Кондрашов

Номер патента: 978638

Опубликовано: 10.12.2005

Авторы: Веселов, Кондрашов, Кузнецов, Николаев, Сусликов, Тибатин

МПК: F02C 7/24

Метки: газотурбинного, двигателя, корпус

Корпус газотурбинного двигателя, содержащий кольцевые элементы, последовательно связанные между собой фланцевыми соединениями и состоящие из концентричных оболочек, по меньшей мере одна из которых, расположенная со стороны проточной части, выполнена перфорированной, и расположенные между оболочками слои сотового заполнителя, выполненные из гофрированных лент, жестко соединенных с оболочками, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности путем демпфирования колебаний кольцевых элементов, на обращенных в одну сторону гребнях гофров лент выполнены выступы цилиндрической формы, а на обращенных в другую - ответные выемки.

Номер патента: 1175222

Опубликовано: 10.12.2005

Авторы: Долбня, Ефимов, Кондрашов, Лазуткин, Мальтеев, Суханов

МПК: F16F 7/00

Метки: амортизирующее

Амортизирующее устройство, содержащее корпус, размещенный в нем узел крепления и расположенный между ними демпфирующий элемент, выполненный гофрированным в поперечном сечении, отличающееся тем, что, с целью повышения стабильности упруго-фрикционных свойств в условиях динамических нагрузок при повышенных температурах, устройство снабжено охватывающими вершины гофр захватами, закрепленными через один соответственно на корпусе и на узле крепления.

Номер патента: 1108867

Опубликовано: 10.12.2005

Авторы: Забавин, Кондрашов, Левитский, Хмелюк

МПК: G01M 15/00

Метки: испытаниям, лопаточной, непробиваемость, подготовки

Способ подготовки к испытаниям на непробиваемость лопаточной машины, включающий размещение на испытываемом элементе ротора заряда взрывчатого вещества, сборку и проверку подключенной к нему электроцепи, отличающийся тем, что, с целью повышения безопасности работ, предварительно на элементе ротора устанавливают имитатор заряда, имеющий одинаковые с зарядом массу и геометрические размеры, проверку электроцепи осуществляют на рабочей частоте вращения ротора, после чего производят замену имитатора на заряд взрывчатого вещества.

Номер патента: 1009145

Опубликовано: 10.12.2005

Авторы: Кондрашов, Сусликов, Тибатин

МПК: F02C 7/24

Метки: многослойная, панель

Многослойная панель, содержащая соединенные между собой заполнителем листовые оболочки и бобышку, имеющую фланец, закрепленный на одной внешней оболочке с ее наружной стороны, и соединенную с другой внешней оболочкой при помощи крепежного элемента, установленного в соосных отверстиях оболочки и бобышки, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения веса и повышения вибрационной стойкости, крепежный элемент установлен в отверстии бобышки с зазором, а последняя в месте установки крепежного элемента имеет гофр, вершина которого обращена внутрь панели.

Номер патента: 1095770

Опубликовано: 10.12.2005

Авторы: Бобух, Горелов, Данильченко, Дудинцев, Зинин, Кондрашов, Кузнецов, Михайлов, Радченко, Резник, Сергеев, Терентьев, Фишбейн

МПК: F28F 9/04

Метки: модуль, теплообменный

Теплообменный модуль, содержащий пучок труб и стяжные болты, закрепленные в трубных досках и проходящие через отверстия в промежуточных поперечных перегородках, отличающийся тем, что, с целью облегчения монтажно-демонтажных работ, каждый из болтов заключен в автономный коаксиальный дистанционирующий кожух, состоящий из периферийных и промежуточных частей, последние из которых расположены между перегородками и присоединены к ним посредством переходных втулок с фланцами, причем одна из периферийных частей первым торцом присоединена к первой трубной доске посредством промежуточной втулки с фланцем, а вторым - к перегородке через переходную втулку с фланцем, при этом другая периферийная...

Номер патента: 1037727

Опубликовано: 10.12.2005

Авторы: Дудинцев, Зинин, Кондрашов, Лашкова, Сергеев

МПК: F28F 9/22

Метки: варианты, крепления, опорной, отверстии, решетки, теплообменника, теплообменной, трубы, узел

1. Узел крепления теплообменной трубы в отверстии опорной решетки теплообменника, содержащий упругую гофрированную втулку с продольным разрезом, размещенную в кольцевом зазоре между трубой и решеткой, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, втулка выполнена многослойной из кольцевых лент, размещенных одна в другой с совпадением гофр во всех лентах.2. Узел крепления теплообменной трубы в отверстии опорной решетки теплообменника, содержащий упругую втулку с продольным разрезом, размещенную в кольцевом зазоре между трубой и решеткой, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, втулка выполнена из пористого волокнистого материала, преимущественно из прессованной...

Номер патента: 717944

Опубликовано: 27.11.2005

Авторы: Кондрашов, Маркушин, Сусликов

МПК: F02K 1/12

Метки: реактивное, регулируемое, сопло

Регулируемое реактивное сопло газотурбинного двигателя, содержащее подвижные створки, соединенные ограничителями раскрытия, выполненными в виде планки с продольным пазом, один конец которой неподвижно закреплен на створке, другой размещен в направляющих соседней створки, а в продольном пазу планки установлен закрепленный на створке штифт, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности, планка снабжена упруго-демпферным шарниром, а последний выполнен в виде установленного с зазором в пазах планки пакета чередующихся гладких и гофрированных пластин.

Номер патента: 281960

Опубликовано: 27.11.2005

Авторы: Kshnjakin, Kuznetsov, Веселов, Кондрашов, Кузнецов, Куракин, Кшнякин, Николаев, Сергеев, Черкасов, Чернышев

МПК: F02K 3/04

Метки: двигатель, маршевый, турбовентиляторный

Турбовентиляторный маршевый двигатель, содержащий внешний воздушный контур с внутренней и наружной кольцевыми тонкостенными оболочками, отличающийся тем, что, с целью повышения вибрационной надежности, снижения веса и улучшения звукоизоляционных свойств, оболочки выполнены из стеклопластика.

Номер патента: 592243

Опубликовано: 10.11.2005

Авторы: Кондрашов, Надеждин, Сусликов, Хмелюк

МПК: G01M 13/00

Метки: испытания, корпусов, лопаточных, машин, непробиваемость

Способ испытания корпусов лопаточных машин на непробиваемость путем выполнения в лопатке ротора надреза и раскрутки ротора до обрыва лопатки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и уменьшения трудоемкости испытаний, в надрез помещают взрывчатое вещество и на заданных оборотах подают команду на подрыв заряда.

Номер патента: 824720

Опубликовано: 10.11.2005

Авторы: Камоцкий, Кондрашов, Мулюкин, Орлов

МПК: F16K 35/00

Метки: клапан, прямоточный

1. Прямоточный клапан, преимущественно для криогенных сред, содержащий корпус, в котором установлен запорный орган с хвостовиком, соединенный рычагом, поджатым пакетом шайб Бельвиля, с поршневым приводом со штоком, смонтированным перпендикулярно запорному органу, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, на корпусе соосно запорному органу установлен жестко связанный с ним сильфонный привод, хвостовик запорного органа снабжен упором, соединенным шарнирно с рычагом, выполненным в виде серьги со сферическим окончанием, причем в штоке поршневого привода выполнено отверстие, в котором размещено сферическое окончание серьги и выполнены каналы, сообщающие полости сильфонного и...

Номер патента: 906246

Опубликовано: 10.11.2005

Авторы: Забавин, Кондрашов, Левитский, Симаков, Хмелюк

МПК: G01M 15/00

Метки: защитного, испытания, стенд, турбомашины, устройства

Стенд для испытания защитного устройства турбомашины, содержащий вакуумную камеру, размещенные в ней испытуемое устройство и облопаченное колесо, установленное на валу и снабженное механизмом разгона, установленным в статоре, и систему управления, причем одна из лопаток установлена с возможностью отрыва ее от колеса, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени испытания и повышения эксплуатационной надежности, стенд дополнительно содержит ферромагнитную вставку, закрепленную на валу в плоскости отрываемой лопатки, индукционный датчик, установленный на статоре в плоскости вращения вставки напротив нее, и электронный ключ, а лопатка, установленная с возможностью отрыва, снабжена...

Номер патента: 1060858

Опубликовано: 10.07.2004

Авторы: Гальперин, Катков, Квасов, Кондрашов, Мулюкин, Степанов

МПК: F16K 24/02

Метки: клапан, криогенный, прямоточный

Прямоточный криогенный клапан, содержащий корпус с проточным каналом и размещенные в нем сильфонный привод, связанный с источником управляющего давления, запорный орган с подпружиненным полым штоком и направляющую, установленные коаксиально с сильфонным приводом, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, клапан снабжен размещенным в корпусе полым обтекателем и источником продувочной среды, причем сильфонный привод размещен в обтекателе с образованием полости, сообщенной с источником управляющего давления, а направляющая и шток установлены внутри сильфона привода с образованием с ним полости, сообщенной с источником продувочной среды и через полость штока - с проточным каналом...

Номер патента: 1702732

Опубликовано: 20.01.2000

Авторы: Бреннер, Долинский, Жучкова, Зеленкин, Калинин, Калугин, Кондрашов, Мышляев, Полежаев, Сорокин, Сычевский

МПК: E21C 27/32

Метки: выемки, ископаемого, полезного, струговой

1. Способ струговой выемки полезного ископаемого, включающий разрушение полезного ископаемого по всей мощности пласта перемещением исполнительного органа по всей длине очистного забоя и транспортировку разрушенного полезного ископаемого в прилегающие выработки, отличающийся тем, что, с целью снижения разубоживания полезного ископаемого при одновременном повышении его производительности при разработке пластов полезного ископаемого с породными прослоями, одновременно с разрушением полезного ископаемого осуществляют опережающее разрушение породных прослоев перемещением исполнительного органа по всей длине очистного забоя и транспортировку разрушенной породы каждого породного прослоя в...

Номер патента: 1634050

Опубликовано: 27.10.1999

Авторы: Волков, Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/223

Метки: диффузии, полупроводниковых, приборов, проведения, производстве, реактор

Реактор для проведения диффузии в производстве полупроводниковых приборов, включающий кварцевую трубу диаметром D с отверстием для ввода газов на одном конце и отверстием для загрузки и выгрузки полупроводниковых пластин на другом, съемную кварцевую крышку с отверстием для вывода газов, цилиндрическая часть которой коаксиально входит в отверстие трубы для загрузки и выгрузки полупроводниковых пластин, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных полупроводниковых приборов и продления срока службы реактора, цилиндрическая часть съемной крышки установлена с постоянным зазором величиной g = 0,05D по отношению к стенке трубы, а со стороны отверстия для вывода газов в...

Номер патента: 1478842

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Кондрашов, Максименко, Чижский, Шульман

МПК: G01S 13/74

Метки: местоположения, самолетов

1. Система определения местоположения самолетов, содержащая наземные приемоответчики, при этом первый приемоответчик состоит из последовательно соединенных антенного переключателя, приемника, видеоусилителя, дешифратора, сумматора, блока запуска, второй вход которого соединен с выходом датчика сигналов опознавания, и шифратора, а также передатчика, выход которого подключен к входу антенного переключателя, а выход несущей частоты передатчика соединен с гетеродинным входом приемника, приемопередающей антенны, соединенной с антенным переключателем, блока управления нагрузкой, вход которого соединен с выходом видеоусилителя, первый выход соединен с регулирующим входом приемника, а второй выход...

Номер патента: 1009142

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Кондрашов, Левитский, Маркин

МПК: F01D 25/24, F02C 7/00

Метки: лопаток, оборвавшихся, турбомашины, удержания

Устройство для удержания оборвавшихся лопаток турбомашины, содержащее размещенную на корпусе над рабочим колесом кольцевую камеру с расположенным в ней демпфером, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности, демпфер выполнен в виде кольцевых ребер, прикрепленных к стенке камеры.

Номер патента: 1480323

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Горина, Кондрашов, Романов, Ряснов, Сарычев, Шабанов, Щукин

МПК: C03C 1/00, C03C 6/02

Метки: производства, стекла, теплопоглощающего

1. Способ производства теплопоглощающего стекла путем составления шихты из стеклообразующих компонентов, сульфата натрия и железосодержащего компонента с последующей варкой и выработкой, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и улучшения процесса варки, в качестве железосодержащего компонента в шихту вводят порошок железа.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью улучшения теплопоглощающих характеристик, в шихту дополнительно вводят кобальтсодержащий компонент в количестве, обеспечивающем содержание его в стекле 0,002 0,004%3. Способ по п.2, отличающийся тем, что в качестве кобальтсодержащего компонента в шихту вводят отходы отработанных катализаторов химического производства.

Номер патента: 1594883

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Бондарева, Горина, Кондрашов, Маторина, Полкан, Романов

МПК: C03B 1/00

Метки: стекла

Способ получения стекла путем составления шихты, введения металлического Al, варки стекломассы и выработки, отличающийся тем, что, с целью получения декоративного глушеного стекла, в шихту дополнительно вводят металлический Zn при соотношении Zn/Al 1,8 2,0, причем суммарное количество металлического Al и Zn равно 0,45 10,0 мас.

Номер патента: 1594882

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Горина, Жильцов, Кондрашов

МПК: C03B 1/00, C03C 1/00

Метки: приготовления, шихты

Способ приготовления шихты по авт. св. N 1455569, отличающийся тем, что, с целью предупреждения окрашивания стекла в процессе варки при использовании металлического алюминия, шихту увлажняют до соотношения воды с металлическим алюминием 1 (3 25).

Номер патента: 1455569

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Горин, Горина, Кондрашов

МПК: C03B 1/00, C03C 1/00

Метки: приготовления, шихты

Способ приготовления стекольной шихты путем перемешивания стеклообразующих компонентов, отличающийся тем, что, с целью интенсификации стекловарения, в шихту вводят порошкообразный металл, выбранный из группы: алюминий, цинк и олово.

Номер патента: 1828721

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Загрядский, Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: высоким, напряжением, полупроводникового, прибора, пробоя

1. Способ изготовления полупроводникового прибора с высоким напряжением пробоя, включающий последовательное формирование на поверхности полупроводниковой подложки аморфного или поликристаллического слоя толщиной Н, в котором коэффициент диффузии примеси, создающей базовую область полупроводникового прибора и формирующей его p n-переход коллектор база, превышает ее коэффициент диффузии в полупроводниковой подложке, формирование изолирующего слоя, вскрытие в изолирующем слое окна под диффузию примеси, создающей базовую область, диффузию указанной примеси в полупроводниковую подложку через окно в изолирующем слое с формированием базовой области, состоящей из центральной области глубиной Y

Номер патента: 1828719

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевого, мощного, транзистора

1. Способ изготовления мощного кремниевого транзистора, включающий создание в высокоомном слое кремниевой n-n+-структуры эмиттерной области, легированной примесью первого типа проводимости, имеющей атомный радиус, больший или меньший атомного радиуса кремния, создание базовой области, легированной примесью второго типа проводимости, одновременную разгонку эмиттерной и базовой примесей, легирование эмиттерной области на глубину h компенсирующей примесью, имеющей атомный радиус, соответственно меньший или больший атомного радиуса примеси первого типа эмиттерной области, подлегирование базовой области примесью второго типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью уменьшения числа высокотемпературных процессов, создание базовой...

Номер патента: 1828720

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевого, мощного, транзистора

1. Способ изготовления мощного кремниевого транзистора, включающий предварительную диффузию примеси р-типа проводимости в базовую область кремниевой n-n+-структуры, предварительную диффузию примеси n-типа проводимости в эмиттерную область и дальнейшую совместную разгонку базовой и эмиттерной примесей, отличающийся тем, что, с целью разрушения кластерных областей в объеме полупроводниковой структуры, предварительную диффузию примеси n-типа проводимости в эмиттер проводят при 800-1100oC, а совместную разгонку базовой и эмиттерной примесей проводят при температуре, выбираемой из интервала 1100-1250°С из условия обеспечения степени легирования эмиттерной области Ns<3

Номер патента: 1827152

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор

Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненный в одной полупроводниковой подложке так, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, причем ширина и/или степень легирования активной базы стабилитрона меньше ширины и/или степени легирования активной базы рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы, при сохранении временных и электрических параметров транзистора за счет уменьшения дефектности активной базы защитного стабилитрона и...

Номер патента: 1827151

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненный в одной полупроводниковой подложке таким образом, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы, за счет изменения конструкции активной базы стабилитрона, активная база стабилитрона выполнена в виде областей-ячеек, в которых ширина и степень легирования активной базы стабилитрона меньше ширины и степени легирования активной базы рабочей транзисторной структуры, окруженных...

Номер патента: 1827150

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, мощный, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор, содержащий по крайней мере одну эмиттерную область шириной l переменной глубины и степени легирования, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления по току с сохранением устойчивости к вторичному пробою, эмиттерная область состоит по крайней мере из двух симметричных относительно центра эмиттерной области зон, в которых глубину эмиттерной области H выбирают из соотношения H=H0+kl, где а H0 глубина эмиттерной области на внешнем краю зоны.2. Транзистор по п. 1, отличающийся тем, что участку эмиттерной области с максимальной глубиной соответствует максимальная степень легирования, а участку с...

Номер патента: 1827149

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, мощный, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор, имеющий по крайней мере одну эмиттерную область шириной I с постоянной глубиной и степенью легирования и активную базу с переменной степенью легирования, отличающийся тем, что, с целью уменьшения площади его транзисторной структуры с сохранением коэффициента усиления по току и устойчивости к вторичному пробою, ширину W активной базы выбирают из соотношения W Wmin + k I, где 0 К 1, а Wmin - минимальная ширина активной базы.2. Транзистор по п.1, отличающийся тем, что участок активной...

Номер патента: 1827148

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: высоким, напряжением, планарный, полупроводниковый, прибор, пробоя

1. Планарный полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя, содержащий в высокоомном слое первого типа проводимости базовую область второго типа проводимости, состоящую из центральной области глубиной H и периферийной области шириной L, окружающей центральную область, глубина и степень легирования которой уменьшается в направлении к месту выхода на поверхность высокоомного слоя p-n-перехода, образованного базовой областью и высокоомным слоем, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины периферийной области базы при сохранении величины напряжения пробоя и диффузионных параметров центральной области базы, периферийная область базы состоит по крайней мере из двух зон, в которых p-n-переход имеет различный угол наклона к...

Номер патента: 1827147

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: высоким, напряжением, полупроводниковый, прибор, пробоя

1. Полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя, содержащий в высокоомном слое первого типа проводимости базовую область второго типа проводимости, состоящую из центральной области глубиной Нп периферийной области, окружающей центральную область, глубина и степень легирования которой уменьшается в направлении к месту выхода на поверхность высокоомного слоя рn-перехода, образованного базовой областью и высокоомным слоем, кольцевую базовую металлизацию шириной а, расположенную под частью периферийной области базы, прилегающей к центральной области базы, и находящуюся на расстоянии l от места выхода на поверхность высокоомного слоя р n-перехода, где величина l соответствует ширине области пространственного заряда в...

Номер патента: 1827146

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненной в одной полупроводниковой подложке так, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы без изменения его временных и электрических параметров за счет изменения ширины и уменьшения дефектности активной базы защитного стабилитрона и прилегающей к ней области коллектора, ширина активной базы стабилитрона больше ширины активной базы рабочей транзисторной структуры, а степень...