Способ изготовления многослойных p-n структур соединений типа aiiibv

Номер патента: 1176782

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Елисеев, Иванов, Колоскова, Локтаев, Лягушенко, Нисневич

МПК: H01L 21/314

Метки: n+-p-n-p-типа, многослойных, полупроводниковых, силовых, структур, тиристоров

1. Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа, включающий химическую обработку, осаждение из растворов на основе тетраэтоксисилана на обе поверхности кремниевых пластин n-типа проводимости легированных окисных пленок - источников диффузии алюминия и бора, термическую обработку в окислительной среде при температуре 1200 - 1300oC для формирования высоковольтных p-n переходов, создание маскирующей пленки по всей площади пластины, локальное травление маскирующей пленки и формирование n+-областей диффузией фосфора, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения параметров тиристоров, для создания...

Номер патента: 1729423

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Богомолов, Князева, Ошейко, Раздомахин

МПК: A41D 31/02

Метки: многослойный, пакет

...получения ячеистой структуры пакет растягивают в поперечном направлении и подвергают фиксации. В результате плоские полосы 7 приобретают гофрированную форму с обращенными одна навстречу другой 45 вершинами гофр смежных полос, соединенными между собой дополнительными накладками, полученными из разрезанных полос 8 поперечного направления. Дополнительные накладки могут быть выполнены из эластичного поропласта, ткани, нетканого или пленочного материала. Соединение дополнительных накладок с полосами прокладки может быть осуществлено клеевым, термомеханическим или другим способом, обеспечивающим возможность соединения материалов по плоскости. Соединение прокладки 3 с наружным 1 и внутренним 2 слоями многослойного пакета для спецодежды...

Номер патента: 826887

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Коваленко, Лисовенко, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Способ изготовления многослойных структур на основе соединений типа AIIIBV, включающий принудительное охлаждение раствора-расплава содержащего компоненты соединения, амфотерную примесь и дополнительно индий, с постоянной скоростью до температуры ниже температуры инверсии амфотерной примеси, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества и упрощения технологии изготовления четырехслойных структур, в расплав добавляют 10-60 ат.% индия, насыщенного элементом V группы при температуре ниже температуры инверсии амфотерной примеси в исходном расплаве, но выше температуры инверсии амфотерной примеси в индийсодержащем расплаве.

Номер патента: 782605

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/205

Метки: aiiibv, выращивания, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Способ выращивания многослойных структур на основе соединений типа A IIIBV с использованием химических газотранспортных реакций, включающий загрузку в реактор источника элемента третьей группы, подложек, подачу газовой смеси, содержащей галогенид пятой группы и пары воды, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества структур в источник элемента третьей группы добавляют кремний в количестве, превышающем предел растворимости, а концентрацию паров воды изменяют в интервале 10 - 500 ррт.

Номер патента: 1094511

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, соединений, структур, типа

Способ получения p-n-структур соединений типа AIIIBV эпитаксией из жидкой фазы, включающий приготовление насыщенного раствора-расплава, содержащего галлий, висмут, мышьяк, амфотерную примесь IV группы, контактирование его с подложкой и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью увеличения быстродействия электролюминесцентных приборов в основе структур GaAs и GaAlAs, повышения их квантовой эффективности при низких температурах и смещения максимума излучения в длинноволновую область, в состав раствора-расплава вводят 65 - 90 ат.% висмута, 10-35 ат.% галлия и 0,5 - 5 ат.% германия.