Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Заявка
3242775/25, 29.10.1980
Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирский государственный университет
Лисовенко В. Д, Марончук И. Е, Сушко Б. И, Марончук Ю. Е, Тузовский А. М
МПК / Метки
МПК: H01L 21/208
Метки: автоэпитаксиального, жидкой, наращивания, полупроводников, фазы
Опубликовано: 10.11.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-940603-sposob-avtoehpitaksialnogo-narashhivaniya-poluprovodnikov-iz-zhidkojj-fazy.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы</a>
Предыдущий патент: Материал для светозвукопроводов акустооптических дефлекторов
Следующий патент: Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик
Случайный патент: Трубная шаровая мельница