Способ изготовления интегральных структур

Номер патента: 1630565

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Коляденко, Романов

МПК: H01L 21/265

Метки: кремний-на-изоляторе, структур

...40 мин.Кроме того, уплотняющий отжим проводятпри температурах 200 С в течение 1,5 ч и500 С - 20 мин,З.Ионно-стимулированный рост монокристаллической пленки от границы с ПКосуществляют облучением ионами через маску в виде решетки из полосок тантала шириной 0,3 мм с зазорами 0,3 мм - 1 мм при+следующих условиях: ион Хе, энергия140 кэВ, доза 10 6 см 2, температура 500 С.П р и м е р 2. Структуру, полученнуюаналогично пунктам 1 и 2 примера 1, обрабатывают по п.З при следующих условиях: ион Хе, энергия 140 кэВ, доза1 з 1 +5 10 см, температура 400 С.П р и м е р 3, Структуру, полученнуюаналогично пунктам 1 и 2 примера 1, обрабатывают по п,З, при следующих условиях(комбиникованное облучение):ИонАз,Энергия 130 кэВ, доза - 10 см 280 кэВ - 10 см...

Номер патента: 1093175

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Попов, Сухов

МПК: H01L 21/318

Метки: кремний-двуокись, кремния, кремния-нитрид, структур

...улучшения элекФрофизических параметров структур.Давление в реакторе при отжиге более 2 атм приводит к нарушению герметичности кварцевого реактора и невозможности реализации процесса. Использование металлических реакторов приводит к загрязнению структур ионами металлов и взаимодействию аммиака с материалом реактора при повышенной температуре процесса. Эксперименталь 35 ио показано, что отжиг структур при давлении аммиака 1-2 атм улучшает электрофизические параметры структур только при продолжительности отжига не менее 30 мин.Под улучшением электрофизических характеристик понимается увеличение крутизны вольт-фарадных характеристик структур Бх - ЯО- БхэМ, что является следствием уменьшения флуктуаций заряда и уменьшения величины...

Номер патента: 1031367

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Вершинина, Герасименко

МПК: H01L 21/263

Метки: кремний-двуокись, кремния, структур

Способ обработки структур кремний - двуокись кремния, включающий термообработку структур в интервале 200-300oC и одновременное облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью пониженного избыточного положительного заряда в структурах, облучение осуществляют электронами энергией 0,18-3,5 Мэв дозой 1014-1015 эл см-2.

Номер патента: 1545845

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников, Стась, Сухих

МПК: H01L 21/265

Метки: изоляторе, кремний, структуры

Способ получения структуры "кремний на изоляторе", включающий имплантацию в кремниевую подложку ионов кислорода (азота) с дозами и энергиями, достаточными для образования изолирующего слоя двуокиси кремния (нитрида кремния) под слоем кремния, и нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структуры, имплантацию и нагрев проводят в два этапа: на первом этапе имплантируют часть поверхности кремниевой подложки так, чтобы имплантируемые области чередовались с неимплантированными, и проводят нагрев, а на втором имплантируют только неиплантированную на первом этапе поверхность кремниевой подложки и проводят нагрев.

Номер патента: 1635819

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Серяпин, Смирнов

МПК: H01L 21/268

Метки: кремний-на-изоляторе, структур

Способ изготовления структур кремний-на-изоляторе, включающий нанесение диэлектрической пленки на подложку из монокристаллического кремния, нанесение слоя поликремния на диэлектрическую пленку и рекристаллизацию поликремния путем предварительного подогрева структуры и облучения сканирующим сфокусированным лучом, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур при одновременном упрощении способа, предварительный подогрев ведут со стороны слоя поликремния, а облучение сканирующим лучом ведут со стороны подложки при мощности излучения, достаточной для начала образования на облучаемой поверхности островков жидкой фазы, но недостаточной для образования сплошной расплавленной зоны.