H01L 21/423 — высокой энергией
Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик
Номер патента: 884498
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Герасименко, Кибалина, Придачин
МПК: H01L 21/423
Метки: отжига, полупроводник-диэлектрик, структур
1. Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик, включающий операцию импульсного облучения подложки с нанесенной на нее диэлектрической пленкой, отличающийся тем, что, с целью предотвращения повреждений структур, облучение проводят излучением, равномерно поглощающимся и в пленке, и в подложке.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят электронами с энергией 5 - 10000 кэВ.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят протонами с энергией 10 - 2500 кэВ.4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что облучение проводят ионами с энергией 15 - 1000 кэВ.5. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят фотонами с энергией E в диапазоне...
Способ обработки полупроводников и структур полупроводник диэлектрик (его варианты)
Номер патента: 991878
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Васильев, Герасименко
МПК: H01L 21/423
Метки: варианты, диэлектрик, его, полупроводников, структур, —полупроводник
1. Способ обработки полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий внедрение примесей и нагрев, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности нагрева при одновременном сохранении первоначального профиля внедренной примеси и исключения деформации структур, нагрев производят постоянным СВЧ-излучением с основной частотой излучения 100 МГц - 3 ГГц, объемной плотностью поглощенной энергии СВЧ-излучения 500 - 4000 Дж/см3 в течение 10-3 - 10-2 с, причем структуры помещают в максимум распределения поля СВЧ-излучения.2. Способ обработки полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий внедрение примеси и нагрев,...
Способ ионного внедрения в кристаллические подложки
Номер патента: 906304
Опубликовано: 10.11.1999
Автор: Герасименко
МПК: H01L 21/423
Метки: внедрения, ионного, кристаллические, подложки
Способ ионного внедрения в кристаллические подложки, включающий имплантацию ионов до набора дозы и отжиг путем воздействия импульсного излучения, отличающийся тем, что, с целью избежания накопления радиационных дефектов и снижении температуры полного отжига дефектов, процесс внедрения проводят повторяющимися циклами имплантация-отжиг, причем отжиг проводят после набора дозы не более одной десятой дозы аморфизации, а повторяют циклы после остывания подложек до температуры имплантации.