H01L 21/48 — изготовление или обработка частей, например корпусов, до сборки прибора, с использованием способов, не предусмотренных ни одной из подгрупп

Номер патента: 160230

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 21/48

Метки: 160230

...быть последней операцией перед сборкой прибора. едмет обретения Способполупровмеди ислоем нитем, что,метизаципредварипературе холодной одниковых ковара, п келя и зо с целью покорпусо тельно отж 610 - 670 С никель проникает му хрупкость. Б СПОСОБ ХОЛОДНОЙ СПОЛУПРОВОДН Способ технологической обработки деталей, заключающийся в нанесении слоя никеля под слой золота, известен и широко применяется для упрочнения и повышения коррозионной стойкости металлов.Предлагаемый способ холодной сварки деталей корпусов полупроводниковых приборов, например, из меди и ковара отличается от известных тем, что для осуществления гермети. зации покрытых золотом деталей путем холодной сварки детали дополнительно подвергают отжигу в вакууме при температуре 610 -...

Номер патента: 234525

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Жуков, Петракова, Федотова

МПК: H01L 21/48

Метки: изоляции, интегральных, системах, соединений, создания

...причем пленка оказывается с большим количеством проколов, 25Цель настоящего изобретения заключается в получении изоляционных слоев с улучшенными характеристиками и в упрощении технологии их изготовления. Достигается она тем, что используют пленку окиси алюминия 30(А 1,0), полученную электрохимическим анодированием пленки алюминия, причем нужные места с проводящими сбластями от анодирования защшцаются фоторезистом на основе 24 О/о-ного нафтохинондиазида.Предложенный спосоо заключается в следующем.На кремниевую пластинку с готовыми интегральными схемами няиыляют в вакууме пленку ал 1 охННН 51. На этой пленке при помощи фотолитографии выполняют конфигурацию соединений между интегральными схемами, причем пленка оголена от фоторезиста по...

Номер патента: 337853

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Ивченко, Карпенко

МПК: H01L 21/48

Метки: трафаретов

...цикл получения трафарета по такому способу длитслен, так как имеет две операции откига.По предлагаемому способу, с целью получения трафаретов (масок), устойчивых в температурном лоле и обеспечивающих получение микросхем,с элементами до 50 мк с большой .плотностью топологического рисунка,трафарет,перед никелированием растягивают5 до появления в нем напрякений, обратныхзнаку, а по величине больше или равных напряжениям, возникающим в трафарете притермическом напылении,Предлагаемый способ заключается в сле 10 дующем.Трафарет, лредставляющий собой тонкуюметаллическую пласттинуперед никелированием,помещают в рамку специального натякного устройства и растягивают до появления15 в нем предварительного напряжения, обратного по знаку...

Номер патента: 383118

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Гилев, Мурин

МПК: H01L 21/48

Метки: микрополости, образования, твердом, теле

...селективного удаления основного материала в местах, незащищенных контактной маской. 25Предлагаемый способ позволяет упростить технологию, повысить производительность процесса, повысить точность геометрических размеров и повысить чистоту поверхности микро- полости. Для этого контактную маску наносят 30 На подложку 1 (см. чертеж) наносят то- кую пленку материала маски 2. Методом фотолитографии или любым другим способом, имеющим необходимое разрешение, вырезают окна 3 в материале маски. Подложку с маской нагревают в вакууме до температуры, при которой имеет место сублимация материала подложки, и выдерживают при этой температуре для испарения необходимой толщины материала подложки. После удаления материала маски химическим травлением...

Номер патента: 391652

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/48

Метки: 391652

...и произв и обеспечения автоматиза воды группы микросхем сторон лентой, например, ной по длине посередине. при окраске механически,пью повышения одительности т ции процесса обжимают с из фольги, сломик- отликауда вывух жен 25 Изобретение относится к технологии изготовления радиодеталей и может быть использовано при изготовлении микросхем,Известен способ защиты выводов при окраске микросхем, осуществляемый механически.Цель изобретения повышение качества защиты выводов и производительности труда и обеспечение автоматизации процесса окраски.Для этого выводы группы микросхем обжимают с двух сторон лентой, например, из фольги, сложенной по длине посередине,Предложенный способ поясняется фиг. 1 - 3.Группу микросхем 1 располагают в один ряд...

Номер патента: 397994

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Бушманов, Кириченко

МПК: H01L 21/48

Метки: базового, ориентирования, среза

...8 - 13 м.1, толщина полупроводникоВой пластины - -200 - 400 з:км. Подложка выполнена из Вакуумной резины с шсохоВатойповерхностью.На фиг. 1, 2, 3 показаны варианты разломаполупроводниковых пластин по кристаллографическим плоскостям спайности и выходы плоскостей спайности на исходную плоскость (плоскость пластины). Так, на фиг. 1 представлен,вариант разламывани 51 полупроводниковой пластины из слитка, выращенного в направлении 111, по кристаллографическим плоскостям спайности (111); на фиг. 2 - разламывание пластины из слитка 1110 по плоскостям спайности (111); на фиг. 3 - разламывание пластины из слитка ,100 п плоскостям (110),После разламывания пластины берут один из секторов л 1 обой) и совмещают его 1 няпрн мер, с помощью...

Номер патента: 365226

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Гиль, Громов, Дубровский, Изобретени, Лысенко, Медведев, Назаров, Царьков

МПК: B23K 31/02, H01L 21/48

Метки: герметизации, корпусов, пайкой, плоских, полуавтомат, полупроводпиков

...вала 5 при помощи штока о, и коллектором 7 для наполнения газом камеры 1 через клапан д, связанный с кулачком 9,распределительного вала 5, который приводится во вращение электродвигателем 10 через клиноременную передачу 11, редуктор 12 и муфту предельного момента 13.Для фиксации крышек 14 корпусов 15 и возможности шагового перемещения кассета 16 выполнена в виде пенала с зубьями 17 на боковой стороне, гнездами 18 и находящотмпся в них подпружиненныхви рамками 19. Кассета-пенал 16 с уложенными в ней корпусами 15 и крышками 14 вставляется в направляющие 20 стола и подхватывается собачками 21, укрепленными на штанге 22, которая совершает возвратно-поступательное движение при помощи рычажной системы 23, связанной с кулачком...

Номер патента: 420016

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Иванов, Огнев, Сальников

МПК: H01L 21/48

Метки: микроминиатюрных, ориентации

...деталей, обращенных к опорным плоскостям большей поверхностью, и раз водят вакуумные присосы с однозначно ориентированными деталями на некоторое расстояние.Чертеж иллюстрирует предлагаемый способориентации микроминиатюрных деталей.10 Герметичная камера 1 вакуумного присосаимеет опорную плоскость 2, выполненную в виде крышки из микропористого материала, Камера снабжена штуцером 3, через который она сообщается с вакуумной системой. Ори ентируемые детали 4 помещают на опорнуюплоскость 2, поры которой создают систему микросопел, через которые отсасывается газ из окружающей среды, образуя равномерное пневматическое палс на опорной плоскости.20 При этом величина вакуума выбирается достаточной для удержания деталей на опорной поверхности...

Номер патента: 423206

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Лепилин, Матвеев, Самыгина, Черн

МПК: H01L 21/48

Метки: интегральных, маркировки, схем, элементов

...известного способа являются сложность механических устройств для его 15 реализации, а также нанесение метки на полупроводниковом кристалле, из-за чего он целиком бракуется. Однако при изготовлении ряда приборов, например многоканальных коммутаторов на МОП-транзисторах, вы ход из строя одного канала не влияет на работоспособность остальных каналов, поэтому практически можно использовать все кристаллы, имеющие хотя бы один годный канал.25Предложенный способ маркировки элементов ицтегралы 1 ых схем отличается тем, что после измерения их электрических параметров риску наносят острием электроизмерительного зонда ца 11 оцтактцо 1 плонадке, соотВетствующей негодному элементу,Способ реалцзуется слсду 1 ощцм образом. Прп Обцаруже:1...

Номер патента: 519794

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Никулин, Смирнов

МПК: H01L 21/48

Метки: комплект, перегрузки, полупроводниковых, приборов

...жестко укрепленной на ней направлчющей, а основания цанговых зажимов снабжены выступами и свободно установлены на направляющей, при этом комплект снабжен набором ограничителей в виде 5 прямоугольных рамок с отверстиями по формевыступов, соединяющих смежные цанги.На фиг. 1 изображен общий вид комплекта; на фиг. 2 - вид сверху.Комплект включает в себя кассету, содер жащую прямоугольную скобу 1 с направляющей 2, и набор ограничителей 3. В скобе выполнен паз 4, в который входят выступы 5 оснований 6 цанг 7, Основания цанг свободно установлены на направляющей 2, жестко 25 соединенной со скобой 1 через планку 8, Одно из крайних оснований жестко закреплено на направляющей, Диаметр оснований равен величине шага расположения приборов в емких...

Номер патента: 570937

Опубликовано: 30.08.1977

Авторы: Кленчева, Пеньков, Сандеров

МПК: H01L 21/48

Метки: прессформа

...результату к изобретению,Целью изооретення является обеспечениевозможности замоноличивания микропровода в корпус полупроводникового прибора.1 оставленная цель достигается тем, чтопресс-форма выполнена с окнами в нижней и верхнеи формоооразующих пластинах для оазирования внутри пресс-формы разъемного вкладыша, имеющего на рабочих, плоскостях микропазы для закладывания в них микро- провода.Кроме того, на трех рабочих плоскостяхвкладыша выполнены параллельные совмещенные пазы, а на четвертой - наклонные пазы, угол наклона которых зависит от шага между выводами.На фиг. 1 схематически изображена предлагаемая пресс форма в разрезе; на фпг. 2 - вкладьцпп с пазами.11 ресс-форма состоит из основания 1 с базирующими элементами, пластин 2...

Номер патента: 610211

Опубликовано: 05.06.1978

Автор: Бабаянц

МПК: H01L 21/48

Метки: закрепления

...корпусовэлектронных приборов.На фиг. 1 показано предложенное устройство для закрепления деталей, например,ври электрохимической обработке многовы- З 0водных корпусов приборов общий вид кафиг. 2 - крепление штырькового выводаэлектронного прибора; на фиг, 3 - схемарасположения высокопроводяших и упругих35элементов щетки; на фиг. 4 - креплениепланарного вывода электронного прибораустройства,Устройство для закрепления деталей, например при электрохимической обработке40многовыводных корпусов электронных приборов содержит основание 1, выполненноеиз химически стойкого электроизоляционного материала (например, фторопласта, эбонита, пластмассы и т.п), в котором закреп-,лены одним концом высокопроводяшие 2 а иупругие 2 б элементы...

Номер патента: 1674294

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Агеев, Зайцев

МПК: H01L 21/48, H01L 21/60

Метки: интегральной, монтажа, носитель, схемы

...относится к микроэлектронике, в частности к носителям для монтажа интегральных схем,Цель изобретения - повышение надежности и снижение трудоемкости.На чертеже представлена конструкция носителя.Носитель содержит диэлектрическое основание 1 с окном 2 и парами противолежащих плоских металлических выводов 3, выполненных в виде единой токоведущей полоски,Носитель работает следующим образом.Носитель накладывают на поверхность кристалла диэлектрическим основанием 1 так, чтобы контактные площадки кристалла расположились в окне 2, а металлические выводы 3 проходили над контактными площадками. Металлические выводы присоединяют ультразвуковой сваркой к контактным площадкам кристалла.Выполнение плоских металлических выводов 3 в виде единой...

Номер патента: 1700640

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Андреичев, Вовк

МПК: H01L 21/48

Метки: гибридных, интегральных, корпусов, схем

...р фили 3 и 4. На торцевые остроконечные профили заготовки 2 боковых граней наносят металлическое покрытие 5, образующее с Ь материалом заготовок эвтектику. Затем пе- О ред сборкой удаляют с вершин профилей покрытие. Сборку корпуса проводят на оп-, 3 равке 6, зажимая заготовки между электродами 7 и 8. При этом устанавливают шунтирующие вставки 9 и 10, пропускают ток по образовавшейся цепи между электродами 7 и 8 в виде короткого импульса продолжительностью 2 - 3 с в защитной среде.При достижении температуры образования эвтектики, например, никель-титан, происходит оплавление боковых поверхно 1700640стей остроконечных профилей. Одновременно с разогревом на острие профиля действует приложенное к электродам давление.. В процессе сварки...

Номер патента: 1102433

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Дмитриев, Колычев

МПК: H01L 21/48, H01L 21/76

Метки: кристаллов, полупроводниковых, приборов

...подложка с пассивирующей пленкой, нанесенной на рельеФную поверхность; на Фиг,5 - завершенная полупроводниковая транзисторная структура со вскрытыми контактными площадками55На фиг.1-5 изображены полупроводниковая подложка 1, базовая область 2, эмиттерная область 3, за 33 4щитное покрытие 4, контактные площадки металлизации 5, слой Фоторезиста 6, канавки 7 диэлектрической изоляции, подтравленные канавки8 диэлектрической изоляции, пассивирующая пленка 9.П р и м е р. В полупроводниковойподложке кремния 1 толщиной 300 мкм,служащей коллектором, Формируют диФФузией бора из трехбромистого бораВВг базовую область 2 глубиной залегания - 10 мкм и противоположногоподложке р-типа проводимости,ДиФФузию проводят в две стадии:загонка примеси при...

Номер патента: 1777517

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Гришмановский, Козлова, Лебедева, Плаксенков

МПК: H01L 21/48

Метки: выводных, заготовок, полупроводниковых, приборов, профильных, рамок

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРОФИЛЬНЫХ ЗАГОТОВОК ВЫВОДНЫХ РАМОК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий соединение ленточных материалов выводов и теплоотвода, резку и штамповку, отличающийся тем, что, с целью экономии материалов и снижения трудоемкости, на ленточном материале выводов размещают одну или несколько полос ленточного материала теплоотвода и прокладку, предотвращающую сварку, наматывают полученную слоистую структуру на оправку, выполненную из жаропрочного материала с высоким температурным коэффициентом линейного расширения, на сформированный рулон наматывают металлическую ленту из материала с низким температурным коэффициентом линейного расширения и нагревают рулон с оправкой в защитной среде до температуры, равной 0,8 величины,...

Номер патента: 1371462

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Мелихов, Федотов, Холявин

МПК: H01L 21/48

Метки: герметизации, корпусах, плоских, полупроводниковых, приборов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ В ПЛОСКИХ КОРПУСАХ, содержащее систему откачки, вакуумируемую камеру с эластичной прокладкой и вакуумным краном, соединяющим камеру с системой откачки, блок нагревателей, систему управления нагревателями, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции устройства и снижения его металлоемкости, вакуумируемая камера образована двумя металлическими плитами и герметизирующей упругой прокладкой, образующей боковую стенку камеры, вакуумный кран расположен на одной из плит, а эластичная прокладка расположена на другой плите.

Номер патента: 673083

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Аграфенина

МПК: H01L 21/48

Метки: aiiibv, полупроводниковых, соединений, типа, травитель

Травитель для полупроводниковых соединений типа AIIIBV, преимущественно для антимонида индия, содержащий водорастворимые органические кислоты, преимущественно винную и этилендиаминтетрауксусную, окислитель и воду, отличающийся тем, что, с целью получения зеркально-гладкой поверхности травления при малых толщинах съема материала и улучшения эксплуатационных свойств травления, он дополнительно содержит соляную кислоту и кислородхлорсодержащий окислитель, преимущественно хлорноватистую кислоту, при следующем соотношении компонентов мас.%:Водорастворимые органические кислоты, преимущественно винная и этилендиаминтетрауксусная - 0,4 - 0,5Соляная кислота (37%) -...