, тонкопленочной, травления

...травления по примеру 2 для граничных и средних значений концентраций компонентов, входящих в раствор, сведены в таблицу (изменение скорости и состояние качества травления структуры титан- алюминий от содержания компонентов в растворе). 35 Скорость травления, НАВОЗ (МН) 5 Ге мкм/мин Содержание компонентов Рас тПримечание вор 0,22 50 300 3,0 0,36 4,0 0,4 80 400 5,0 0,41 405 0,41 410 90 5,5 0,41 415 95 0,41 420 100 6,0 0,38 ч 80 120 7,0 0,38 140 8,0 500 0,36 160600 10,0 10 алюминий на топологическом рисунке микросхем наблюдаются перетравы, неровности края элементов составляют более 5 мкм,Вследствие большого содержания хромового ангидрида раствор имеет интенсивную окраску, что значительно затрудняет визуальный контроль за процессом...

Номер патента: 1045280

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Озолс, Скобленко, Смеркло

МПК: H01C 7/00

Метки: микросхемы, резистивной, тонкопленочной

...: точки зрения механических напряжечий резистлвная пленка, позво.пяющая подбором толщин и материаловслоев получать заданное значение ТКС,Однако лзвестный способ имеет ряднедостатков, упомянутая компенсациявозникающих механических напряженийНЕ ВСЕГДВ ВОСПРОИЗВОДИМа И ЗВВИСИТот технологических параметров Осаждения, - в результате ТКС отдельныхТПР может быть различным; усложненПрОцЕСС ОоаждЕНИя рЕЗИСтИВНьХ ПЛЕНОК,поскольку требует нанесения трехразнородчых материалов,Цель изобретения - уменьшение темПЕРВТУРНОГО КОЗОф гЦИЕНта СОПРОГИВЛЕния рс;исто 3 ОВ Глкрос:еиы,, К" З с .,Е Ь .,ОС. ЛпаЕтСЯ ТЕИ,ЧтО СОГ".1 С О 01 ОСОбу ИЗГОтВЛЕНИЯ рЕЗЛСТИ.сОЙ ОНКОПЛЕНОга 0 й МИКРОСХЕМЫ,влючаюцему последовательное чанесеие; а дизлВктричзс.ую п 3;ложурези сть...

Номер патента: 1273984

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Осадчий, Собко, Шкурат

МПК: G11B 5/31

Метки: глубины, головки, датчик, магнитной, поверхности, рабочей, тонкопленочной

...Редактор А, Гулько Тираж 543 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Заказ 6482/50 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к приборостроению, а именно к технике магнитной записи.Цель изобретения - повышение точности контроля глубины обработки рабочей поверхности.На фиг. 1 изображена тонкопленочная магнитная головка с датчиком контроля глубины обработки рабочей поверхности; на фиг. 2 - сечение А-А О на фиг. 1; на фиг. 3 - сечение Б-Б на фиг, 1,Датчик контроля глубины обработки рабочей поверхности состоит из двух электропроводящих слоев 1 и 2, распо ложенных на диэлектрической подложке 3, диэлектрического...

Номер патента: 1504636

Опубликовано: 30.08.1989

Авторы: Авраменко, Бродовой, Лукашенко, Палатник, Равлик

МПК: G01R 33/04

Метки: головки, магнитного, магнитной, напряженности, поля, тонкопленочной

...элемент выполнен в виде набора магнитотвердых пленок, например пленок Со-Сг, обладающих прямоугольной петлей гистерезисаи различными коэрцитивными силами.На чертеже изображена блок-схемаустоойства для измерения напряженности поля ТМГ.Устройство содержит магниточувствительный элемент 1, индикаторное устОройство 2 и блок 3 обработки данных.Магниточувствительный элемент 1представляет собой набор тонких ферромагнитных пленок, осажденных нанемагнитную подложку, например пленок Со-Сг, обладающих прямоугольнойпетлей гистерезиса и различными коэрцитивными силами НИзмерение напряженности поля вбли"зи зазора ТМГ производят следуюшим 40образом,Пленки 1 располагают в порядке .возрастания Н и предварительно насмагничивают постоянным полем....

Номер патента: 1816170

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Курбанова, Штурмин

МПК: H01L 49/02, H05K 3/00

Метки: микросхемы, тонкопленочной

...1,5- 2,0 мкм методом вакуумного напыления. Формируют маску 3 из фоторезиста с рисунком схемы проводников нижнего уровня коммутации (фиг. 1-3). Удаляют слой 2 (фиг, 4) через маску 3 селективными травителями: для хрома: соляная кислота: дистиллированная вода:1 при температуре55 + 50 С; для меди - хромовый ангидрид;серная кислота: дистиллированная вода 5 9:3:20 при комнатной температуре.Удаляют маску 3 (фиг. 5).Очищают поверхность подложки сосформированным нижним уровнем коммутации кипячением в изопропиловом спир"0 те в течение 10 мин. Напыляют в вакуумесплошной технологический слоИ 4 ванадиятолщиной 0,1-0,15 мкм на поверхность подложки с проводниками нижнего уровня коммутации (фиг. 6).15 Формируют окна в слое 4 ванадия научастках...

Номер патента: 1614739

Опубликовано: 20.12.2005

Автор: Александрова

МПК: H05K 3/00

Метки: двухуровневой, коммутационной, платы, тонкопленочной

Способ изготовления двухуровневой тонкопленочной коммутационной платы, включающий формирование топологического рисунка первого электропроводного слоя и межслойной изоляции, травление переходных отверстий, формирование топологического рисунка второго электропроводного слоя, формирование защитного диэлектрика, вскрытие контактных отверстий и обслуживание, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения надежности платы путем исключения коротких замыканий между топологическими рисунками двух уровней, контактные площадки электропроводных слоев размещают с взаимным перекрытием не менее, чем на удвоенную толщину межслойной изоляции, переходные отверстия выполняют в зоне...

Номер патента: 1822298

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Белицкий, Дулинец, Калошкин, Колешко, Красницкий, Малышев, Турцевич

МПК: H01L 21/18

Метки: интегральная, металлизацией, микросхема, тонкопленочной

1. Интегральная микросхема с тонкопленочной металлизацией, содержащая кремниевую подложку с расположенными в ней активными и пассивными элементами, диэлектрический слой со сформированными в нем контактными окнами и созданным первым слоем тонкопленочной металлизации, расположенным на диэлектрическом слое и в контактных окнах, вторым слоем металлизации на основе алюминия или его сплавов, расположенным над первым, отличающаяся тем, что, с целью увеличения степени интеграции ИМС за счет уменьшения вертикальных размеров элементов, первый слой тонкопленочной металлизации выполнен толщиной от 15 до 100 нм из заэвтектической смеси кремния с алюминием при содержании кремния от 11,8 до 60...