Способ создания металлических покрытий на полупроводниках и диэлектриках

Номер патента: 1711271

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Бормонтов, Крячко, Сыноров, Чистов

МПК: H01L 21/66

Метки: диэлектрику, контакта, полупроводнику, создания, электрического

...изобретения позволяетез,дополнительной операции напыления(71) Воронежский государственный университет им, Ленинского комсомола(56) Авторское свидетельство СССР М 995000, кл. 6 01 й 1/06, 1983,Авторское свидетельство СССР М 476517, кл. 6 01 й 1/06, 1975.(54) СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КОНТАКТА К ПОЛУПРОВОДНИКУ ИЛИ ДИЭЛ Е КТРИ КУ Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано приконтроле технологических процессов в по-лупроводниковом приборостроении,Целью изобретения является повышение воспроизводимости площади контакта.Сущность изобретения заключается втом, что зонд из сплошного индия прижимают с усилием, обеспечивающим давление,равное 2-4 Н/мм, к поверхности полупро 2водника или диэлектрика и выдерживают...

Номер патента: 568924

Опубликовано: 15.08.1977

Авторы: Ващенко, Гончаров, Михайлец, Назаров, Наконечный, Федоров, Фурман

МПК: G01V 3/10

Метки: включений, диэлектриках, металлических, обнаружения

...элемент генератора 1 материала с металлическими частицами, не передаются через интегрирующую обратную связь 5, вследствие чего коэффициент преобразования системы увеличивается и равен коэффициенту преобразования системы без обратной связи. Это позволяет разделить полезный сигнал и дрейф и существенно повысить чувствительность. Ситнал с выхода амплитудного преобразователя 4 параллельно с интегрирующей обратной связью 5 поступает на интегрирующие цепи 6 и 7, включенные на входы устройства сравнения 8. Постоянные времени интегрирующей цепи 7 и обратной связи 5 имеют величины одного порядка. Интегрирующая цепь 7 предназначена для запоминания выходного напряжения амплитудного,преобразователя 4, соответствующего нулевому уровню и...

Номер патента: 326516

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Барщевский

МПК: G01N 27/00

Метки: включений, диэлектриках, металлических, обнаружения, полупроводниках, широкозонных

...и на величину последнего,При обнаружении металлических включений предложенным способом необходимо, чтобы 20 работа вырывания электрона из металла в окружающую среду была меньше энергетической ширины запрещенной зоны. Эта работа тем меньше, чем больше диэлектрическая проницаемость среды. 25Полученные экспериментально величины фототока, рассчитанные на единицу падающей энергии, наносят на график в прямоугольной системе координат. По горизонтальной оси отклаДывают значениЯ Ь - 6 о в электРон вольтах или других энергетических единицах ( - частота света, большая граничной частоты ъо). По вертикальной оси откладывают величину фототока, соответствующую значениям йъ - Ьо в выбранных единицах. Затем по формуле теории фотоэмиссии из металла в...

Номер патента: 775633

Опубликовано: 30.10.1980

Авторы: Загромов, Куликов

МПК: G01K 7/00

Метки: между, металлическую, нанесенного, поверхностями, подложку, покрытия, противоположными, разности, температур

...подложки безразмер.- у ная избыточная температуры поверхlности покрытия 9 р будет изменяться также, как и температура подлож 1 Уки 6 св случае, если таким же потоком действовать со стороны покрытия, т.е. будет выполняться тождество( 11К м А=Окоторое в размерном виде можно записать как3( о-):011 О,где д(Цх,С)-1 о) - избыточная температура образца.Помимо таких Факторов, как неодномерность температурного поля, зависимость теплофизкческих свойств от температуры, устраняемых общеизвестными способами, решающую роль в отклонении условий. эксперимента от теоретических играет конечность величины теплолроводности материала лодложки, оценка влияния которой сделана путем сравнения решения задачи для случая, когда теплолроводность материала...

Номер патента: 1791466

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Алеутдинов, Артиш, Выпулин, Зуев, Романов

МПК: C23D 17/00

Метки: металлических, покрытий, стеклоэмалевых, удаления

...нагрев в заданном режиме осуществляется с испол ьзов а н ием о пти ко-лучевбй установки, содержащей импульсный источник питания (генератор лучистой энергии, колонну сварочного полуавтомата типа "Т", издепие, поворотную тележку.Возможность работы ксеноновой лампы в импульсном режиме достигается с использованием ипульсного источника питания. Источник питания содержит: трехфазный трансформатор, выпрямитель, блок поджига, генератор лучистой энергии, Для работы генератора лучистой энергии на ду- говой ксеноновой лампе ДКСШв импульсном режиме управляющий вход тиристорного блока управления соединен с задающим генератором, а выход подключен к трехфазному трансформатору, выход которого соединен с входом выпрямителя. Генератор лучистой...