Травитель для арсенида индия

Номер патента: 1785048

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Литвак, Моисеев, Чарыков, Яковлев

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, гетероэпитаксиального, индия-алюминия, наращивания, основе, раствора, слоев, твердого

...А 1-ЗЬ, Использование эвтектики позволяет перейти от гомогенного расплава к безградиентной твердой фазе и, таким образом, получить, далее, беэградиентный четырехкомпонентный расплав ойределенного состава, Отсутствие Однородности именно в твердой фазе не позволяло ранее получать гетероэпитаксиальные слои твердого раствора п-А 1-Аз-ЗЬ, Только используя эвтектический сплав А 1+ ЗЬ, авторамвпервые в миреудалось получить их,Нагрефй интервале 900 С Т1000 С позволяет получить полнестью гомогенный расплав. При Т900 С затруднено равноМерное перемешивание компонентов в жидкой фазе йз-за диффузионных ограничений, Повышение температуры увеличивает скорость перемешивания, но при Т1000 С резко возрастает давление пара ЗЬ над расплавом, что ведет...

Номер патента: 1840172

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Алехин, Белотелов, Емельянов, Солдак

МПК: H01L 21/316

Метки: арсенида, диэлектрических, индия, мдп, основе, пленок, растворов, структур, твердых

Способ получения диэлектрических пленок для МДП структур на основе арсенида индия и его твердых растворов, включающий погружение полупроводниковой пластины в первый электролит, содержащий органический растворитель, электропроводящий компонент и галогеносодержащую добавку и подачу на пластину электрического напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения обнаружительной способности МДП структур путем снижения величины встроенного заряда и плотности ловушек в диэлектрических пленках, в качестве галогеносодержащей добавки используют аммоний фтористый в количестве 1,6-1,8 вес.%, после анодирования в первом электролите, полупроводниковую пластину погружают во второй электролит,...

Номер патента: 120330

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Горюнова, Дерябина, Радауцан

МПК: C30B 29/46, C30B 33/02

Метки: арсенид, гомогенизации, индия, растворов, селенид, системы, твердых

...изобретения Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид индия - селенид индия (1 пАз - 1 п,Без) методом диффузионного отжига, о тл ич а ю щ и й с я тем, что, с целью сокращения продолжительности отжига, его осуществляют в атмосфере инертных газов или водорода под давлением, например, в 200 - 800 кг/слР и при температуре 450 - 700. Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор Р. Б. Кауфман Гр, 16Информационно-издательский отдел.Объем 0,17 п. л. Зак. 2188 Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14.выдержкой один-два часа при этой температуре. После синтеза получают слитки с явно выраженной дендритной кристаллизацией. Для получения...

Номер патента: 481152

Опубликовано: 15.08.1975

Автор: Бриан

МПК: C07C 103/34

Метки: выделения, органического, растворителя

...частичцо вновьвозвращают в сепаратор 9. Остаточную жидкость из перегопцого аппарата 25 удаля;от цотрубопроводу 30. В качестве испарителя 3может быть использован испаритель любого 55 известного тцця, ооеспсчивающий отделениесс,ц и прцгод 1:й для обработки солсвых ра -т 130 рсВ. (1 ьитят яз;1 стсчслс.3 Ьм иродк ОЛ 1.В тех случях, ксгда оргаццчсское соедицсш;е, образуощсеся ь псрсгонцом аппарате,содерки црцмссп с отцоситсльцо более Низкой летучестью, чем летучесть оргацическогосоедцения последнее мои(ет быть подвергиутО Очисткс с испо;1 ьзсз 2 циел 1 ректификаццоццой колонн согласно цршгятой технолофрякцОНПОЙ;срсгсики. В зтсл Сл чяедсб)цс 1 одяв 11 ь Не)ы 3 сксцч 1с,.ь.10 ГО ис)сГОНПОГО 1 НЯРатя е 1 сцосРсдстВенцс Во 1)Ракциснцлс...

Номер патента: 1814442

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Галицын, Ковчавцев, Мансуров, Пошевнев

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, индия, поверхности

Способ обработки поверхности арсенида индия, включающий обезжиривание, травление в растворе, промывку, сушку и термообработку в условиях сверхвысокого вакуума, отличающийся тем, что, с целью повышения степени совершенства структуры поверхности за счет снижения температуры термообработки, травление осуществляют в насыщенном растворе паров соляной кислоты в изопропиловом спирте в течение 5 - 10 мин, а термообработку проводят при равномерном подъеме температуры до 200 - 230oC за время 1,5 - 2 ч и последующей выдержке при этой температуре в течение 20 - 30 мин.