Способ создания силицидов металлов

Номер патента: 464991

Опубликовано: 25.03.1975

Авторы: Аксель, Жан, Людвиг, Ханс

МПК: C01B 13/14

Метки: кремния, металлов, окислов, тонкодисперсных

...га.за не окислял р й водород с образованием хлора,Для упрощения процесса предлагается 5 способ, по которому в качестве вещества, подавляющего образование галогенов, используют водяные пары. Перегретый водяной пар подают, например, непосредственно через кольцеобразное сопло, концентрически распо ложенное по отношению к соплу горелки. Необязательно, чтобы водяные пары подводились извне, их можно получать непосредственно в реакционной зоне путем подачи избыточного количества вторичного воздуха. Под 15 вторичным воздухом понимается воздух, добавляемый независимо в зазор между устьем горелки и нижней частью пламени под лю.бым углом, При этом водород горит с образованием паровой оболочки вокруг пламени.20П р и м е р. В горелку вводят...

Номер патента: 212529

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Воскобойников, Громов, Игнатьев, Институт, Лештаев, Локшин, Минерального, Технологии, Ткачев

МПК: C22B 26/10, C22B 5/04, C22B 61/00

Метки: алюмосиликатов, кремния, металлов, щелочных

...исходной руды или концентрата под вакуумом в реторте при температуре 950 - 1050 С. Восстановителем служит порошкообразный алюминий, например алюминиевый порошок марки ПАили алюминиевая стружка, которые вводят в состав шихты в количестве 30 - 50% от веса восстанавливаемых алюмосиликатов.Шихту выдерживают в реторте при указанной температуре и остаточном давлении 1 - 2 мм рт, ст. около 2 час,Пары образующихся щелочныхконденсируют в холодильнике посллученный металл в расплавленномпоступает в металлосборник,Полученные щелочные металлы иков, В. И. Ткачев, Э. П. Локшин и О, Г, Громов редких элементов и минеральногофилиала АН СССР смесь могут быть разделены или отрафини.рованы ректификацией,Остаток, состоящий в основном из...

Номер патента: 118909

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Мельник

МПК: H01L 21/28

Метки: контакта, кремнием, металла, омического

...фазы в вакууме слой германия, который покрывают слоем металла контакта, например никелем,Создание омического контакта с кремнием осуществляется следующим образом,В вакууме порядка 10мм Нд на нагретый до 550 кремний, предварительно протравленный в смеси плавиковой и азотной кислот (1: 1),конденсируется испаряемый германий.Затем испарение прекращается и температура кремния повь сядо 700 - 750 и при этой температуре выдерживается 10 мин.Нагревание кремния осуществляется излучением от ленточлибденового нагревателя, помещенного над кремнием.После охлаждения и извлечения из вакуумной установки на полученный на кремнии слой германия гальванически наносится никель,В случае кремния р-типа для испарения применяются р-германийили же германий со...

Номер патента: 176989

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Грехов, Лебедева, Линийчук, Тучкевич, Физико, Челноков, Шуман, Якивчик

МПК: H01L 21/34

Метки: алюминияв, диффузии, источника, кремний, создания

...А 40, с окислами каких-либо переходных металлов (Г, Та, Т),), Со н т,д).Прн высоких температурах присутствие паров окислов указанных металлов облегчает восстановление алюминия и несколько повышает его концентрацию.Предложенный способдифф 1 зни алюмння нзслужить для получения цводниковых приборов. Многослойные структуры, ндпрнмер, тнпд р-)г-р н )г-р-)г-р-и с регулируемой поверхностной концентрацией получают следующим путем.Предварительно проводят ннзкотемператур. ную диффузию бооа нлн фосфора нд воздухе, а затем на обе стороны пластины ндносят азотнокислый алюминий и проводят дальнейшую высокотемпературную диффузию на воз духе для создания р-и переходов требуемой 1 луои 1 ы. Дпффузн 51 оора н ал)омннн 51 прн этом идет сдновременно,...

Номер патента: 661856

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Гвоздева, Харитонов

МПК: H05B 41/30

Метки: импульсов, света, создания

...конФигурациинаправляющие проводники н пределах шириныдиаФрагмы расположенны по контурусветящегося тела, Кроме того, дляполучения многоимпульсного режимаработы устройства, вдоль направляю трический контур с соответственно пощих проводников установлено несколь- цобранным в нем направлением раэрядко диаФрагм, количество которых рав- ного тока.но .требуемому количеству световых Таким образом, при скорости движе"вспышек, ния светящейся плазмы около 15 км/секНа Фиг, 1 схематически изображено 15 и ширине диафрагмы, например 0,5 мм,устройстно для получения шалевоготела свечения; на Фиг. 2 - Форма на" основных электродов, ожидаемая длипранлявщих проводников для создания тельность световой вспышки через диточечного тела свечения; на аФрагму...