Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик

Номер патента: 1506400

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Бондарь, Козеев

МПК: G01R 31/26

Метки: металл-полупроводник, структуры, тензоэлектрических, характеристик

...- с входом устройства 9 для измерения температуры, выход которого подключен к второму входу коммутатора 4. 20 Первый выход образца 5 электрически соединен с источником 10 питания, а второй выход - с входом нагрузочного сопротивления 11, выход которого соединен с входом усилителя 12. Выход усилителя. 12 подключен к входу детектора 13, выход которого соединен с третьим входом коммутатора 4, выход которого подключен к входу регистрирующего устройства 14 . Образец 5 30 оптически соединен с монохроматором 15, кроме того, к второму входу его подключено устройство 16 для определения параметров глубоких примесных центров, выход которого подключен к 35 четвертому входу коммутатора 4. Коммутатор 4 соединен с микро-ЭВМ 17.Сигнал...

Номер патента: 1108962

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин, Чернышев

МПК: H01L 21/04

Метки: двухслойного, дефектности, диэлектрика, кремния, нитрид, окисел, проводник, структуре, уменьшения, —полупроводник

СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ ДЕФЕКТНОСТИ ДВУХСЛОЙНОГО ДИЭЛЕКТРИКА В СТРУКТУРЕ ПРОВОДНИК НИТРИД КРЕМНИЯ ОКИСЕЛ КРЕМНИЯ ПОЛУПРОВОДНИК, заключающийся в проведении термообработки структуры нитрид кремния окисел кремния - полупроводник в атмосфере кислорода перед нанесением проводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации в структуре, термообработку проводят в атмосфере влажного кислорода при температуре 800 - 1150 oС в пределах одного часа, затем с поверхности нитрида кремния удаляют пленку оксида кремния, образовавшуюся в процессе термообработки, и перед нанесением проводника проводят отжиг в атмосфере водорода при 700 - 1000oС в течение 30 60 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что отжиг...

Номер патента: 1402201

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Ермакова, Перов, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: диэлектрика, емкости, заряда, области, полупроводнике, полупроводниковых, пространственного, структур

...где Е, - диэлектрическая проницаемостьМатериала, Я - диэлектрическая пров ицаемость вакуума, Б, - концентрая нескомпенсированных примесей волупроводнике, с 1 - заряд электрона); М, - сопротивление утечки материала б большей шириной запрещенной зоны; Ц - емкость материала с меньшей шииной запрещенной зоны, К, - сопротивение объемных квазинейтральных обастей полупроводников; Бф - фотоЭДС, оявляющаяся при освещении образца;емкостная нагрузка; 7- фотонаряжение (фотоотклик); на фиг,. 4 ременная зависимость фотоотклика 1 (Т) при освещении образца светом,Кривая 1 - при С=С и кривая 2 - 25 4 ри С=С Н, С н (С и, . Чф - значение фотоотклика в точке излома на зависиМости 7 при С=С и, 7 ф - при С= =С 1 где С и С- первое и второе значения...

Номер патента: 1408474

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Орешкин, Рожков

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, ионизации, полупроводниках, уровней, энергии

...концентрацией поверхностных центров возникают интенсивные колебания напряжения и тока. Для оп 35 ределения характера распределения поверхностных центров (непрерывное или пик плотности состояний) далее проводят изиерение зависимости периода воз-. никающих колебаний 1 С от температу,Кры Т, наблюдая период колебаний на экране осциллографа, Температуру структуры изменяют в пределах 200- 400 К,Пику плотности состояний, определяемому наличием на поверхности примесных глубоких центров либо структурных дефектов, соответствует экспоненциальное уменьшение периода возникающих колебаний при увеличении 50 температуры. При этом энергию ионизации определяют по ФормулеКВЕ = 2 МТ 1 п - 4 Ы55дЕ - энергия ионизации;постоянная Больцмана,"Т -...

Номер патента: 793577

Опубликовано: 07.01.1981

Автор: Уманская

МПК: A61H 39/00

Метки: вирусныхреспираторных, заболеваний, лечения, острых

...в частности с помощью аппарата для электропунктуры, выявляются БАЗ с дисбалансом энергии по несцмметрии вольт-амперцых характеристик в электрическо цепи, подключенной к соответствующей БЛЗ кожи, что позволяет ослцествцть дцная еское наолюдене за состоякем эле.тронно-цоцного равновесия, а, следовательно:, опосредованно за состоянием имм цно-бцологцческцх занитныхреакций естОго и ооцегохарактера. Для этОО берут оиологцеск" активцуО 30 нУ (БАЗ) кожи, прикладываОт постоянное напряжение ц прозводят смену полярюстц, фиксируя пр 1.этом"гс ч 1 у прямого ц обратного тока- (условно обозначаОт 1 - ; 1+). Если прк смене полярности разность в величинах тока превышает 5%, томожно косвеццо сулить о нарушении баланса энергии в контролируемой подсистеме,...