Способ обработки структур кремний-двуокись кремния

Номер патента: 523571

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Орлова, Трудаев

МПК: G01M 9/06, H01J 3/00

Метки: исследования, пучка, структуры, электронного

...из которого путем сканирования получают наэкране видеоконтрольного устройстваизображение электронного пучка.Однако извЕстное устройство непоэволяет одновременно со световымпрофилем регистрировать электрический профиль электронного пучка, чтоне обеспечивает необходимой точности ЗОизмерений скорости потока и распределение частиц газа по скоростям.Целью изобретения является повышение точности измерения скоростипотока и распределения частиц газа 35по скоростям в электронном ручке вгиперзвуковом потоке разреженногогаза.Это достигается тем, что предлагаемое устройство снабжено зондом, 40чувствительный элемент которого выполнен в виде нити, натянутой перпендикулярно плоскости диафрагмы объективаи расположенной в одной плоскости сщелью,...

Номер патента: 1238630

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Пухов, Румак, Сакун, Тишкевич, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системах, слоя, структуры, —полупроводник

Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел - полупроводник, включающий травление окисла в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород, и наблюдение структуры в электронном микроскопе, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости контроля, травление окисла проводят в течение 1,5 - 7 мин при объемном содержании хлористого водорода в водороде 0,8 - 1,2 об.%, а наблюдение структуры осуществляют в растровом электронном микроскопе, причем о кристаллической структуре судят по наличию темного ореола вокруг фигур травления.

Номер патента: 1819356

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Иванковский, Куницин, Меерталь, Остапчук, Стасюк, Фоминых

МПК: H01L 21/302

Метки: кремний-металлосодержащего, многослойных, селективного, слоя, структурах, травления

...подложке, например пластине кремния, создают диэлектрические изолирующие слои, например термически выращенную двуокись кремния (3102, нитрида кремния (3 за), фосфорно-силикатного стекла (ФСС) или их комбинации, на которых формируют кремний-металлсодержащий слой на основе кобальта (Со) и (или) титана (Т) путем, например, совместимого катодного распыления мишени из металла и мишени из кремния с последующим отжигом наносимого слоя, либо в виде металл- кремниевого (кобальт-кремниевого или титан-кремниевого) сплава в виде резистивных слоев типа РС 3000 К(Со - 30, Я 1-707 ь), РС 2310 К (Соь, Т, 3-67) и других, например путем одновременно ионноплазменного распыления их из мишени, с содержанием металла в слое не более 40, после...

Номер патента: 768194

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Жужгов, Мартынова

МПК: C07F 7/02

Метки: действию, качестве, облучения, октааллилсилсесквиоксан, чувствительного, электронного

...снятый с таблеток образцов,запрессованных в бромистый калий в области 400 - 3600 см - , подтверждает силсесквиоксановую структуру полученного вещества и наличие аллильных радикалов, Вспектре отсутствуют полосы поглощения,характерные для гидроксильных групп испиртовых.ИК-спектр (см в ): 400 в 6 - Ь-колебания кремнекислородного каркаса; 780 вС/; 1120 - /Ы - О - Ь 1/тетрациклические;- "полосы поглощения С= С связей расщепляются на дублетные, что характерно для сопряженных систем, в том числе и радикала 55 аллила: дублеты 910 в 9, 100 в 10;1405 в 14 и 1600 - относятся к б и(Лауэ и качание) для кристаллов октааллилсилсесквиоксана, выращенных из хлороформа, определены параметры элементарной ячейки, которая имеет: а=8,91; О==10,16...

Номер патента: 1067000

Опубликовано: 15.01.1984

Авторы: Корчков, Мартынова

МПК: C07F 7/21

Метки: винилстибинсилсесквиоксан, действию, диффузанта, источника, качестве, облучения, сурьмы, чувствительного, электронного

...в течение двух часов,охлаждают и выдерживают при 0 С ещев течение 30 ч. Выпавший осадок отфильтровывают, сушат на воздухе иподвергают очистке, аналогично примеру 1.Выход составляет 4,2 г (20 отзагРузки)25Найдено,В: С 24,00 у Н. 3,0.81Яз. 28,08 у ЯЬ 17,50 у Сй О,ОС,Н,) Я 1 ЯЬО 1 30 Полученную после экспонирования и проявления защитную маску подвергают отжигу в диффузионной печи при 400-600 фС в течение 0,5-3 ч. На полученных структурах снимают вольт-амПерные характеристики (ВАХ) . Анализ ВАХ показывает, что они имеют веитильный характер, что свидетельствует о диффузии сурьмы в поверхность кремниевой подложки, Оцененная по СН Я 11 ЯЬОВычислено,Ф: С 24,04; Н 3,00;Я 1 28,05 У ЯЪ 17,401 СВ О.МВ (определенный масс-спехтрометрически) 700, МВ...