Способ получения эпитаксиальных p-n-структур

Номер патента: 1369592

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Гальцев, Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР по авт. св. N 1192542, отличающийся тем, что, с целью увеличения критического тока коллектора, после формирования низколегированной базовой области одновременно с эмиттерным окном вскрывают окно под контактную базовую область, которую формируют одновременно с высоколегированной базовой областью на глубину менее глубины залегания низколегированной базовой области, после чего покрывают маскирующим слоем окно под контактную базовую область и формируют эмиттерную область на глубину менее глубины залегания контактной базовой области на величину, не превышающую диффузионной длины неосновных носителей тока, инжектируемых из эмиттера в базовую область, при этом контактная базовая область выходит в...

Номер патента: 1809708

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Васильев, Мищенко, Нальникова

МПК: H01L 31/18

Метки: мдп-структур, основе, подложках, полупроводниковых, создания, фотоприемников

...состава при температуре отжига Т, 11 - время отжига при температуре Т;, 1 - количество отжигов,Наконец, проводят операции по созданию конкретного ИК-фотоприемника на основе МДП-структур по одной из известных технологий, включающих нанесение диэлектриков и формирование электродов регистрации и обработки информации.На фиг.1 показана зависимость концентрации электрически активных центров в приповерхностной области от времени отжига структуры; на фиг,2 - зависимость обнаружительной способности МДП-фотоприемника от концентрации легируюшей примеси при различных значениях поверхностного потен. циала.Конкретный пример применения данного способа к ИК фотоприемникам, создаваемым на основе МДП-структур из КРТ р-типа с х = 0,22 и концентрацией...

Номер патента: 295785

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Виноградова, Выгодский, Гиндин, Коршак, Равич, Торопцева

МПК: C08K 3/08, C08L 79/08

Метки: диэлектриков, основе, полиимидов, теплопроводных

...полимеров применяют Х,Х-димстплформамид, М,Х-дивтетилацетамид, 1 ч-мстилпирролидон, хлороформ, симтетрахлорэтан н др.В качестве солей используют ацетаты, ацстилацетонаты, оксалаты и формпаты серебра, никеля, кобальта, марганца, магния, меди, бериллия, железа, хлора и др,Таким образом, изменяя копцентрацгно вводимой соли или температуя обработки композиции, по указанному способу можно полу- цать полимеры с заранее заданными тепло- и электрофизическими свойствами.П р и м е р. Полипиромеллитимид анилинфталеина растворяют в органическом растворителе. К 5 - 8% -ному раствору полиимида при перемешивании приливают 10 - 15%-ньтй раствор СНзСООАд в пиридине. Полученный раствор тонким слоем наносят па стекляннуюПоказатель 1,2 0,5...

Номер патента: 497266

Опубликовано: 30.12.1975

Авторы: Кучерова, Ободовская, Пятигорская, Шапиро, Шишов, Школьникова

МПК: C04B 35/495

Метки: металлов, ниобатов, основе, сегнетоэлектрических, щелочноземельных, щелочных

...формуле Ва,.Жо,.МЬОо. согласно уравнению реакции 2 НоКЬО (С 04) э 7,5 Н 20+О,55 гС 204 Н 20+ +0,5 ВаС,04 НО+3,502 Вао,5 Яго ьХЬ 206+ +14 СОе+19 НеООксалоциобиевой кислоты 264,42 Оксалата ба)рия 32,66 Оксалата стронция 25,12Компоненты шихты гомогенизируют в шаровой мельнице в среде этилового спир. та прц весовом соотношении шихта: шары: :спирт=1:1:1,5. Для обеопечения более высокой чистоты готового гпродукта применяют497266 изобретения П редм ет 10 Составитель Т. ВалетоваТехред Е. Подурушина Редактор В. Блохина Корректор Р. Юсипова Заказ 2005 Изд. ЛЪ 1085 Тираж 648 Подписное ЦНИИПИ Госутпврственного коиитета Совета Мннистров СССР по делаи нзооретений и открытий 113035, Мооюва, Ж, Раршокая наб д. 4/5Оол. тип. Костромского управленин...

Номер патента: 990016

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, многослойных, соединений, структур, типа

Способ изготовления многослойных p-n-структур соединений типа AIIIBV, включающий соединение пакета эпитаксиальных структур в монолитный блок при нагревании, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур и упрощения технологии их получения, пакет эпитаксиальных структур сжимают давлением 10-20 кг/см2 и перемещают в градиенте температур вдоль оси пакета 300-600 град/см в направлении уменьшения температуры со скоростью 5 10-4-10-3 см/с, причем температура составляет 850-1000 К.