Любопытова

Номер патента: 552860

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Герасименко, Кузнецов, Лежейко, Любопытова, Смирнов, Эдельман

МПК: H01L 21/265

Метки: карбида, кремния, кубической, модификации, синтеза

Способ синтеза карбида кремния кубической модификации путем внедрения в подложку кремния, нагретую до температуры 600 - 650oC, ионов углерода при плотности тока 15 - 20 мка/см2, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллического карбида кремния в объеме подложки, содержащей внедренные атомы углерода, после внедрения проводят термообработку подложки при температуре 1100 - 1300oC.

Номер патента: 463398

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Герасименко, Кузнецов, Лежейко, Любопытова, Смирнов

МПК: H01L 21/265

Метки: sic-si, гетероперехода

Способ изготовления гетероперехода SiC-Si путем внедрения ионов углерода энергией несколько десятков килоэлектронвольт в кристалл кремния и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности поверхностный состояний на границе раздела, внедрение ионов производят при дозе облучения более 7 1017 см-2.

Номер патента: 880198

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Лежайко, Любопытова, Ободников

МПК: H01L 31/0352

Метки: полупроводниковый, фотоприемник

Полупроводниковый фотоприемник на основе внутреннего фотоэффекта, содержащий кристалл с фотоприемной поверхностью, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона фоточувствительности, над фотоприемной поверхностью расположен варизонный слой, толщина которого не более обратной величины коэффициента поглощения регистрируемого излучения и не менее длины туннелирования носителей заряда, причем градиент ширины запрещенной зоны удовлетворяет соотношениюгде Eg(x) - ширина запрещенной зоны; - подвижность носителей...