Придачин

Номер патента: 884498

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Кибалина, Придачин

МПК: H01L 21/423

Метки: отжига, полупроводник-диэлектрик, структур

1. Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик, включающий операцию импульсного облучения подложки с нанесенной на нее диэлектрической пленкой, отличающийся тем, что, с целью предотвращения повреждений структур, облучение проводят излучением, равномерно поглощающимся и в пленке, и в подложке.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят электронами с энергией 5 - 10000 кэВ.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят протонами с энергией 10 - 2500 кэВ.4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что облучение проводят ионами с энергией 15 - 1000 кэВ.5. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят фотонами с энергией E в диапазоне...

Номер патента: 1218633

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Буток, Воронков, Завизион, Придачин, Пятнова

МПК: C07C 11/22

Метки: атомов, н-алкинов-1, углеродных, числом

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ Н-АЛКИНОВ-1 С ЧИСЛОМ УГЛЕРОДНЫХ АТОМОВ ОТ 5 ДО 12 путем взаимодействия ацетилена с металлическим натрием в среде жидкого аммиака с получением ацетиленида натрия с последующим отделением аммиака и добавлением органического растворителя, алкилированием суспензии ацетиленида натрия галоидным алкилом с последующим разложением полученной реакционной массы алкилирования и выделением целевого н-алкина-I из продуктов разложения с использованием перегонки, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии процесса в качестве органического растворителя используют N-метилпирролидон-2 при молярном соотношении натрий : N-метилпирролидон-2, равном 1 : 2,6 - 4,7, и алкилирование ведут при 10 - 30oС, разложение реакционной...

Номер патента: 1167735

Опубликовано: 15.07.1985

Автор: Придачин

МПК: H03M 1/50

Метки: импульсов, частоту

...8. Вход преобразователя черезрезистор 1 подключен к последовательно соединенным конденсаторам 2и 3, параллельно каждому иэ которыхсоединены ключи 4 и 5Последовательно соединенные конденсаторы 2и 3 включены также между входом ивыходом инвертирующего операционного усилителя б, выход которого соединен с входом порогового элемента 7.Выход порогового элемента 7 подключен к входу триггера 8 и выходу преобразователя. Прямой и инверсныйвыходы триггера 8 соединены с управляющими входами соответственно клю- .чей 4 к 5.Устройство работает следующим образом.Входной сигнал Н через резистор 1 заряжает один из последовательно соединенных конденсаторов 2 или 3 в зависимости от .состояния ключей 4 и 5, один из которых замкнут, другой разомкнут....

Номер патента: 550061

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Гаврилов, Качурин, Придачин, Смирнов

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниках, р-п-переходов, сложных, создания

...глубиной залегания р-п-перехода. Так, р-баАв предварительно облучают ионами Ав энергией 100 кэВ дозой 10 о см.2Сущность способа заключается в том, что предварительно, до контакта с диффуэантом, сложный полупроводник бомбардируют ионами одного из компонентов, входящих в соединение, после чего полупроводник отжигают в присутствии диффуэанта, мигрирующего по вакансиям в предрешетке другого компонента.Температура отжига при этом значительно снижается, Это объясняется тем, что возникают дополнительные вакансии, связанные с избытком одного из компонентов соединения.55 О 061-Формула изобретения Составитель А. ЧернявскийРедактор Е. Месропова Техред М, Петко Корректор В. Синицкая Тираж 844 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам...

Номер патента: 516317

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Качурин, Придачин, Романов, Смирнов

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, синтеза, соединений, тройных

...полупроводник внедря:от ионы одного иэ компонентов, входящих в бинарное соединение, при дозе, определяемой соотношением компонентов синтеэируемого тройного соединения, и затем полупроводник отжигают в контакте с веществомтретьего компонента, например, нанесенного в виде пленки на поверхностьбинарного соединения.Существо способа заключается вследующем.Предварительным облучением ионамиодного из компонентов А бинарного соединения АХ ВМдобиваОтся отклоненияприповерхностной области кристалла отстехиометрического равновесия,При Отжиге такого образца происходит генерация большого количества вакансий другого элемента Ч . Если вовремя отжига присутствует третье вещество С, растворяющееся по типу смеТираж 844 Подписное ЦНИИПИ...

Номер патента: 666391

Опубликовано: 05.06.1979

Авторы: Боровский, Кремнев, Придачин, Уманский

МПК: F24F 3/14

Метки: воздуха, тепловлажностной

...в системах кондиционирования содержит цечтробежныйвечтилятор 1 с годдоном 2, всасываощим 3 и нагнетательным 4 патрубками,в первом из которых размещен распылитель 5 жидкости, а ко второму припомощи диффузора б подсоединен гластинчатый сепаратор 7, В диффузоре бустановлена с возможностью повороталогасть 8, ось 9 которой размещенана. оси симметрии диффуэора б перпендикулярно потоку воздуха,Установка работает следуощим образом.Вентилятор 1 через всасывающийпатрубок 3 забирает воздух, которыйв вентиляторе контактирует с распыляемой Распылителем 5 водой и подается через нагнетательный патрубок4 и дчффузоона пластинчатый сепаратор 7.;Вода на распыление забирается из поддона 2.Поворот лопасти 8 приводит к изменению поля скоростей...

Номер патента: 567919

Опубликовано: 05.08.1977

Авторы: Боровский, Грабов, Кремнев, Любезников, Педанов, Придачин, Уманский

МПК: F26B 17/04

Метки: высушенной, льнотресты, тепловлажностной

...неравномерное продувание слоя, что приводит к недостаточной эффективности выравнивания влагосодержания.Цель изобретения - выравнивание влагосопержания по всему объему льнотресты,.Это постигается тем, что по всему объему льнотресты над транспортером на перегородке и стенке второго отсека укреплены легкие гофрированные рукава, к основанию которых присоединены распределительные бюро Института техническойинской ССРРешетка сос"гонт иэ шторок 13, шарннрно посаженных на неподвижные оси 14, размещенные и ллоскости закрепления рукава12, Шторки 13 связаны с рамкой 15 нрипомощи пружин 16.5Установка работает следующим образом,Высушенный слой 11 льнотресты, уложенный на транспортер 10, поступает вотсек 3, Паровоздушная смесь, приготовленная в...