Способ получения p-n-переходов

Номер патента: 683399

Авторы: Лисовенко, Марончук, Якушева

Описание

Способ получения p-n-переходов методом жидкостной эпитаксии путем охлаждения раствора-расплава с добавкой амфотерной примеси, приведенного в контакт с подложкой, ниже температуры инверсии, отличающийся тем, что, с целью получения p-n-переходов, плоскость которых перпендикулярна поверхности подложки, выращивание производят при контакте раствора-расплава с подложкой по узкой полоске при одновременном перемещении ее по поверхности подложки, причем скорость относительного движения после достижения температуры инверсии по крайней мере в 5 раз больше, чем при температуре выше точки инверсии.

Заявка

2571374/25, 18.01.1978

Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирский государственный университет

Лисовенко В. Д, Марончук И. Е, Марончук Ю. Е, Якушева Н. А

МПК / Метки

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-переходов

Опубликовано: 10.11.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-683399-sposob-polucheniya-p-n-perekhodov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения p-n-переходов</a>

Похожие патенты