Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы

Номер патента: 940603

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко, Тузовский

Описание

Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы, включающий приготовление двух насыщенных растворов-расплавов, содержащих мышьяк, с использованием в качестве металла-растворителя галлия и индия, введение одного раствора-расплава в узкий зазор между подложками, приведение полученной системы в контакт с другим раствором-расплавом, объем которого по крайней мере на порядок больше объема расплава в узком зазоре, и изотермическую выдержку, отличающийся тем, что, с целью получения толстых слоев кремния в улучшения их качества, вводят в узкий зазор раствор кремния в галии при содержании мышьяка в растворах 1-5 вес.% и осуществляют контактирование растворов - расплавов по площади S=(0,005-0,5) Dh см.2, где D - диаметр подложек, см; h - ширина узкого зазора, см.

Заявка

3242775/25, 29.10.1980

Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирский государственный университет

Лисовенко В. Д, Марончук И. Е, Сушко Б. И, Марончук Ю. Е, Тузовский А. М

МПК / Метки

МПК: H01L 21/208

Метки: автоэпитаксиального, жидкой, наращивания, полупроводников, фазы

Опубликовано: 10.11.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-940603-sposob-avtoehpitaksialnogo-narashhivaniya-poluprovodnikov-iz-zhidkojj-fazy.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы</a>

Похожие патенты